| dbo:abstract
|
- فوسفيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaP ، ويكون على شكل بلورات برتقالية . (ar)
- Galliumphosphid ist eine binäre Halbleiterverbindung aus Gallium und Phosphor. Es wird seit den 1960er-Jahren als Material für rote, orange und grüne Leuchtdioden verwendet. Schwefel oder Tellur werden zur Dotierung benutzt, um Galliumphosphid in einen n-Typ-Halbleiter, Zink, um es in einen p-Typ-Halbleiter zu verwandeln. Reine GaP-LEDs emittieren grünes Licht mit einer Wellenlänge von 555 nm. Stickstoff-dotiertes GaP emittiert gelb-grün (565 nm), Zinkoxid-dotiertes GaP rot (700 nm). (de)
- Gallium phosphide (GaP), a phosphide of gallium, is a compound semiconductor material with an indirect band gap of 2.24 eV at room temperature. Impure polycrystalline material has the appearance of pale orange or grayish pieces. Undoped single crystals are orange, but strongly doped wafers appear darker due to free-carrier absorption. It is odorless and insoluble in water. GaP has a microhardness of 9450 N/mm2, a Debye temperature of 446 K (173 °C), and a thermal expansion coefficient of 5.3 ×10−6 K−1 at room temperature. Sulfur, silicon or tellurium are used as dopants to produce n-type semiconductors. Zinc is used as a dopant for the p-type semiconductor. Gallium phosphide has applications in optical systems. Its static dielectric constant is 11.1 at room temperature. Its refractive index varies between ~3.2 and 5.0 across the visible range, which is higher than in most other semiconducting materials. In its transparent range, its index is higher than almost any other transparent material, including gemstones such as diamond, or non-oxide lenses such as zinc sulfide. (en)
- Le phosphure de gallium, GaP, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé de phosphore et de gallium. (fr)
- リン化ガリウム（リンかガリウム、GaP、gallium phosphide）は、ガリウムのリン化物で、2.26 eV（300 K）の間接バンドギャップを持つ化合物半導体である。 (ja)
- Fosforek galu (GaP) – nieorganiczny związek chemiczny galu i fosforu, półprzewodnik. Diody elektroluminescencyjne wykonane z czystego fosforku galu emitują zielone światło o długości fali 555 nm. (pl)
- Фосфід галію (GaP) — непрямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 2,26 еВ, на вигляд блідо помаранчева речовина, безколірна й нерозчинна у воді, що використовується здебільшого для виробництва червоних, оранжевих та зелених світлодіодів. Фосфід галію має кристалічну структуру типу цинкової обманки. Для отримання провідності n-типу зазвичай використовується легування сульфуром та телуром, а для отримання провідності p-типу — цинком. (uk)
- Фосфи́д га́ллия (химическая формула GaP) — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и фосфора. При нормальных условиях оранжево-жёлтые кристаллы. Непрямозонный полупроводник из класса AIIIBV с шириной запрещённой зоны 2,27 эВ (при 300 ). Используется для изготовления светодиодов зелёного, жёлтого и красного цветов излучения. (ru)
- 磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。 若要變成N型半導體，需要掺杂硫或是碲，若要製作P型半導體，需要掺杂鋅。 磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30，波長550 nm (green)時為3.45，波長840 nm(IR)時為3.19。 (zh)
|
| dbo:alternativeName
|
- gallanylidynephosphane (en)
- Gallium(III) phosphide (en)
|
| dbo:iupacName
| |
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 6978 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:imagecaption
|
- GaP ingots (en)
- GaP wafer (en)
|
| dbp:imagefile
|
- Sphalerite-unit-cell-3D-balls.png (en)
- GaP ingots.jpg (en)
- GaP-wafer.jpg (en)
|
| dbp:iupacname
| |
| dbp:othernames
|
- Gallium phosphide (en)
- gallanylidynephosphane (en)
|
| dbp:verifiedrevid
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- فوسفيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaP ، ويكون على شكل بلورات برتقالية . (ar)
- Galliumphosphid ist eine binäre Halbleiterverbindung aus Gallium und Phosphor. Es wird seit den 1960er-Jahren als Material für rote, orange und grüne Leuchtdioden verwendet. Schwefel oder Tellur werden zur Dotierung benutzt, um Galliumphosphid in einen n-Typ-Halbleiter, Zink, um es in einen p-Typ-Halbleiter zu verwandeln. Reine GaP-LEDs emittieren grünes Licht mit einer Wellenlänge von 555 nm. Stickstoff-dotiertes GaP emittiert gelb-grün (565 nm), Zinkoxid-dotiertes GaP rot (700 nm). (de)
- Le phosphure de gallium, GaP, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé de phosphore et de gallium. (fr)
- リン化ガリウム（リンかガリウム、GaP、gallium phosphide）は、ガリウムのリン化物で、2.26 eV（300 K）の間接バンドギャップを持つ化合物半導体である。 (ja)
- Fosforek galu (GaP) – nieorganiczny związek chemiczny galu i fosforu, półprzewodnik. Diody elektroluminescencyjne wykonane z czystego fosforku galu emitują zielone światło o długości fali 555 nm. (pl)
- Фосфід галію (GaP) — непрямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 2,26 еВ, на вигляд блідо помаранчева речовина, безколірна й нерозчинна у воді, що використовується здебільшого для виробництва червоних, оранжевих та зелених світлодіодів. Фосфід галію має кристалічну структуру типу цинкової обманки. Для отримання провідності n-типу зазвичай використовується легування сульфуром та телуром, а для отримання провідності p-типу — цинком. (uk)
- Фосфи́д га́ллия (химическая формула GaP) — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и фосфора. При нормальных условиях оранжево-жёлтые кристаллы. Непрямозонный полупроводник из класса AIIIBV с шириной запрещённой зоны 2,27 эВ (при 300 ). Используется для изготовления светодиодов зелёного, жёлтого и красного цветов излучения. (ru)
- 磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。 若要變成N型半導體，需要掺杂硫或是碲，若要製作P型半導體，需要掺杂鋅。 磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30，波長550 nm (green)時為3.45，波長840 nm(IR)時為3.19。 (zh)
- Gallium phosphide (GaP), a phosphide of gallium, is a compound semiconductor material with an indirect band gap of 2.24 eV at room temperature. Impure polycrystalline material has the appearance of pale orange or grayish pieces. Undoped single crystals are orange, but strongly doped wafers appear darker due to free-carrier absorption. It is odorless and insoluble in water. (en)
|
| rdfs:label
|
- فوسفيد الغاليوم (ar)
- Fosfur de gal·li (ca)
- Galliumphosphid (de)
- Gallium phosphide (en)
- Phosphure de gallium (fr)
- リン化ガリウム (ja)
- Fosforek galu (pl)
- Gallium(III)fosfide (nl)
- Фосфид галлия (ru)
- Фосфід галію (uk)
- 磷化鎵 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
