| dbo:abstract
|
- Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en octobre 1969. (fr)
- In semiconductor electronics fabrication technology, a self-aligned gate is a transistor manufacturing feature whereby the gate electrode of a MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) is used as a mask for the doping of the source and drain regions. This technique ensures that the gate is naturally and precisely aligned to the edges of the source and drain. The use of self-aligned gates in MOS transistors is one of the key innovations that led to the large increase in computing power in the 1970s. Self-aligned gates are still used in most modern integrated circuit processes. (en)
- 電子工学において自己整合ゲートとは、MOSFETの耐熱性の高いゲート電極を、ソース/ドレイン領域をドーピングする際のマスクとして使うトランジスタ製造技術である。この技術を使うことで、ゲートとソース/ドレインとの重なりがわずかになる。 自己整合ゲートの使用は、1970年代の計算能力の大幅な向上につながった発明の１つである。自己整合ゲートは未だに多くの現代的な集積回路プロセスで使われている。 (ja)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 27860 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en octobre 1969. (fr)
- In semiconductor electronics fabrication technology, a self-aligned gate is a transistor manufacturing feature whereby the gate electrode of a MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) is used as a mask for the doping of the source and drain regions. This technique ensures that the gate is naturally and precisely aligned to the edges of the source and drain. The use of self-aligned gates in MOS transistors is one of the key innovations that led to the large increase in computing power in the 1970s. Self-aligned gates are still used in most modern integrated circuit processes. (en)
- 電子工学において自己整合ゲートとは、MOSFETの耐熱性の高いゲート電極を、ソース/ドレイン領域をドーピングする際のマスクとして使うトランジスタ製造技術である。この技術を使うことで、ゲートとソース/ドレインとの重なりがわずかになる。 自己整合ゲートの使用は、1970年代の計算能力の大幅な向上につながった発明の１つである。自己整合ゲートは未だに多くの現代的な集積回路プロセスで使われている。 (ja)
|
| rdfs:label
|
- Porta autoalineada (ca)
- Self-aligned gate (fr)
- 自己整合ゲート (ja)
- Self-aligned gate (en)
|
| rdfs:seeAlso
| |
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
