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- نتريد الألمنيوم والغاليوم (AlGaN) هي مادة شبه موصلة، وهي سبيكة من نتريد الألومنيوم ونتريد الغاليوم. تستخدم في صناعة الديودات المشعة للضوء التي تعمل من مجال الأزرق إلى فوق البنفسجي. (ar)
- Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN AlxGa1-xN) ist eine Legierung aus Aluminiumnitrid (AlN) und Galliumnitrid (GaN) und zählt zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter. Die Legierung dient als Werkstoff zur Herstellung von Leuchtdioden (LED) vom sichtbaren grünen Farbbereich bis zum UV-C-Bereich mit Wellenlängen knapp unter 250 nm. Die konkrete Wellenlänge wird im Rahmen der Herstellung durch Variation des Mischungsverhältnisses von Aluminiumnitrid zu Galliumnitrid eingestellt. Im Jahr 2016 zeigten Nakamura et al. eine grün emittierende LED-Entwicklung auf Basis von Al0.30Ga0.70N, die eine maximale Lichtausbeute von 239 lm/W bei ca. 525 nm hatte. Weitere Anwendung des III-V-Verbindungshalbleiters liegen als Werkstoff bei High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) als Detektor für ultraviolette Strahlung. Zur Bildung von Heteroübergängen in der Halbleitertechnik wird die Legierung Aluminiumgalliumnitrid gemeinsam mit den beiden Ausgangshalbleitern Aluminiumnitrid und Galliumnitrid eingesetzt. (de)
- Aluminium gallium nitride (AlGaN) is a semiconductor material. It is any alloy of aluminium nitride and gallium nitride. The bandgap of AlxGa1−xN can be tailored from 3.4eV (xAl=0) to 6.2eV (xAl=1). AlGaN is used to manufacture light-emitting diodes operating in blue to ultraviolet region, where wavelengths down to 250 nm (far UV) were achieved, and some reports down to 222 nm. It is also used in blue semiconductor lasers. It is also used in detectors of ultraviolet radiation, and in AlGaN/GaN High-electron-mobility transistors. AlGaN is often used together with gallium nitride or aluminium nitride, forming heterojunctions. AlGaN layers are commonly grown on Gallium nitride, on sapphire or (111) Si, almost always with additional GaN layers. (en)
- Le nitrure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xN) est un matériau semi-conducteur ternaire, alliage de nitrure d'aluminium et de nitrure de gallium. Son gap est direct, ce qui le rend utile pour des applications en opto-électronique, variant entre 3,43 et 6,2eV à température ambiante, dépendant du ratio aluminium/gallium. L'AlGaN est utilisé pour fabriquer des diodes électroluminescentes fonctionnant dans la région du bleu à l'ultraviolet, des longueurs d'onde jusqu'à 250 nm (UV lointain) ont été atteintes. Il est également utilisé dans les lasers à semi-conducteur bleus, dans des photodétecteurs d'ultraviolet et dans les transistors HEMT AlGaN/GaN. L'AlGaN est souvent utilisé en association avec le nitrure de gallium ou le nitrure d'aluminium pour former des hétérojonctions. Les couches d'AlGaN peuvent être formées sur du silicium, du saphir ou encore du carbure de silicium. (fr)
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- نتريد الألمنيوم والغاليوم (AlGaN) هي مادة شبه موصلة، وهي سبيكة من نتريد الألومنيوم ونتريد الغاليوم. تستخدم في صناعة الديودات المشعة للضوء التي تعمل من مجال الأزرق إلى فوق البنفسجي. (ar)
- Aluminium gallium nitride (AlGaN) is a semiconductor material. It is any alloy of aluminium nitride and gallium nitride. The bandgap of AlxGa1−xN can be tailored from 3.4eV (xAl=0) to 6.2eV (xAl=1). AlGaN is used to manufacture light-emitting diodes operating in blue to ultraviolet region, where wavelengths down to 250 nm (far UV) were achieved, and some reports down to 222 nm. It is also used in blue semiconductor lasers. It is also used in detectors of ultraviolet radiation, and in AlGaN/GaN High-electron-mobility transistors. (en)
- Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN AlxGa1-xN) ist eine Legierung aus Aluminiumnitrid (AlN) und Galliumnitrid (GaN) und zählt zu der Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter. Die Legierung dient als Werkstoff zur Herstellung von Leuchtdioden (LED) vom sichtbaren grünen Farbbereich bis zum UV-C-Bereich mit Wellenlängen knapp unter 250 nm. Die konkrete Wellenlänge wird im Rahmen der Herstellung durch Variation des Mischungsverhältnisses von Aluminiumnitrid zu Galliumnitrid eingestellt. Im Jahr 2016 zeigten Nakamura et al. eine grün emittierende LED-Entwicklung auf Basis von Al0.30Ga0.70N, die eine maximale Lichtausbeute von 239 lm/W bei ca. 525 nm hatte. (de)
- Le nitrure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xN) est un matériau semi-conducteur ternaire, alliage de nitrure d'aluminium et de nitrure de gallium. Son gap est direct, ce qui le rend utile pour des applications en opto-électronique, variant entre 3,43 et 6,2eV à température ambiante, dépendant du ratio aluminium/gallium. L'AlGaN est souvent utilisé en association avec le nitrure de gallium ou le nitrure d'aluminium pour former des hétérojonctions. Les couches d'AlGaN peuvent être formées sur du silicium, du saphir ou encore du carbure de silicium. (fr)
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- نتريد الألومنيوم والغاليوم (ar)
- Aluminiumgalliumnitrid (de)
- Aluminium gallium nitride (en)
- Nitrure d'aluminium-gallium (fr)
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