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- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi, 25 February 1943 - 7 February 2019) was a Japanese professor of electrical engineering. Dr. Hiyamizu won the 1982 Japanese Journal of Applied Physics Paper Award as lead author of a paper on mobility in two-dimensional electron gases while at Fujitsu Laboratories Limited, received the 1990 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award with "for outstanding contributions to the epitaxial growth of compound semiconductor materials and devices," and in 2001 was named an IEEE Fellow "for contributions to the realization of the first high electron mobility transistor (HEMT)". He served as dean of the Osaka University Graduate School of Engineering from 2000 to 2002. He died in February 2019 at the age of 75. (en)
- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi) est un professeur d'électrotechnique. Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la (en) en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé « pour sa contribution à la réalisation du premier (en) (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002. (fr)
- 冷水 佐壽（ひやみず さとし、1943年2月25日 - 2019年2月7日）は、日本の電気工学の教授。 富士通研究所にいた1982年にJapanese Journal of Applied Physics論文賞を2DEGにおける移動度に関する論文の筆頭筆者として受賞し、1990年には三村高志とともにIEEEモーリス・N・リーブマン記念賞を「化合物半導体材料およびデバイスのエピタキシャル成長に対する顕著な貢献」により受賞した。2001年には「最初の高電子移動度トランジスタ(HEMT)の実現への貢献」によりIEEEフェローに選ばれた。2000年から2002年まで大阪大学大学院基礎工学研究科長を務めた。2019年2月に75歳で亡くなった。 (ja)
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- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi, 25 February 1943 - 7 February 2019) was a Japanese professor of electrical engineering. Dr. Hiyamizu won the 1982 Japanese Journal of Applied Physics Paper Award as lead author of a paper on mobility in two-dimensional electron gases while at Fujitsu Laboratories Limited, received the 1990 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award with "for outstanding contributions to the epitaxial growth of compound semiconductor materials and devices," and in 2001 was named an IEEE Fellow "for contributions to the realization of the first high electron mobility transistor (HEMT)". He served as dean of the Osaka University Graduate School of Engineering from 2000 to 2002. He died in February 2019 at the age of 75. (en)
- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi) est un professeur d'électrotechnique. Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la (en) en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé « pour sa contribution à la réalisation du premier (en) (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002. (fr)
- 冷水 佐壽（ひやみず さとし、1943年2月25日 - 2019年2月7日）は、日本の電気工学の教授。 富士通研究所にいた1982年にJapanese Journal of Applied Physics論文賞を2DEGにおける移動度に関する論文の筆頭筆者として受賞し、1990年には三村高志とともにIEEEモーリス・N・リーブマン記念賞を「化合物半導体材料およびデバイスのエピタキシャル成長に対する顕著な貢献」により受賞した。2001年には「最初の高電子移動度トランジスタ(HEMT)の実現への貢献」によりIEEEフェローに選ばれた。2000年から2002年まで大阪大学大学院基礎工学研究科長を務めた。2019年2月に75歳で亡くなった。 (ja)
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- Satoshi Hiyamizu (fr)
- 冷水佐壽 (ja)
- Satoshi Hiyamizu (en)
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