This HTML5 document contains 224 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dahttp://da.dbpedia.org/resource/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
n47http://bn.dbpedia.org/resource/
dbpedia-svhttp://sv.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-bghttp://bg.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fihttp://fi.dbpedia.org/resource/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-shhttp://sh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ethttp://et.dbpedia.org/resource/
n4http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
n25https://web.archive.org/web/20120210214029/http:/web.ift.uib.no/~torheim/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
dbpedia-cshttp://cs.dbpedia.org/resource/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n13http://lv.dbpedia.org/resource/
n14http://d-nb.info/gnd/
n28http://dbpedia.org/resource/File:
dbphttp://dbpedia.org/property/
dbpedia-eohttp://eo.dbpedia.org/resource/
n48http://tg.dbpedia.org/resource/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-idhttp://id.dbpedia.org/resource/
n24https://web.archive.org/web/20090420084422/http:/ee.byu.edu/cleanroom/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
dbpedia-srhttp://sr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-pthttp://pt.dbpedia.org/resource/
dbpedia-huhttp://hu.dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbpedia-plhttp://pl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dbpedia-thhttp://th.dbpedia.org/resource/
n43https://www.youtube.com/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-rohttp://ro.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbpedia-nlhttp://nl.dbpedia.org/resource/
n30https://web.archive.org/web/20191215174504/https:/nanohub.org/
n45https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
n18http://hi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
n32https://web.archive.org/web/20110727112904/http:/nanohub.org/tools/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-nnhttp://nn.dbpedia.org/resource/
n36http://www.powerguru.org/2012/08/22/p-n-junction/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
dbpedia-behttp://be.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#

Statements

Subject Item
dbr:P–n_junction
rdf:type
yago:Tube104494204 yago:Diode103202940 yago:Transistor104471632 owl:Thing yago:PhysicalEntity100001930 yago:ElectronicDevice103277771 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:Whole100003553 yago:Artifact100021939 yago:WikicatTransistors yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Instrumentality103575240 yago:Object100002684 yago:WikicatDiodes yago:WikicatSemiconductorDevices
rdfs:label
Jonction p-n Złącze p-n Pn结 Junção PN PN 접합 PN přechod Giunzione p-n P–n junction PN-övergång P-n-перехід P-n-Übergang Pn-overgang Unión PN P-n-переход Pertemuan p-n وصلة الموجب والسالب Junto (elektro) Pn接合 Junció PN
rdfs:comment
P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor dan bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah: Een pn-overgang (ook p-n-overgang, PN-overgang of anders) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd (negatief) naar p-gedoteerd (positief) halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus). Deze overgang wordt aangeduid als junctie (Engels: junction). PN přechod je rozhraní polovodiče typu P a polovodiče typu N. PN přechod propouští elektrický proud pouze jedním směrem a je základem polovodičových součástek jako jsou diody a tranzistory, fotovoltaické články, svítivé LED a integrované obvody. Objev PN přechodu učinil v roce 1939 americký fyzik v Bellových laboratořích. V roce 1941 popsal sovětský fyzik objev PN přechodu na materiálu Cu2O a sulfidu stříbrném u fotobuňky a u selenových usměrňovačů. Schottkyho dioda používá speciální případ PN přechodu, kde polovodič typu P je nahrazen kovem. pn接合（pnせつごう、pn junction）とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。 