| dbo:abstract
|
- Thyristor RAM (T-RAM) is a type of random-access memory dating from 2009 invented and developed by , which departs from the usual designs of memory cells, combining the strengths of the DRAM and SRAM: high density and high speed. This technology, which exploits the electrical property known as negative differential resistance and is called thin capacitively-coupled thyristor, is used to create memory cells capable of very high packing densities. Due to this, the memory is highly scalable, and already has a storage density that is several times higher than found in conventional 6T SRAM. It was expected that the next generation of T-RAM memory will have the same density as DRAM. This technology exploits the electrical property known as negative differential resistor and is characterized by the way in which its memory cells are built, combining DRAM efficiency in terms of space with that of SRAM in terms of speed. Very similar to the current 6T-SRAM, or SRAM memories with 6 cell transistors, is substantially different because the SRAM latch CMOS, consisting of 4 of the 6 transistors of each cell, is replaced by a bipolar latch PNP -NPN of a single Thyristor. The result is to significantly reduce the area occupied by each cell, thus obtaining a highly scalable memory that has already reached storage density several times higher than the current SRAM. The Thyristor-RAM provides the best density / performance ratio available between the various integrated memories, matching the performance of an SRAM memory, but allowing 2-3 times greater storage density and lower power consumption. It is expected that the new generation of T-RAM memory will have the same storage density as DRAMs. (en)
- La T-RAM acronimo di "Thyristor RAM" o "Thyristor Random Access Memory" (in italiano Memoria ad Accesso Casuale con Tiristore) è un nuovo tipo di Memoria informatica DRAM inventata e sviluppata dalla . Questa tecnologia sfrutta la proprietà elettrica conosciuta come resistenza differenziale negativa e si caratterizza per il modo innovativo in cui le sue celle di memoria sono realizzate, combinando l'efficienza delle DRAM in termini di spazio con quella delle SRAM in termini di velocità. Molto simile alle attuali 6T-SRAM, ovvero le memorie SRAM dotate di 6 transistor per cella, se ne differenzia sostanzialmente per il fatto che il latch CMOS delle SRAM, costituito da 4 dei 6 transistor di ciascuna cella, è sostituito da un latch bipolare PNP-NPN di un singolo Tiristore.Il risultato è ridurre sensibilmente l'area occupata da ciascuna cella, ottenendo così una memoria altamente scalabile che ha già raggiunto densità di memorizzazione diverse volte superiori a quelle delle attuali SRAM. La Thyristor-RAM fornisce il miglior rapporto densità/prestazioni oggi disponibile fra le diverse memorie integrate, eguagliando le prestazioni di una memoria SRAM, ma consentendo una densità di memorizzazione 2-3 volte maggiore e un minor consumo energetico. Si prevede che la nuova generazione di memorie T-RAM avrà la stessa densità di memorizzazione delle DRAM. (it)
- T-RAM (англ. Thyristor RAM) — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти, предложенный в середине 2000-х годов, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте NDR, которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому данная память является хорошо масштабируемой и уже имеет плотность хранения данных, в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM. Данную технологию компания AMD предполагала использовать в процессорах, производимых по нормам 32 и 22 нм. По словам бывшего CEO компании T-RAM Semiconductor, несмотря на успешное решение множества проблем в производстве, для T-RAM так и не был достигнут процент выхода годных изделий, достаточный для прибыльного массового выпуска. (ru)
|
| rdfs:comment
|
- Thyristor RAM (T-RAM) is a type of random-access memory dating from 2009 invented and developed by , which departs from the usual designs of memory cells, combining the strengths of the DRAM and SRAM: high density and high speed. This technology, which exploits the electrical property known as negative differential resistance and is called thin capacitively-coupled thyristor, is used to create memory cells capable of very high packing densities. Due to this, the memory is highly scalable, and already has a storage density that is several times higher than found in conventional 6T SRAM. It was expected that the next generation of T-RAM memory will have the same density as DRAM. (en)
- La T-RAM acronimo di "Thyristor RAM" o "Thyristor Random Access Memory" (in italiano Memoria ad Accesso Casuale con Tiristore) è un nuovo tipo di Memoria informatica DRAM inventata e sviluppata dalla . La Thyristor-RAM fornisce il miglior rapporto densità/prestazioni oggi disponibile fra le diverse memorie integrate, eguagliando le prestazioni di una memoria SRAM, ma consentendo una densità di memorizzazione 2-3 volte maggiore e un minor consumo energetico. Si prevede che la nuova generazione di memorie T-RAM avrà la stessa densità di memorizzazione delle DRAM. (it)
- T-RAM (англ. Thyristor RAM) — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти, предложенный в середине 2000-х годов, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте NDR, которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому данная память является хорошо масштабируемой и уже имеет плотность хранения данных, в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM. (ru)
|
