| dbo:abstract
|
- Der Heterojunction Bipolar Transistor (engl., HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang« bzw. »Heteroübergangs-Bipolartransistor«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emitter- bzw. Kollektormaterial anders als das der Basismaterial gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur. Er entspricht damit der bipolaren Ausführung eines High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT). Der HBT weist durch seine Heterostruktur eine sehr hohe Transitfrequenz auf und findet daher vor allem in Hochfrequenzschaltungen wie beispielsweise Sendeverstärkern Anwendung. Die Idee statt nur eines homogenen Halbleitermaterials unterschiedliche Materialien in einem Transistor einzusetzen geht auf William Shockley aus 1951 zurück. Die theoretische Ausarbeitung und Funktionsbeschreibung des Heteroübergangs-Bipolartransistors wurde 1957 von Herbert Kroemer entwickelt, welcher für seine Arbeiten zu Heterostrukturen im Jahr 2000 den Nobelpreis für Physik erhielt. (de)
- The heterojunction bipolar transistor (HBT) is a type of bipolar junction transistor (BJT) which uses differing semiconductor materials for the emitter and base regions, creating a heterojunction. The HBT improves on the BJT in that it can handle signals of very high frequencies, up to several hundred GHz. It is commonly used in modern ultrafast circuits, mostly radio frequency (RF) systems, and in applications requiring a high power efficiency, such as RF power amplifiers in cellular phones. The idea of employing a heterojunction is as old as the conventional BJT, dating back to a patent from 1951. Detailed theory of heterojunction bipolar transistor was developed by Herbert Kroemer in 1957. (en)
- ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (Heterojunction Bipolar Transistor) は、へテロ接合の隣りにベース構造を有するバイポーラジャンクショントランジスタ (BJT) のことで、英語の単語の頭文字をとってHBT（エイチビーティー）と呼ばれる。ヘテロ構造の効果により、バイポーラトランジスタに比べ、電流増幅率を落とさずに動作速度が向上することができ、最高で500GHz以上で動作する超高速トランジスタの構造の名称である。構造的にはベース層の片側のみをヘテロ構造にしたSHBTと両側をヘテロ接合にしたDHBTなどがある。 (ja)
- HBT (ang. Heterojunction Bipolar Transistor – heterozłączowy tranzystor bipolarny) – jest rozszerzeniem tranzystora BJT mogącym obsługiwać sygnały bardzo dużych częstotliwości, rzędu setek GHz. HBT występuje powszechnie w nowoczesnych urządzeniach działających na paśmie radiowym. Obszary bazy i emitera są wykonane z różnych materiałów półprzewodnikowych (tzw. heterozłącze), tak aby uzyskać większą niż w klasycznym tranzystorze bipolarnym BJT sprawność wstrzykiwania, co oznacza większe wzmocnienie oraz szerokopasmowość. Jego zaletami są też większa dopuszczalna moc i mniejsze szumy typu "1/f". (pl)
- 异质结双极性晶体管（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是双极性晶体管的一种，它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结（即发射区和基区之间的PN结）就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率，可以在高达数百GHz的信号下工作。它在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。对异质结双极型晶体管的研究始于1951年。 (zh)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 6339 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:date
| |
| dbp:title
| |
| dbp:url
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- The heterojunction bipolar transistor (HBT) is a type of bipolar junction transistor (BJT) which uses differing semiconductor materials for the emitter and base regions, creating a heterojunction. The HBT improves on the BJT in that it can handle signals of very high frequencies, up to several hundred GHz. It is commonly used in modern ultrafast circuits, mostly radio frequency (RF) systems, and in applications requiring a high power efficiency, such as RF power amplifiers in cellular phones. The idea of employing a heterojunction is as old as the conventional BJT, dating back to a patent from 1951. Detailed theory of heterojunction bipolar transistor was developed by Herbert Kroemer in 1957. (en)
- ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (Heterojunction Bipolar Transistor) は、へテロ接合の隣りにベース構造を有するバイポーラジャンクショントランジスタ (BJT) のことで、英語の単語の頭文字をとってHBT（エイチビーティー）と呼ばれる。ヘテロ構造の効果により、バイポーラトランジスタに比べ、電流増幅率を落とさずに動作速度が向上することができ、最高で500GHz以上で動作する超高速トランジスタの構造の名称である。構造的にはベース層の片側のみをヘテロ構造にしたSHBTと両側をヘテロ接合にしたDHBTなどがある。 (ja)
- HBT (ang. Heterojunction Bipolar Transistor – heterozłączowy tranzystor bipolarny) – jest rozszerzeniem tranzystora BJT mogącym obsługiwać sygnały bardzo dużych częstotliwości, rzędu setek GHz. HBT występuje powszechnie w nowoczesnych urządzeniach działających na paśmie radiowym. Obszary bazy i emitera są wykonane z różnych materiałów półprzewodnikowych (tzw. heterozłącze), tak aby uzyskać większą niż w klasycznym tranzystorze bipolarnym BJT sprawność wstrzykiwania, co oznacza większe wzmocnienie oraz szerokopasmowość. Jego zaletami są też większa dopuszczalna moc i mniejsze szumy typu "1/f". (pl)
- 异质结双极性晶体管（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是双极性晶体管的一种，它的发射区和基区使用了不同的半导体材料，这样，发射结（即发射区和基区之间的PN结）就形成了一个异质结。异质结双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率，可以在高达数百GHz的信号下工作。它在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。对异质结双极型晶体管的研究始于1951年。 (zh)
- Der Heterojunction Bipolar Transistor (engl., HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang« bzw. »Heteroübergangs-Bipolartransistor«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emitter- bzw. Kollektormaterial anders als das der Basismaterial gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur. Er entspricht damit der bipolaren Ausführung eines High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT). Der HBT weist durch seine Heterostruktur eine sehr hohe Transitfrequenz auf und findet daher vor allem in Hochfrequenzschaltungen wie beispielsweise Sendeverstärkern Anwendung. (de)
|
| rdfs:label
|
- Transistor bipolar d'heterounió (ca)
- Heterojunction bipolar transistor (de)
- Heterojunction bipolar transistor (en)
- HBT (ja)
- HBT (pl)
- 异质结双极性晶体管 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:knownFor
of | |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is dbp:knownFor
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