A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. The "p" (positive) side contains an excess of holes, while the "n" (negative) side contains an excess of electrons in the outer shells of the electrically neutral atoms there. This allows electrical current to pass through the junction only in one direction. The p-n junction is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scatter Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico. Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica. p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других). P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있다. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋다. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 (depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 끌어당김에 의해 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다. 여기서 바이어스라는 말은 P-N접합에 전압을 걸어주는 것을 뜻한다. 전 작업자가 전도도가 떨어지는 영역이라고 표현했지만 이것은 결과적인 의미해석이고전기적인 장벽은 전자의 균일화 엔트로피때문에 일어난다. p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- таn-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого. Ця область характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. На властивостях p-n переходів ґрунтується робота напівпровідникових діодів, транзисторів та інших електронних елементів з нелінійною вольт-амперною характеристикою. En elektro, 'junto' estas kunigo de diversspecaj duonkonduktantoj: pn-junto (p =pozitivaregiono, n = negativa regiono) formas diodon; duo da juntoj npn aŭ pnp farastransistoron. * * * * Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.So wirkt ein p-n-Übergang wie ein „Stromventil“, welches beispielsweise bei Einkristall-Halbleiterdioden eingesetzt wird und angelegten Strom sperrt (Sperrzustand) oder durchlässt (Durchlasszustand). 一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面间有一个过渡层，稱為pn结、p-n结、pn接面（p-n junction）。pn结是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。 وصلة الموجب والسالب ووصلة بي إن والوصلة الثنائية (بالإنجليزية: P-N Junction)‏: يتألف من رقاقتين من شبه موصل، الرقاقة الأولى n تكون بنيتها غنية باللإلكترونات (سالبة) والرقاقة الثانية p تكون خاصية بنيتها غنية بالفجوات (موجبة). يتم تصنيعهما بعملية تسمى تشويب حيث نًدخل مادة مشوبة مناسبة في بنية شبه موصل مثل السيليكون، فينتج «النوع إن» و «النوع بي». عند وصل الرقاقتين تتشكل (منطقة عزل) بين الرقاقتين ويتكون لدينا صمام ثنائي Diode. تكتسب الوصلة أهميتها من أنها حجر الأساس في صنع الثنائي والخلايا الشمسية والمقحل زوجي الأقطاب، والثنائي الضوئي، والثنائي المشع ، والمقداح والترياك وغيرها. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique courant-tension de la jonction est fortement non linéaire : c'est Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos , un de tipus N i un altre de tipus P. Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció. Es basa en la tecnologia del semiconductor. Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat , s'obtenen unes propietats elèctriques diferents que si se n'apliquen unes altres. Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n. W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w sieci krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim. Atomy domieszek są tu akceptorami. W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych. Obszar o mniejszej koncentracji domieszek znajdujący się pomiędzy kontaktem złącza a warstwą zubożoną nazywany jest bazą. Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino. Ou seja, não basta apenas colocar em contato íntimo os tipos de semicondutores, pois além da presença de impurezas e defeitos nas superfícies, existem também filmes de óxidos que cobrem essas superfícies, mudando totalmente a interface dos semicondutores. O diodo de junção é um elemento básico para quase todos os dispositivos semicondutores que usam uma junção P-N. En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden. Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente. La giunzione p-n è composta di due zone: una con un eccesso di lacune (strato p) e una con eccedenza di elettroni (strato n). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine giunzione fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento); in questo volume i portatori, rispettivamente del lato p e del lato n, di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, diffondono nel semiconduttore adiacente (generando una corrente di diffusione), lasciando n
