| dbo:abstract
|
- يستخدم المصطلح مانح (بالإنجليزية: Donor) في فيزياء أشباه الموصلات للدلالة على ذرة مُطعِّمة حينما تضاف إلى شبه موصل تكوّن منطقة من النوع السالب (بالإنجليزية: n-type).على سبيل المثال، السيليكون لديه أربع إلكترونات تكافؤ في ذرته، فعندما نريد أن نصنع شبه موصل من النوع السالب نطعمه بمواد من المجموعة الخامسة مثل الفوسفور أو الزرنيخ والتي لديها خمسة إلكترونات تكافؤ. يسمى الفوسفور أو الزرنيخ في هذه الحالة مادة مانحة أو مانح . تقوم هذه المادة مثل الفوسفور بتكوٌين أربع روابط تساهمية مع السيليكون ولكن يتبقى إلكترون خامس لدي الفسفور يتحرك بحرٌية في البناء البلوري لمادة السيليكون ؛ ويسمي هذا الإلكترون حامل الشحنة الكهربائية. (ar)
- In semiconductor physics, a donor is a dopant atom that, when added to a semiconductor, can form a n-type region. For example, when silicon (Si), having four valence electrons, is to be doped as a n-type semiconductor, elements from group V like phosphorus (P) or arsenic (As) can be used because they have five valence electrons. A dopant with five valence electrons is also called a pentavalent impurity. Other pentavalent dopants are antimony (Sb) and bismuth (Bi). When substituting a Si atom in the crystal lattice, four of the valence electrons of phosphorus form covalent bonds with the neighbouring Si atoms but the fifth one remains weakly bonded. If that electron is liberated, the initially electro-neutral donor becomes positively charged (ionised). At room temperature, the liberated electron can move around the Si crystal and carry a current, thus acting as a charge carrier. (en)
- Erdieroaleen fisikan, emaile edo elektroi-emaile ezpurutasun atomo bat da zeinak n motako eskualdea osa bait dezake erdieroale puru bati gehitzen zaionean. Adibidez, silizioa (Si), lau balentzia elektroi dituela, n motako erdieroale gisa dopatu behar denean, fosforoa (P) edo artsenikoa (As) bezalako V taldeko elementuak erabil daitezke bost balentzia elektroi dituztelako. Bost balentzia elektroi dituen atomo bati ezpurutasun pentabalentea ere deitzen zaio. Beste ezpurutasun pentabalenteak antimonioa (Sb) eta bismutoa (Bi) dira. Kristal sarean Si atomo bat ordezkatzean, fosforoaren balentzia elektroietatik lauk lotura kobalenteak osatzen dituzte inguruko Si atomoekin; baina, bosgarrenak oso ahul lotuta gelditzen da. Elektroi hori askatzen bada, hasieran neutroa zen atomo emailea positiboki kargatuta (ionizatua) gelditzen da. Giro tenperaturan, askatutako elektroia Si kristalaren zehar mugi daiteke eta korronte bati erakarpena eman diezaioke, horrela karga eramaile gisa jokatuz. (eu)
- Kotoran donor adalah suatu (unsur yang mempunyai 5 elektron valensi) yang dipakai untuk mengotori sehingga menjadi . Setiap atom kotoran donor membentuk empat ikatan kovalen dengan empat atom semikonduktor di sampingnya, menyisakan elektron kelima yang terikat lemah dan mudah berpindah jika ada medan listrik yang dikenakan. Elektron-elektron yang dimasukkan untuk mengotori semikonduktor murni dengan kotoran donor membuat tipe-N ini resistivitasnya rendah. Taraf pengotoran yang umum dalam semikonduktor adalah 0,01 ppm. Kotoran donor yang banyak dipakai adalah fosfor, arsen, dan antimon. (in)
- Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) — примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают и . Например, в кристаллах элементов IV группы периодической системы элементов (кремнии, германии) однозарядными донорами являются элементы V группы: фосфор, мышьяк, сурьма. Так как элементы пятой группы обладают валентностью 5, то четыре электрона образуют химическую связь с четырьмя соседними атомами кремния в решётке, а пятый электрон оказывается слабо связанным (энергия связи порядка нескольких сотых электрон-вольта) и образует так называемый , энергию которого просто оценить из решения уравнения Шрёдингера для атома водорода, принимая во внимание, что электрон