| dbo:abstract
|
- تُعَدُ النقطة الكمومية الجانبية (بالإنجليزية: Lateral quantum dot) أحد أنواع النقاط الكمومية والمصنعة بواسطة فرض مساحةٍ صغيرةٍ من الكمون المتناقص في (بالإنجليزية: two dimensional electron gas)، من خلال استخدام وسيلة البوابات الإلكترونية، ومما يؤدي إلى أن يتم حجز الإلكترونات أو ثقوب الإلكترونات في مستويات غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد. وبمجرد تطبيق حالة الكمون، فمن المفضل على مستوى الطاقة لعددٍ محددٍ من الإلكترونات (أو الثقوب) لأن يظل محجوز أو مقيد في مساحةٍ محددةٍ من غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد (بالإنجليزية: 2DEG)، مما يؤدي إلى أن يتم إزالة الحرية ثنائية الأبعاد الباقية و الثلاثة تحجيمات البعدية للإلكترونات أو الثقوب. وهنا تكون غازات الإلكترونات ثنائية الأبعاد محبوسة أو محتجزة فيما بين صفائح أشباه الموصلات ومنها زرنيخيد الإنديوم الثلاثي و زرنيخيد الغاليوم الثلاثي. هذا وتختلف عملية تصنيع النقاط الجانبية كثيراً عن تلك النقاط الكمومية المجمعة ذاتياً. (ar)
- A lateral quantum dot is a type of quantum dot made by imposing a small area of decreased potential in the two-dimensional electron gas (2DEG) by means of electrical gates such that electrons or electron holes are confined in the 2DEG plane. The particles are confined in one dimension laterally where they are free to move in the plane of the 2DEG. Once the potential is applied, it is energetically favorable for a certain number of electrons (or holes) to remain confined in a certain area of the 2DEG causing the remaining two-dimensional freedom to be removed and the three dimensional confinement of the electrons or holes. The 2DEG is confined between two semiconductor sheets such as InAs and GaAs. The fabrication process for a lateral dot is very different from that for a self-assembled quantum dot. (en)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 1760 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdfs:comment
|
- تُعَدُ النقطة الكمومية الجانبية (بالإنجليزية: Lateral quantum dot) أحد أنواع النقاط الكمومية والمصنعة بواسطة فرض مساحةٍ صغيرةٍ من الكمون المتناقص في (بالإنجليزية: two dimensional electron gas)، من خلال استخدام وسيلة البوابات الإلكترونية، ومما يؤدي إلى أن يتم حجز الإلكترونات أو ثقوب الإلكترونات في مستويات غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد. وبمجرد تطبيق حالة الكمون، فمن المفضل على مستوى الطاقة لعددٍ محددٍ من الإلكترونات (أو الثقوب) لأن يظل محجوز أو مقيد في مساحةٍ محددةٍ من غازات الإلكترون ثنائية الأبعاد (بالإنجليزية: 2DEG)، مما يؤدي إلى أن يتم إزالة الحرية ثنائية الأبعاد الباقية و الثلاثة تحجيمات البعدية للإلكترونات أو الثقوب. وهنا تكون غازات الإلكترونات ثنائية الأبعاد محبوسة أو محتجزة فيما بين صفائح أشباه الموصلات ومنها زرنيخيد الإنديوم الثلاثي و زرنيخيد الغاليوم الثلاثي. هذا وتختلف عملية (ar)
- A lateral quantum dot is a type of quantum dot made by imposing a small area of decreased potential in the two-dimensional electron gas (2DEG) by means of electrical gates such that electrons or electron holes are confined in the 2DEG plane. The particles are confined in one dimension laterally where they are free to move in the plane of the 2DEG. Once the potential is applied, it is energetically favorable for a certain number of electrons (or holes) to remain confined in a certain area of the 2DEG causing the remaining two-dimensional freedom to be removed and the three dimensional confinement of the electrons or holes. The 2DEG is confined between two semiconductor sheets such as InAs and GaAs. The fabrication process for a lateral dot is very different from that for a self-assembled qu (en)
|
| rdfs:label
|
- نقطة كمومية جانبية (ar)
- Lateral quantum dot (en)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