rdfs:seeAlso
dbr:P–n_diode dbr:Band_bending
foaf:depiction
n4:PN_band.gif n4:Silicium-atomes.png n4:Pn-junction-equilibrium-graphs.png n4:Pn-junction-equilibrium.png n4:PN_Junction_in_Reverse_Bias.png n4:PN_diode_with_electrical_symbol.svg
dcterms:subject
dbc:Semiconductor_structures
dbo:wikiPageID
571755
dbo:wikiPageRevisionID
1120428010
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Donor_(semiconductors) dbr:Space_charge_region dbr:Schottky_diode dbr:Anode dbr:Micrometers dbr:Crystal dbr:Acceptor_(semiconductors) dbr:Electricity dbr:Photocell dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Metal–semiconductor_junction dbr:Ohmic_contact dbr:Alloy-junction_transistor dbr:Einstein_relation_(kinetic_theory) dbr:Electrical_conductivity dbr:Solar_cell dbr:Grain_boundary dbr:Ion_implantation dbr:N–p–n_transistor dbr:Boltzmann_constant dbr:Delocalized_electron dbr:Electron dbr:Electron_hole dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Electric_potential dbr:Depletion_zone dbr:Zener_breakdown dbr:Electric_field dbr:Transistor dbr:Diode_modelling dbr:Shockley_diode_equation dbr:Vadim_Lashkaryov dbr:Diode dbr:Charge_carrier n28:Silicium-atomes.png dbr:Depletion_layer dbr:Permittivity dbr:Transistor–transistor_logic dbr:Dopant dbr:Bell_Labs dbr:Atom dbr:Field-effect_transistor dbr:Fermi_energy dbr:Avalanche_breakdown dbr:Shockley_ideal_diode_equation dbr:Non-rectifying_junction dbr:Deep-level_transient_spectroscopy dbr:Semiconductor_device n28:Pn-junction-equilibrium-graphs.png dbr:Depletion_region dbr:Charge_density dbr:Forward_bias dbr:P–n–p_transistor n28:Pn-junction-equilibrium.png dbr:Scattering dbr:N-type_semiconductor dbr:Kirchhoff's_current_law dbr:Cathode n28:PN_Junction_in_Reverse_Bias.png dbc:Semiconductor_structures n28:PN_diode_with_electrical_symbol.svg dbr:Light-emitting_diode dbr:Russell_Ohl dbr:Schottky_junction dbr:Diffusion dbr:Semiconductor_detector n28:PN_band.gif dbr:Capacitance–voltage_profiling dbr:Semiconductor_material dbr:P-type_semiconductor dbr:Zener_diode dbr:Integrated_circuit dbr:Potential_difference dbr:Breakdown_voltage dbr:Majority_carriers dbr:Epitaxy dbr:Majority_carrier dbr:Reverse_bias dbr:Varactor
dbo:wikiPageExternalLink
n24:pn_junction.phtml n25:pnsjikt.pdf n30: n32:pntoy n36: n43:watch%3Fv=JBtEckh3L9Q
owl:sameAs
dbpedia-ru:P-n-переход dbpedia-ca:Junció_PN dbpedia-fa:پیوند_پی–ان dbpedia-sh:PN_spoj n13:P-n_pāreja n14:4174949-2 dbpedia-ar:وصلة_الموجب_والسالب n18:पी_एन_जंक्शन dbpedia-fr:Jonction_p-n dbpedia-de:P-n-Übergang dbpedia-sr:ПН_спој freebase:m.02r8hm dbpedia-uk:P-n-перехід dbpedia-be:P-n_пераход dbpedia-bg:P-n_преход dbpedia-pt:Junção_PN dbpedia-id:Pertemuan_p-n dbpedia-et:Pn-siire wikidata:Q176300 dbpedia-cs:PN_přechod dbpedia-it:Giunzione_p-n dbpedia-sv:PN-övergång dbpedia-eo:Junto_(elektro) n45:iaSa dbpedia-ko:PN_접합 n47:পি–এন_সংযোগ n48:P-n-гузариш dbpedia-nn:PN-overgang dbpedia-th:รอยต่อ_p-n dbpedia-es:Unión_PN dbpedia-ro:Joncțiune_p-n dbpedia-da:Pn-overgang dbpedia-zh:Pn结 dbpedia-nl:Pn-overgang dbpedia-fi:Pn-liitos dbpedia-hu:P-n_átmenet dbpedia-pl:Złącze_p-n dbpedia-ja:Pn接合
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Cite_journal dbt:Citation_needed dbt:Short_description dbt:See_also dbt:Unreferenced_section dbt:Div_col dbt:Div_col_end dbt:Lowercase_title dbt:Technical dbt:Commons_category dbt:Reflist dbt:Authority_control dbt:More_citations_needed_section
dbo:thumbnail
n4:PN_diode_with_electrical_symbol.svg?width=300
dbo:abstract