в кристалле — квазичастица и его эффективная масса отличается от массы электрона, а также, что электрон движется не в вакууме, а в среде с некой (порядка 10) диэлектрической проницаемостью. Атомы донорных примесей, которые вводятся в полупроводник и отдают ему один или несколько электронов, создают избыток электронов и формируют так называемый полупроводник n-типа. Атом донора удерживает лишний электрон слабо, и при достаточной температуре этот электрон может перейти в зону проводимости и участвовать в электропроводности кристалла. Дополнительный электрон, связанный с атомом донора, образует так называемый донорный уровень в запрещенной зоне. Донорный уровень называется мелким, если его энергия (отсчитываемая от дна зоны проводимости) сравнима с характерной энергией теплового движения при комнатной температуре , где — температура, а — постоянная Больцмана. Эта энергия составляет примерно 26 мэВ. Мелкими донорами могут быть не только примесные атомы, но и комплексы структурных дефектов (например т. н. в кремнии). Многие примеси и точечные дефекты, (например золото и медь в кремнии, вакансии, являются глубокими донорами. В отличие от мелких доноров, они слабо влияют на , но существенно снижают время жизни неравновесных носителей заряда. Лишний электрон притягивается кулоновской силой к иону донора, который имеет избыточный положительный заряд по сравнению с атомами полупроводника. Вследствие такого притяжения донорные уровни образуют водородоподобную серию с энергиями, которые можно рассчитать по формуле где — энергия донорного уровня, — энергия дна зоны проводимости, — постоянная Ридберга (примерно 13,6 эВ), — эффективная масса электрона, — масса свободного электрона, — диэлектрическая проницаемость полупроводника, а n — целое число, которое может принимать значения от единицы до бесконечности, но практически важны лишь несколько самых низких уровней с малыми n. Благодаря тому обстоятельству, что эффективные массы электронов в полупроводниках малы, а диэлектрические проницаемости довольно большие (порядка 10), энергия донорных уровней мала, а радиусы локализации соответствующих волновых функций довольно большие ~10нм, распространяются на несколько периодов кристаллической решетки. (ru)
- 施主（英語：donor）又稱施子、施体、施主雜質，是N型半導體中所摻雜入的五價原子，如：磷、砷、銻。換句話說，本質半導體摻雜入施體元素後就會變成N型半導體。 (zh)
- Донором у фізиці напівпровідників та напівпровідниковій техніці, називають домішку, яка утворює негативно заряджений локалізований стан із енергією у забороненій зоні, тобто і може віддати електрон у зону провідності. Зазвичай цехімічний елемент, що додається до напівпроводника у невеликій кількості, утворюючи так званий «напівпроводник n-типу». Донор зазвичай є атомом хімічного елемента, який має надлишок валентних електронів порівняно з напівпровідником, до якого додається. Атом донора утримує зайвий електрон слабо, й при скінченній температурі цей електрон може перейти до зони провідності, делокалізуватися й вносити вклад у електричний струм. Додатковий електрон, зв'язаний із атомом донора, утворює так званий донорний рівень у забороненій зоні. Донорний рівень називається мілким, якщо його енергія (відрахована від дна зони провідності) порівняння із характерною енергією теплового руху при кімнатній температурі , де — температура, а — стала Больцмана. Ця енергія становить приблизно 26 меВ. Зайвий електрон притягається кулонівською силою до іона донора, який має надлишковий позитивний заряд в порівнянні з іонами основного провідника. Внаслідок такого притягання донорні рівні утворюють воднеподібну серію із енергіями, які можна обрахувати за формулою де — енергія донорного рівня, — енергія дна зони провідності, — стала Рідберга (приблизно 13,6 еВ), — ефективна маса електрона, — маса вільного електрона, — діелектрична проникність напівпровідника,а n — ціле число, яке може пробігати значення від одиниці до нескінченості, але практично важливі лише кілька найнижчих рівнів із малими n. Завдяки тій обставині, що ефективні маси електронів напівпровідниках малі, а діелектричні проникності доволі великі (порядка 10), енергія донорних рівнів мала, а радіуси локалізації відповідних хвильових функцій доволі великі, простягаючись на кілька періодів кристалічної ґратки. (uk)
