| dbo:abstract
|
- An A-center is a type of crystallographic defect complex in silicon which consists of a vacancy defect and an impurity oxygen atom. In general, oxygen in silicon is interstitial, in which the oxygen atom breaks the covalent bond between two adjacent silicon atoms and is attached in the middle. A-centers - another type of defect, in which oxygen takes the place of the absent silicon atom, that is, it becomes a kind of replacement defect. The A-center is visible in infrared spectra with a wavelength of 12 μm. (en)
- Um centro A' é um tipo de defeito cristalográfico complexo em silício que consiste em um e uma impureza no átomo de oxigênio. Em geral, o oxigênio no silício é intersticial, no qual o átomo de oxigênio rompe a ligação covalente entre dois átomos de silício adjacentes e está preso no meio. Centro A é visível em espectros infravermelhos com um comprimento de onda de 12 μm. (pt)
- А-центр — дефектний комплекс у кремнії, який скадається із вакансії та домішкового атому кисню. Навіть в найчистішому кремнії кисень — основна домішка. В кристалі кремнію, вирощеному методом Чохральського, його концентрація зазвичай становить 1018 см−3. В кристалі кремнію, вирощеному методом зонної плавки концентрація кисню 1016 см−3. В основному кисень у кремнії займає міжвузлові положення, в яких атом кисню розриває ковалентний зв'язок між двома сусідніми атомами кремнію й прилаштовується посередині. А-центри — інший тип дефекту, в якому кисень займає місце відсутнього атома кремнію, тобто стає свого роду дефектом заміщення. А-центр проявляється в інфрачервоних спектрах лінією з довжиною хвилі 12 мкм. (uk)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 1622 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| rdfs:comment
|
- An A-center is a type of crystallographic defect complex in silicon which consists of a vacancy defect and an impurity oxygen atom. In general, oxygen in silicon is interstitial, in which the oxygen atom breaks the covalent bond between two adjacent silicon atoms and is attached in the middle. A-centers - another type of defect, in which oxygen takes the place of the absent silicon atom, that is, it becomes a kind of replacement defect. The A-center is visible in infrared spectra with a wavelength of 12 μm. (en)
- Um centro A' é um tipo de defeito cristalográfico complexo em silício que consiste em um e uma impureza no átomo de oxigênio. Em geral, o oxigênio no silício é intersticial, no qual o átomo de oxigênio rompe a ligação covalente entre dois átomos de silício adjacentes e está preso no meio. Centro A é visível em espectros infravermelhos com um comprimento de onda de 12 μm. (pt)
- А-центр — дефектний комплекс у кремнії, який скадається із вакансії та домішкового атому кисню. Навіть в найчистішому кремнії кисень — основна домішка. В кристалі кремнію, вирощеному методом Чохральського, його концентрація зазвичай становить 1018 см−3. В кристалі кремнію, вирощеному методом зонної плавки концентрація кисню 1016 см−3. В основному кисень у кремнії займає міжвузлові положення, в яких атом кисню розриває ковалентний зв'язок між двома сусідніми атомами кремнію й прилаштовується посередині. А-центри — інший тип дефекту, в якому кисень займає місце відсутнього атома кремнію, тобто стає свого роду дефектом заміщення. (uk)
|
| rdfs:label
|
- A-center (en)
- Centro-A (pt)
- A-центр (uk)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is foaf:primaryTopic
of | |