En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden. PN-övergångar har några intressanta egenskaper som har användbara tillämpningar i modern elektronik. P-dopade halvledare är relativt konduktiva och detsamma gäller för N-dopade dito, men övergången mellan dem är icke-konduktiv. Detta icke-konduktiva områden kallas och uppstår därför att de elektriska laddningsbärarna i de P- och N-dopade halvledarna (hål respektive elektroner) attraherar och eliminerar varandra i en process som kallas . Genom att manipulera spärrskiktet kan man få PN-övergången att fungera som en diod: elektriska kretsar som leder ström i en riktning men inte i den motsatta. Denna egenskap kan förklaras med hjälp av förspännings- och backspänningseffekter. وصلة الموجب والسالب ووصلة بي إن والوصلة الثنائية (بالإنجليزية: P-N Junction)‏: يتألف من رقاقتين من شبه موصل، الرقاقة الأولى n تكون بنيتها غنية باللإلكترونات (سالبة) والرقاقة الثانية p تكون خاصية بنيتها غنية بالفجوات (موجبة). يتم تصنيعهما بعملية تسمى تشويب حيث نًدخل مادة مشوبة مناسبة في بنية شبه موصل مثل السيليكون، فينتج «النوع إن» و «النوع بي». عند وصل الرقاقتين تتشكل (منطقة عزل) بين الرقاقتين ويتكون لدينا صمام ثنائي Diode. تكتسب الوصلة أهميتها من أنها حجر الأساس في صنع الثنائي والخلايا الشمسية والمقحل زوجي الأقطاب، والثنائي الضوئي، والثنائي المشع ، والمقداح والترياك وغيرها. يرجع ابتكار وصلة بي-إن إلى الفيزيائي الأمريكي ومان يعمل في بل لابوراتوريز وتوجد وصلة شوتكي وهي نوع خاص من وصلة بي-إن ، ولكن فيها يقوم معدن مقام «النوع بي» من شبه الموصل. Een pn-overgang (ook p-n-overgang, PN-overgang of anders) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd (negatief) naar p-gedoteerd (positief) halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus). Deze overgang wordt aangeduid als junctie (Engels: junction). Hoewel een pn-overgang in principe gemaakt kan worden door materiaal van het p-type in nauw contact te brengen met materiaal van het n-type, is dit praktisch moeilijk te realiseren. Men vormt daarom een pn-overgang door in een enkel stukje van het basismateriaal gebieden van verschillende dotering te creëren, en wel zo dat in één deel de p-dotering overheerst en in een ander deel de n-dotering. De grens tussen beide vormt een pn-overgang. A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. The "p" (positive) side contains an excess of holes, while the "n" (negative) side contains an excess of electrons in the outer shells of the electrically neutral atoms there. This allows electrical current to pass through the junction only in one direction. The p-n junction is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scattering the electrons and holes. p–n junctions are elementary "building blocks" of semiconductor electronic devices such as diodes, transistors, solar cells, light-emitting diodes (LEDs), and integrated circuits; they are the active sites where the electronic action of the device takes place. For example, a common type of transistor, the bipolar junction transistor (BJT), consists of two p–n junctions in series, in the form n–p–n or p–n–p; while a diode can be made from a single p-n junction. A Schottky junction is a special case of a p–n junction, where metal serves the role of the n-type semiconductor. P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있다. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋다. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 (depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 끌어당김에 의해 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다. 여기서 바이어스라는 말은 P-N접합에 전압을 걸어주는 것을 뜻한다. 전 작업자가 전도도가 떨어지는 영역이라고 표현했지만 이것은 결과적인 의미해석이고전기적인 장벽은 전자의 균일화 엔트로피때문에 일어난다. 정공이라고 불리는 것이 전자가 없는 부분이라는 것을 생각할 때 p형 반도체는 전자의 밀도가 낮은상태이고 n형반도체는 전자의 밀도가 높은 상태가 된다. 이상태에서 접합된다면 두 반도체의 전자 밀도가 같아지려는 현상을 보일 것이고 결과적으로 정공과 전자는 각각 반대쪽 반도체로 넘어가게 된다. 하지만 각각의 반도체는 원래상태(전자와 정공이 넘어가지 않은 상태)가 안정된 상태이기에 이 현상은 접합면에 n->p의 방향을 가지는 전기장을 만들며 이 전기장이 역전압이 된다. Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente. La giunzione p-n è composta di due zone: una con un eccesso di lacune (strato p) e una con eccedenza di elettroni (strato n). