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Rapid Thermal Processing Recuit thermique rapide ラピッドサーマルプロセス Rapid thermal processing
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Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes. Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird. ラピッドサーマルプロセス(Rapid thermal processing、RTP)とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温(1,000 °C以上)に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。
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ラピッドサーマルプロセス(Rapid thermal processing、RTP)とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温(1,000 °C以上)に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。 Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes. Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird.
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