| dbo:abstract
|
- Un láser de punto cuántico es un láser semiconductor que usa puntos cuánticos como el medio activo en su región de emisión de luz. Debido al apretado confinamiento de los portadores de carga en los puntos cuánticos, exhiben una estructura electrónica similar a la de los átomos. Los láseres fabricados con medios tan activos exhiben un comportamiento bastante cercano a los , pero no presentan algunos de los inconvenientes asociados a los tradicionales láseres de semiconductores basados en medios activos sólidos o de pozo cuántico. Se han observado mejoras en la modulación de ancho de banda, umbral de excitación, ruido relativo de intensidad, factor de realce de ancho de línea y estabilidad con la temperatura. La región activa del punto cuántico puede diseñarse para operar con diferentes longitudes de onda variando el tamaño y la composición del punto cuántico. Esto permite que este tipo de láser pueda fabricarse para operar en longitudes de onda imposibles de obtenerse con la tecnología de láser semiconductor actual. Recientemente, los dispositivos basados en medios activos de punto cuántico están encontrando aplicaciones comerciales en la medicina (bisturí láser, tomografía de coherencia óptica), tecnologías de exhibición de imágenes (proyección, TV láser), espectroscopia y telecomunicaciones. Con esta tecnología, se ha desarrollado un láser de punto cuántico de hasta 10 Gbit/s para uso en y que es insensible a la fluctuación de temperatura. El láser es capaz de operar a alta velocidad en longitudes de onda de 1.3 μm, en un rango de temperaturas de entre 20 °C y 70 °C. Trabaja en sistemas ópticos de transmisión de datos, LANs ópticos y sistemas de Red de Área Metropolitana. En comparación al desempeño de los láseres de pozo cuántico tensado convencionales del pasado, el nuevo láser de punto cuántico alcanza una estabilidad ante la temperatura perceptiblemente más alta. (es)
- A quantum dot laser is a semiconductor laser that uses quantum dots as the active laser medium in its light emitting region. Due to the tight confinement of charge carriers in quantum dots, they exhibit an electronic structure similar to atoms. Lasers fabricated from such an active media exhibit device performance that is closer to gas lasers, and avoid some of the negative aspects of device performance associated with traditional semiconductor lasers based on bulk or quantum well active media. Improvements in modulation bandwidth, lasing threshold, relative intensity noise, linewidth enhancement factor and temperature insensitivity have all been observed. The quantum dot active region may also be engineered to operate at different wavelengths by varying dot size and composition. This allows quantum dot lasers to be fabricated to operate at wavelengths previously not possible using semiconductor laser technology. One challenge in the further advances with quantum dot lasers is the presence of multicarrier Auger processes which increases the nonradiative rate upon population inversion. Auger processes are intrinsic to the material but, in contrast to bulk semiconductors, they can be engineered to some degree in quantum dots at the cost of reducing the radiative rate. Another obstacle to the specific goal of electrically-pumped quantum dot lasing is the generally weak conductivity of quantum dot films. Devices based on quantum dot active media have found commercial application in medicine (laser scalpel, optical coherence tomography), display technologies (projection, laser TV), spectroscopy and telecommunications. A 10 Gbit/s quantum dot laser that is insensitive to temperature fluctuation for use in optical data communications and optical networks has been developed using this technology. The laser is capable of high-speed operation at 1.3 μm wavelengths, at temperatures from 20 °C to 70 °C. It works in optical data transmission systems, optical LANs and metro-access systems. In comparison to the performance of conventional strained quantum-well lasers of the past, the new quantum dot laser achieves significantly higher stability of temperature. Newer, so called "Comb lasers" based on quantum dot lasers have been found to be capable of operating at wavelengths of ≥ 80 nm and be unaffected by temperatures between -20 °C and 90 °C, and allow higher accuracy with reduced fluctuations and less relative intensity noise. In development are colloidal quantum dot lasers, which would use quantum confinement to change the optical properties of the semiconductor crystals (≤ 10 nm in diameter) through solution-based rearrangements of quantum dots. (en)
- 量子ドットレーザー（りょうしドットレーザー）は、量子ドットを備えるレーザー。 (ja)
- Лазер на квантовых точках — полупроводниковый лазер, который использует в качестве активной лазерной среды квантовые точки в их излучающей области. Из-за жёстких ограничений на передвижение носителей заряда в квантовых точках, они имеют электронную структуру, похожую на атомы. Лазеры, изготовленные на таких активных средах, обладают характеристиками, похожими на характеристики газовых лазеров, и в них удаётся избежать некоторых негативных аспектов устройств, которые имеются у традиционных полупроводниковых лазеров с активной средой на основе объёмных структур или на квантовых ямах. Наблюдается улучшение характеристик по полосе частот, порогу генерации, относительной интенсивности шума, увеличению ширины спектральной линии и нечувствительности к колебаниям температуры. Активную область квантовой точки можно также рассчитать для работы на различных длинах волн, изменяя размер и состав точки. Появилась возможность производить лазеры на квантовых точках для работы на таких длинах волн, на которых ранее сделать это не представлялось возможным с использованием прежних технологий полупроводниковых лазеров. В последнее время устройства с активными средами на основе квантовых точек находят коммерческое применение в медицине (лазерные скальпели, оптическая когерентная томография), технологии (проекционные устройства, лазерные телевизоры), спектроскопии и телекоммуникации. (ru)
|
| rdfs:comment
|
- 量子ドットレーザー（りょうしドットレーザー）は、量子ドットを備えるレーザー。 (ja)
- Un láser de punto cuántico es un láser semiconductor que usa puntos cuánticos como el medio activo en su región de emisión de luz. Debido al apretado confinamiento de los portadores de carga en los puntos cuánticos, exhiben una estructura electrónica similar a la de los átomos. Los láseres fabricados con medios tan activos exhiben un comportamiento bastante cercano a los , pero no presentan algunos de los inconvenientes asociados a los tradicionales láseres de semiconductores basados en medios activos sólidos o de pozo cuántico. Se han observado mejoras en la modulación de ancho de banda, umbral de excitación, ruido relativo de intensidad, factor de realce de ancho de línea y estabilidad con la temperatura. La región activa del punto cuántico puede diseñarse para operar con diferentes long (es)
- A quantum dot laser is a semiconductor laser that uses quantum dots as the active laser medium in its light emitting region. Due to the tight confinement of charge carriers in quantum dots, they exhibit an electronic structure similar to atoms. Lasers fabricated from such an active media exhibit device performance that is closer to gas lasers, and avoid some of the negative aspects of device performance associated with traditional semiconductor lasers based on bulk or quantum well active media. Improvements in modulation bandwidth, lasing threshold, relative intensity noise, linewidth enhancement factor and temperature insensitivity have all been observed. The quantum dot active region may also be engineered to operate at different wavelengths by varying dot size and composition. This allo (en)
- Лазер на квантовых точках — полупроводниковый лазер, который использует в качестве активной лазерной среды квантовые точки в их излучающей области. Из-за жёстких ограничений на передвижение носителей заряда в квантовых точках, они имеют электронную структуру, похожую на атомы. Лазеры, изготовленные на таких активных средах, обладают характеристиками, похожими на характеристики газовых лазеров, и в них удаётся избежать некоторых негативных аспектов устройств, которые имеются у традиционных полупроводниковых лазеров с активной средой на основе объёмных структур или на квантовых ямах. Наблюдается улучшение характеристик по полосе частот, порогу генерации, относительной интенсивности шума, увеличению ширины спектральной линии и нечувствительности к колебаниям температуры. Активную область кван (ru)
|
