About: Lateral quantum dot     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : owl:Thing, within Data Space : dbpedia.org:8891 associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.org:8891/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2FLateral_quantum_dot

A lateral quantum dot is a type of quantum dot made by imposing a small area of decreased potential in the two-dimensional electron gas (2DEG) by means of electrical gates such that electrons or electron holes are confined in the 2DEG plane. The particles are confined in one dimension laterally where they are free to move in the plane of the 2DEG. Once the potential is applied, it is energetically favorable for a certain number of electrons (or holes) to remain confined in a certain area of the 2DEG causing the remaining two-dimensional freedom to be removed and the three dimensional confinement of the electrons or holes. The 2DEG is confined between two semiconductor sheets such as InAs and GaAs. The fabrication process for a lateral dot is very different from that for a self-assembled qu

AttributesValues
rdfs:label
  • نقطة كمومية جانبية (ar)
  • Lateral quantum dot (en)
rdfs:comment
  • تُعَدُ النقطة الكمومية الجانبية (بالإنجليزية: Lateral quantum dot)‏ أحد أنواع النقاط الكمومية والمصنعة بواسطة فرض مساحةٍ صغيرةٍ من الكمون المتناقص في (بالإنجليزية: two dimensional electron gas)‏، من خلال استخدام وسيلة البوابات الإلكترونية، ومما يؤدي إلى أن يتم حجز الإلكترونات أو ثقوب الإلكترونات في مستويات غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد. وبمجرد تطبيق حالة الكمون، فمن المفضل على مستوى الطاقة لعددٍ محددٍ من الإلكترونات (أو الثقوب) لأن يظل محجوز أو مقيد في مساحةٍ محددةٍ من غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد (بالإنجليزية: 2DEG)‏، مما يؤدي إلى أن يتم إزالة الحرية ثنائية الأبعاد الباقية و الثلاثة تحجيمات البعدية للإلكترونات أو الثقوب. وهنا تكون غازات الإلكترونات ثنائية الأبعاد محبوسة أو محتجزة فيما بين صفائح أشباه الموصلات ومنها زرنيخيد الإنديوم الثلاثي و زرنيخيد الغاليوم الثلاثي. هذا وتختلف عملية (ar)
  • A lateral quantum dot is a type of quantum dot made by imposing a small area of decreased potential in the two-dimensional electron gas (2DEG) by means of electrical gates such that electrons or electron holes are confined in the 2DEG plane. The particles are confined in one dimension laterally where they are free to move in the plane of the 2DEG. Once the potential is applied, it is energetically favorable for a certain number of electrons (or holes) to remain confined in a certain area of the 2DEG causing the remaining two-dimensional freedom to be removed and the three dimensional confinement of the electrons or holes. The 2DEG is confined between two semiconductor sheets such as InAs and GaAs. The fabrication process for a lateral dot is very different from that for a self-assembled qu (en)
foaf:depiction
  • http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/DoubleQuantumDot.jpg
dcterms:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
sameAs
dbp:wikiPageUsesTemplate
thumbnail
has abstract
  • تُعَدُ النقطة الكمومية الجانبية (بالإنجليزية: Lateral quantum dot)‏ أحد أنواع النقاط الكمومية والمصنعة بواسطة فرض مساحةٍ صغيرةٍ من الكمون المتناقص في (بالإنجليزية: two dimensional electron gas)‏، من خلال استخدام وسيلة البوابات الإلكترونية، ومما يؤدي إلى أن يتم حجز الإلكترونات أو ثقوب الإلكترونات في مستويات غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد. وبمجرد تطبيق حالة الكمون، فمن المفضل على مستوى الطاقة لعددٍ محددٍ من الإلكترونات (أو الثقوب) لأن يظل محجوز أو مقيد في مساحةٍ محددةٍ من غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد (بالإنجليزية: 2DEG)‏، مما يؤدي إلى أن يتم إزالة الحرية ثنائية الأبعاد الباقية و الثلاثة تحجيمات البعدية للإلكترونات أو الثقوب. وهنا تكون غازات الإلكترونات ثنائية الأبعاد محبوسة أو محتجزة فيما بين صفائح أشباه الموصلات ومنها زرنيخيد الإنديوم الثلاثي و زرنيخيد الغاليوم الثلاثي. هذا وتختلف عملية تصنيع النقاط الجانبية كثيراً عن تلك النقاط الكمومية المجمعة ذاتياً. (ar)
  • A lateral quantum dot is a type of quantum dot made by imposing a small area of decreased potential in the two-dimensional electron gas (2DEG) by means of electrical gates such that electrons or electron holes are confined in the 2DEG plane. The particles are confined in one dimension laterally where they are free to move in the plane of the 2DEG. Once the potential is applied, it is energetically favorable for a certain number of electrons (or holes) to remain confined in a certain area of the 2DEG causing the remaining two-dimensional freedom to be removed and the three dimensional confinement of the electrons or holes. The 2DEG is confined between two semiconductor sheets such as InAs and GaAs. The fabrication process for a lateral dot is very different from that for a self-assembled quantum dot. (en)
gold:hypernym
prov:wasDerivedFrom
page length (characters) of wiki page
foaf:isPrimaryTopicOf
is Link from a Wikipage to another Wikipage of
is foaf:primaryTopic of
Faceted Search & Find service v1.17_git139 as of Feb 29 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3331 as of Sep 2 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (62 GB total memory, 37 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software