| dbo:abstract
|
- زرنيخيد إنديوم ثلاثي (بالإنجليزية: Indium arsenide) مركب كيميائي له الصيغة InAs، ويكون على شكل بلورات رمادية، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الزرنيخ والإنديوم. (ar)
- Indiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern. (de)
- Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a narrow-bandgap semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C. Indium arsenide is similar in properties to gallium arsenide and is a direct bandgap material, with a bandgap of 0.35 eV at room temperature. Indium arsenide is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1–3.8 µm. The detectors are usually photovoltaic photodiodes. Cryogenically cooled detectors have lower noise, but InAs detectors can be used in higher-power applications at room temperature as well. Indium arsenide is also used for making of diode lasers. InAs is well known for its high electron mobility and narrow energy bandgap. It is widely used as terahertz radiation source as it is a strong photo-Dember emitter. The optoelectronic properties and phonon vibrations are slightly changed under the effect of temperature over the range form 0 K to 500 K., while the change is quite significant under the effect of pressure, for example InAs converted from a direct band gap semiconductor to an indirect band gap semiconductor. (en)
- El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico. Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm. Debido a la alta (del orden de 40 000 cm2/(V*s)) y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz. También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes. (es)
- L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de 942 °C. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium. Ses propriétés en sont assez proches, et comme celui-ci, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement. L'arséniure d'indium est parfois utilisé en combinaison avec le phosphure d'indium (InP). Les alliages avec l'arséniure de gallium (GaAs) forment un semi-conducteur ternaire, l'arséniure d'indium-gallium (InGaAs), dont le gap dépend du ratio In/Ga. La différence de paramètre de maille entre l'arséniure d'indium et le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium est cependant suffisante pour former des boîtes quantiques (quantum dots) : lors du dépôt d'une monocouche d'InAs sur un substrat d'InP ou de GaAs, en raison des tensions qui se forment à cause de cette différence de paramètre de maille, l'arséniure d'indium se réorganise en « nano-îles » formant à la surface d'InP ou de GaAs des boîtes quantiques. Il est également possible de former des boîtes quantiques dans l'arséniure d'indium-gallium ou dans l'arséniure d'aluminium-gallium. (fr)
- ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmのの製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズは低くなるが、InAs検出器は室温で高出力でも使うことができる。また、InAsは半導体レーザーにも用いられている。 ヒ化インジウムはヒ化ガリウムと似て直接遷移金属である。リン化インジウムとともに用いられることもある。ヒ化ガリウムと合金を作り、ヒ化インジウムガリウムとなる。バンドギャップはIn/Ga比に依存し、窒化インジウムと窒化ガリウムから窒化インジウムガリウムの合金を作るのと同じ方法で作られる。 ヒ化インジウムは、電子の高い運動性と狭いエネルギーバンドギャップで知られている。テラヘルツの放射源として広く用いられている。 リン化インジウムやヒ化ガリウム上のヒ化インジウムの単一層は、量子ドットを形成しうる。素材の格子定数のミスマッチが表面の層に緊張を作り出し、これが量子ドットを作り出す。ヒ化インジウムガリウム中でも、ヒ化ガリウムマトリックス中のヒ化インジウムのドットとして量子ドットが形成される。 (ja)
- L'arseniuro di indio, o monoarseniuro di indio, è un semiconduttore composto da indio e arsenico con formula chimica InAs. Ha l'aspetto di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 °C. (it)
- Арсени́д и́ндия, — бинарное неорганическое соединение индия и мышьяка. Химическая формула соединения InAs. Кристаллизуется в структуре типа сфалерита. Является прямозонным полупроводник, относящимся к полупроводникам группы AIIIBV. При 300 К имеет ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ. Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов. Также, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах. Ввиду низкой ширины запрещённой зоны, большинство полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала работают только при криогенных или очень низких температурах. (ru)
- 砷化铟是一种无机化合物，化学式InAs，是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体，熔点942 °C。 (zh)
- Арсені́д індію (InAs) — кристалічна речовина, сполука індію з арсеном. Прямозонний напівпровідник, володіє дуже малою шириною забороненої зони (0.354 еВ при 300 K). (uk)
|
| dbo:alternativeName
| |
| dbo:iupacName
|
- Indium(III) arsenide (en)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 7787 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:imagefile
|
- Sphalerite-unit-cell-3D-balls.png (en)
- Indium arsenide.jpg (en)
|
| dbp:iupacname
| |
| dbp:othernames
| |
| dbp:verifiedrevid
| |
| dbp:watchedfields
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- زرنيخيد إنديوم ثلاثي (بالإنجليزية: Indium arsenide) مركب كيميائي له الصيغة InAs، ويكون على شكل بلورات رمادية، وهي عبارة عن مادة نصف ناقلة تتألف من الزرنيخ والإنديوم. (ar)
- Indiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern. (de)
- El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico. Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm. Debido a la alta (del orden de 40 000 cm2/(V*s)) y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz. También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes. (es)
- ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmのの製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズは低くなるが、InAs検出器は室温で高出力でも使うことができる。また、InAsは半導体レーザーにも用いられている。 ヒ化インジウムはヒ化ガリウムと似て直接遷移金属である。リン化インジウムとともに用いられることもある。ヒ化ガリウムと合金を作り、ヒ化インジウムガリウムとなる。バンドギャップはIn/Ga比に依存し、窒化インジウムと窒化ガリウムから窒化インジウムガリウムの合金を作るのと同じ方法で作られる。 ヒ化インジウムは、電子の高い運動性と狭いエネルギーバンドギャップで知られている。テラヘルツの放射源として広く用いられている。 リン化インジウムやヒ化ガリウム上のヒ化インジウムの単一層は、量子ドットを形成しうる。素材の格子定数のミスマッチが表面の層に緊張を作り出し、これが量子ドットを作り出す。ヒ化インジウムガリウム中でも、ヒ化ガリウムマトリックス中のヒ化インジウムのドットとして量子ドットが形成される。 (ja)
- L'arseniuro di indio, o monoarseniuro di indio, è un semiconduttore composto da indio e arsenico con formula chimica InAs. Ha l'aspetto di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 °C. (it)
- 砷化铟是一种无机化合物，化学式InAs，是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体，熔点942 °C。 (zh)
- Арсені́д індію (InAs) — кристалічна речовина, сполука індію з арсеном. Прямозонний напівпровідник, володіє дуже малою шириною забороненої зони (0.354 еВ при 300 K). (uk)
- Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a narrow-bandgap semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C. Indium arsenide is similar in properties to gallium arsenide and is a direct bandgap material, with a bandgap of 0.35 eV at room temperature. InAs is well known for its high electron mobility and narrow energy bandgap. It is widely used as terahertz radiation source as it is a strong photo-Dember emitter. (en)
- L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de 942 °C. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium. Ses propriétés en sont assez proches, et comme celui-ci, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement. (fr)
- Арсени́д и́ндия, — бинарное неорганическое соединение индия и мышьяка. Химическая формула соединения InAs. Кристаллизуется в структуре типа сфалерита. Является прямозонным полупроводник, относящимся к полупроводникам группы AIIIBV. При 300 К имеет ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ. Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов. Также, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах. (ru)
|
| rdfs:label
|
- زرنيخيد إنديوم ثلاثي (ar)
- Arsenur d'indi (ca)
- Indiumarsenid (de)
- Arseniuro de indio (es)
- Indium arsenide (en)
- Arseniuro di indio (it)
- Arséniure d'indium (fr)
- ヒ化インジウム (ja)
- Indiumarsenide (nl)
- Арсенид индия (ru)
- Арсенід індію (uk)
- 砷化铟 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
