| dbo:abstract
|
- التيار المحث بحزم ضوئية (بالإنجليزية : Optical beam-induced current) هي طريقة لتحليل أشباه الموصلات تتم باستخدام حقن إشارات ليزرية. هذه الطريقة تستخدم حزم ليزر لإنشاء أزواج من إلكترون/ثغرة إلكترون في عينة شبه الموصل. فعل ذلك يؤدي إلى حث تيار كهربائي يمكن تحليله لتحديد خصائص العينة، خاصة العيوب و الحيود. الطريقة الاعتيادية للتيار المحث بحزم ضوئية تمسح حزمة ليزرية سريعة جدًّا فوق سطح العينة، تستثار بعض الإلكترونات إلى نطاق التوصيل عبر ما يعرف بـ «امتصاص الفوتون الواحد». كما يدل الاسم فإن امتصاص الفوتون الواحد تعنى باستثارة إلكترون إلى التوصيل بواسطة فوتون واحد فقط. يمكن حدوث ذلك فقط إذا كان هذا الفوتون يحمل طاقة كافية تفوق فجوة النطاق الخاصة بشبه الموصل (1.12 eV للسيليكون) و يزود الإلكترون بطاقة كافية ليمكنه من الانتقال إلى نطاق التوصيل. (ar)
- Optical beam induced current (OBIC) is a semiconductor analysis technique performed using laser signal injection. The technique uses a scanning laser beam to create electron–hole pairs in a semiconductor sample. This induces a current which may be analyzed to determine the sample's properties, especially defects or anomalies. Conventional OBIC scans an ultrafast laser beam over the surface of the sample, exciting some electrons into the conduction band through what is known as 'single-photon absorption'. As its name implies, single-photon absorption involves just a single photon to excite the electron into conduction. This can only occur if that single photon carries enough energy to overcome the band gap of the semiconductor (1.12 eV for Si) and provide the electron with enough energy to make it jump into the conduction band. (en)
- La corrente indotta da fascio ottico (optical beam induced current) è una tecnica di analisi dei semiconduttori che utilizza un fascio laser scandito per indurre una corrente al loro interno: di fatto, la scansione del fascio laser produce copie elettroni-cavità nel campione del semiconduttore. Questa tecnica viene usata nell'analisi dei guasti dei semiconduttori per individuare regioni occultate di diffusione, giunzioni danneggiate e cortocircuiti nell'ossido isolante delle porte (gate). (it)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 2860 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- La corrente indotta da fascio ottico (optical beam induced current) è una tecnica di analisi dei semiconduttori che utilizza un fascio laser scandito per indurre una corrente al loro interno: di fatto, la scansione del fascio laser produce copie elettroni-cavità nel campione del semiconduttore. Questa tecnica viene usata nell'analisi dei guasti dei semiconduttori per individuare regioni occultate di diffusione, giunzioni danneggiate e cortocircuiti nell'ossido isolante delle porte (gate). (it)
- التيار المحث بحزم ضوئية (بالإنجليزية : Optical beam-induced current) هي طريقة لتحليل أشباه الموصلات تتم باستخدام حقن إشارات ليزرية. هذه الطريقة تستخدم حزم ليزر لإنشاء أزواج من إلكترون/ثغرة إلكترون في عينة شبه الموصل. فعل ذلك يؤدي إلى حث تيار كهربائي يمكن تحليله لتحديد خصائص العينة، خاصة العيوب و الحيود. (ar)
- Optical beam induced current (OBIC) is a semiconductor analysis technique performed using laser signal injection. The technique uses a scanning laser beam to create electron–hole pairs in a semiconductor sample. This induces a current which may be analyzed to determine the sample's properties, especially defects or anomalies. (en)
|
| rdfs:label
|
- التيار المحث بحزم ضوئية (ar)
- Corrente indotta da fascio ottico (it)
- Optical beam-induced current (en)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