|
| rdfs:comment
|
- يستخدم المصطلح مانح (بالإنجليزية: Donor) في فيزياء أشباه الموصلات للدلالة على ذرة مُطعِّمة حينما تضاف إلى شبه موصل تكوّن منطقة من النوع السالب (بالإنجليزية: n-type).على سبيل المثال، السيليكون لديه أربع إلكترونات تكافؤ في ذرته، فعندما نريد أن نصنع شبه موصل من النوع السالب نطعمه بمواد من المجموعة الخامسة مثل الفوسفور أو الزرنيخ والتي لديها خمسة إلكترونات تكافؤ. يسمى الفوسفور أو الزرنيخ في هذه الحالة مادة مانحة أو مانح . تقوم هذه المادة مثل الفوسفور بتكوٌين أربع روابط تساهمية مع السيليكون ولكن يتبقى إلكترون خامس لدي الفسفور يتحرك بحرٌية في البناء البلوري لمادة السيليكون ؛ ويسمي هذا الإلكترون حامل الشحنة الكهربائية. (ar)
- Kotoran donor adalah suatu (unsur yang mempunyai 5 elektron valensi) yang dipakai untuk mengotori sehingga menjadi . Setiap atom kotoran donor membentuk empat ikatan kovalen dengan empat atom semikonduktor di sampingnya, menyisakan elektron kelima yang terikat lemah dan mudah berpindah jika ada medan listrik yang dikenakan. Elektron-elektron yang dimasukkan untuk mengotori semikonduktor murni dengan kotoran donor membuat tipe-N ini resistivitasnya rendah. Taraf pengotoran yang umum dalam semikonduktor adalah 0,01 ppm. Kotoran donor yang banyak dipakai adalah fosfor, arsen, dan antimon. (in)
- 施主（英語：donor）又稱施子、施体、施主雜質，是N型半導體中所摻雜入的五價原子，如：磷、砷、銻。換句話說，本質半導體摻雜入施體元素後就會變成N型半導體。 (zh)
- In semiconductor physics, a donor is a dopant atom that, when added to a semiconductor, can form a n-type region. For example, when silicon (Si), having four valence electrons, is to be doped as a n-type semiconductor, elements from group V like phosphorus (P) or arsenic (As) can be used because they have five valence electrons. A dopant with five valence electrons is also called a pentavalent impurity. Other pentavalent dopants are antimony (Sb) and bismuth (Bi). (en)
- Erdieroaleen fisikan, emaile edo elektroi-emaile ezpurutasun atomo bat da zeinak n motako eskualdea osa bait dezake erdieroale puru bati gehitzen zaionean. Adibidez, silizioa (Si), lau balentzia elektroi dituela, n motako erdieroale gisa dopatu behar denean, fosforoa (P) edo artsenikoa (As) bezalako V taldeko elementuak erabil daitezke bost balentzia elektroi dituztelako. Bost balentzia elektroi dituen atomo bati ezpurutasun pentabalentea ere deitzen zaio. Beste ezpurutasun pentabalenteak antimonioa (Sb) eta bismutoa (Bi) dira. (eu)
- Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) — примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают и . Например, в кристаллах элементов IV группы периодической системы элементов (кремнии, германии) однозарядными донорами являются элементы V группы: фосфор, мышьяк, сурьма. Так как элементы пятой группы обладают валентностью 5, то четыре электрона образуют химическую связь с четырьмя соседними атомами кремния в решётке, а пятый электрон оказывается слабо связанным (энергия связи порядка нескольких сотых электрон-вольта) и образует так называемый , энергию которого просто оценить из решения уравнения Шрёдингера для атома водорода, принимая во внимание, что электрон в кристалле — квазичастица и его эффективная масса отли (ru)
- Донором у фізиці напівпровідників та напівпровідниковій техніці, називають домішку, яка утворює негативно заряджений локалізований стан із енергією у забороненій зоні, тобто і може віддати електрон у зону провідності. Зазвичай цехімічний елемент, що додається до напівпроводника у невеликій кількості, утворюючи так званий «напівпроводник n-типу». (uk)
|
