The Lely method, also known as the Lely process or Lely technique, is a crystal growth technology used for producing silicon carbide crystals for the semiconductor industry. The patent for this method was filed in the Netherlands in 1954 and in the United States in 1955 by Jan Anthony Lely of Philips Electronics. The patent was subsequently granted on 30 September 1958, and was refined by D.R. Hamilton et al. in 1960, and by V.P. Novikov and V.I. Ionov in 1968.
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| - Mètode Lely (ca)
- Método Lely (es)
- Procédé de Lely (fr)
- Lely method (en)
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| - El método Lely o proceso Lely es una tecnología de crecimiento de cristales utilizada para producir cristales de carburo de silicio para la industria de semiconductores. La patente para este proceso fue presentada en los Países Bajos en 1954 y en los Estados Unidos en 1955 por Jan Anthony Lely de Philips Electronics. La patente fue otorgada posteriormente el 30 de septiembre de 1958, y fue refinada por D. R. Hamilton et al. en 1960, y por V. P. Novikov y V. I. Ionov en 1968. (es)
- The Lely method, also known as the Lely process or Lely technique, is a crystal growth technology used for producing silicon carbide crystals for the semiconductor industry. The patent for this method was filed in the Netherlands in 1954 and in the United States in 1955 by Jan Anthony Lely of Philips Electronics. The patent was subsequently granted on 30 September 1958, and was refined by D.R. Hamilton et al. in 1960, and by V.P. Novikov and V.I. Ionov in 1968. (en)
- Le procédé de Lely est une technologie de croissance cristalline utilisée pour produire des cristaux de carbure de silicium pour l'industrie des semi-conducteurs. Le brevet de ce procédé a été déposé aux Pays-Bas en 1954 puis aux États-Unis en 1955 par Jan Anthony Lely de Philips Electronics. Le brevet a ensuite été délivré le 30 septembre 1958 et a été amélioré par le Dr. Hamilton et al. en 1960, et par V. P. Novikov et V. I. Ionov en 1968. (fr)
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| - El método Lely o proceso Lely es una tecnología de crecimiento de cristales utilizada para producir cristales de carburo de silicio para la industria de semiconductores. La patente para este proceso fue presentada en los Países Bajos en 1954 y en los Estados Unidos en 1955 por Jan Anthony Lely de Philips Electronics. La patente fue otorgada posteriormente el 30 de septiembre de 1958, y fue refinada por D. R. Hamilton et al. en 1960, y por V. P. Novikov y V. I. Ionov en 1968. (es)
- The Lely method, also known as the Lely process or Lely technique, is a crystal growth technology used for producing silicon carbide crystals for the semiconductor industry. The patent for this method was filed in the Netherlands in 1954 and in the United States in 1955 by Jan Anthony Lely of Philips Electronics. The patent was subsequently granted on 30 September 1958, and was refined by D.R. Hamilton et al. in 1960, and by V.P. Novikov and V.I. Ionov in 1968. (en)
- Le procédé de Lely est une technologie de croissance cristalline utilisée pour produire des cristaux de carbure de silicium pour l'industrie des semi-conducteurs. Le brevet de ce procédé a été déposé aux Pays-Bas en 1954 puis aux États-Unis en 1955 par Jan Anthony Lely de Philips Electronics. Le brevet a ensuite été délivré le 30 septembre 1958 et a été amélioré par le Dr. Hamilton et al. en 1960, et par V. P. Novikov et V. I. Ionov en 1968. (fr)
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