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- B. Jayant Baliga (* 28. April 1948 in Chennai) ist ein indischer Elektroingenieur, der einer der Erfinder des Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist, einer bedeutenden Innovation in der Leistungselektronik, den er bei General Electric zur Marktreife entwickelte. Sein Vater spielte eine bedeutende Rolle in der Entwicklung der indischen Elektronikindustrie. Baliga studierte am Indian Institute of Technology in Madras mit dem Bachelor-Abschluss 1969 und erhielt seinen Master-Abschluss 1971 am Rensselaer Polytechnic Institute, an dem er 1974 promoviert wurde. Danach war er bis 1979 am General Electric Research Center in Schenectady. Außerdem war er 1974 bis 1980 Adjunct Professor am Rensselaer Polytech. 1979 bis 1988 war er Manager am General Electric Research Center (er leitete die Entwicklung Leistungselektronik) und 1988 wurde er Professor an der North Carolina State University. Seit 1991 war er dort Direktor des Power Semiconductor Research Center. 1997 wurde er Distinguished University Professor. Er befasst sich mit Halbleiterelementen und integrierten Schaltkreisen in der Leistungselektronik und integrierten Schaltkreisen. Seine Entwicklung des IGBT führte auch zu erheblichen Energieeinsparungen in der Strombranche. Er hält über 120 Patente. Er ist Mitglied der National Academy of Engineering und Fellow des IEEE. 1991 erhielt er den IEEE Newell Award, 1993 den IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award, 1998 den IEEE J. J. Ebers Award und 1999 die IEEE Lamme Medal. 2011 erhielt er die National Medal of Technology and Innovation und 2014 die IEEE Medal of Honor. 2016 wurde er in die National Inventors Hall of Fame eingeführt. Er erhielt die höchste Forschungsauszeichnung von General Electric mit der Ernennung zum Coolidge Fellow. (de)
- جايانت باليجا (بالإنجليزية: B. Jayant Baliga) (و. 1948 – م) هو مهندس كهربائي من الهند . ولد في تشيناي. وهو عضواً في جمعية مهندسي الكهرباء والإلكترونيات . (ar)
- Bantval Jayant Baliga (born 28 April 1948 in Chennai) is an Indian electrical engineer best known for his work in power semiconductor devices, and particularly the invention of the insulated gate bipolar transistor (IGBT). Dr. B. Jayant Baliga wrote: "Power semiconductor devices are recognized as a key component of all power electronic systems. It is estimated that at least 50 percent of the electricity used in the world is controlled by power devices. With the wide spread use of electronics in the consumer, industrial, medical, and transportation sectors, power devices have a major impact on the economy because they determine the cost and efficiency of systems. After the initial replacement of vacuum tubes by solid state devices in the 1950s, semiconductor power devices have taken a dominant role with silicon serving as the base material. These developments have been referred to as the Second Electronic Revolution". In 1993, Baliga was elected as a member into the National Academy of Engineering for contributions to power semiconductor devices leading to the advent of smart power technology. (en)
- B. Jayant Baliga (Chenai, 28 de abril de 1948) é um engenheiro eletricista indiano, conhecido por seu trabalho sobre dispositivos de potência semicondutores, particularmente pela invenção do IGBT (insulated gate bipolar transistor). (pt)
- B. Jayant Baliga, född 28 april 1948 i Chennai, är en indisk elektroingenjör verksam i USA. Han är känd för sitt arbete med halvledarkomponenter och särskilt för att ha uppfunnit och utvecklat IGBT-transistorn. (sv)
- Джаянт Балига (англ. B. Jayant Baliga; 28 апреля 1948 год, Мадрас, Индия) — американский инженер в области электроники. Известен как один из изобретателей биполярного транзистора с изолированным затвором. (ru)
- B·賈揚特·巴利加（英語：B. Jayant Baliga，1948年4月28日－），印度電機工程師，專精於功率半導體元件，發明了絕緣柵雙極電晶體。為紀念電晶體發明50周年，科學美國人雜誌將其列為「八位半導體革命英雄」（Eight Heroes of the Semiconductor Revolution）之一。 (zh)
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- B. Jayant Baliga (Chenai, 28 de abril de 1948) é um engenheiro eletricista indiano, conhecido por seu trabalho sobre dispositivos de potência semicondutores, particularmente pela invenção do IGBT (insulated gate bipolar transistor). (pt)
- B. Jayant Baliga, född 28 april 1948 i Chennai, är en indisk elektroingenjör verksam i USA. Han är känd för sitt arbete med halvledarkomponenter och särskilt för att ha uppfunnit och utvecklat IGBT-transistorn. (sv)
- Джаянт Балига (англ. B. Jayant Baliga; 28 апреля 1948 год, Мадрас, Индия) — американский инженер в области электроники. Известен как один из изобретателей биполярного транзистора с изолированным затвором. (ru)
- B·賈揚特·巴利加（英語：B. Jayant Baliga，1948年4月28日－），印度電機工程師，專精於功率半導體元件，發明了絕緣柵雙極電晶體。為紀念電晶體發明50周年，科學美國人雜誌將其列為「八位半導體革命英雄」（Eight Heroes of the Semiconductor Revolution）之一。 (zh)
- B. Jayant Baliga (* 28. April 1948 in Chennai) ist ein indischer Elektroingenieur, der einer der Erfinder des Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist, einer bedeutenden Innovation in der Leistungselektronik, den er bei General Electric zur Marktreife entwickelte. Er befasst sich mit Halbleiterelementen und integrierten Schaltkreisen in der Leistungselektronik und integrierten Schaltkreisen. Seine Entwicklung des IGBT führte auch zu erheblichen Energieeinsparungen in der Strombranche. Er hält über 120 Patente. (de)
- Bantval Jayant Baliga (born 28 April 1948 in Chennai) is an Indian electrical engineer best known for his work in power semiconductor devices, and particularly the invention of the insulated gate bipolar transistor (IGBT). In 1993, Baliga was elected as a member into the National Academy of Engineering for contributions to power semiconductor devices leading to the advent of smart power technology. (en)
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- جايانت باليجا (ar)
- B. Jayant Baliga (de)
- B. Jayant Baliga (en)
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- B·賈揚特·巴利加 (zh)
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