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine giunzione fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento); in questo volume i portatori, rispettivamente del lato p e del lato n, di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, diffondono nel semiconduttore adiacente (generando una corrente di diffusione), lasciando non compensati gli atomi ionizzati dei droganti, i quali a loro volta genereranno una differenza di potenziale, un campo elettrico e, spostando i portatori, una corrente di trascinamento che si oppone a quella di diffusione; la differenza di potenziale costante generata dagli ioni di materiale drogante è chiamata tensione di built-in. La larghezza della zona di carica spaziale dipende dai drogaggi e da ciascun lato è inversamente proporzionale al drogaggio del semiconduttore. Dato che la carica elettrica degli ioni negativi deve compensare perfettamente quella degli ioni positivi si avrà: dove e sono le concentrazioni degli atomi accettori e donatori, e l'estensione della regione di svuotamento rispettivamente della zona p ed n. La giunzione p-n è alla base di dispositivi a semiconduttore quali il diodo a giunzione, il transistor, il LED e la cella solare. Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n. W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w sieci krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim. Atomy domieszek są tu akceptorami. W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych. Obszar o mniejszej koncentracji domieszek znajdujący się pomiędzy kontaktem złącza a warstwą zubożoną nazywany jest bazą. Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino. Ou seja, não basta apenas colocar em contato íntimo os tipos de semicondutores, pois além da presença de impurezas e defeitos nas superfícies, existem também filmes de óxidos que cobrem essas superfícies, mudando totalmente a interface dos semicondutores. O diodo de junção é um elemento básico para quase todos os dispositivos semicondutores que usam uma junção P-N. A maioria dos dispositivos semicondutores usados em componentes eletrônicos modernos utiliza junções P-N como sua estrutura fundamental. En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique courant-tension de la jonction est fortement non linéaire : c'est celle d'une diode. La physique des jonctions p-n a de grandes utilités pratiques dans la création de dispositifs à semi-conducteurs. La diode redresseuse de courant ainsi que la plupart des autres types de diodes contiennent ainsi une jonction p-n. Les cellules photovoltaïques sont également constituées d'une jonction p-n de grande surface dans laquelle les paires électron-trou créées par la lumière sont séparées par le champ électrique de la jonction. Enfin, un type de transistor, le transistor bipolaire, est réalisé en mettant deux jonctions p-n en sens inverse – transistor pnp ou npn. p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- таn-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого. Ця область характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. На властивостях p-n переходів ґрунтується робота напівпровідникових діодів, транзисторів та інших електронних елементів з нелінійною вольт-амперною характеристикою. Відкриття p-n переходу зазвичай відносять американському фізику Расселу Олу з Bell Labs. Проте патент Ола було отримано лише в 1946 році, а перші західні публікації, присвячені p-n переходу, з'явилися ще роком пізніше. Натомість уже в 1941 році український фізик Вадим Лашкарьов опублікував роботу в якій методом термозонду було досліджено перші p-n переходи . PN přechod je rozhraní polovodiče typu P a polovodiče typu N. PN přechod propouští elektrický proud pouze jedním směrem a je základem polovodičových součástek jako jsou diody a tranzistory, fotovoltaické články, svítivé LED a integrované obvody. Objev PN přechodu učinil v roce 1939 americký fyzik v Bellových laboratořích. V roce 1941 popsal sovětský fyzik objev PN přechodu na materiálu Cu2O a sulfidu stříbrném u fotobuňky a u selenových usměrňovačů. Schottkyho dioda používá speciální případ PN přechodu, kde polovodič typu P je nahrazen kovem. En elektro, 'junto' estas kunigo de diversspecaj duonkonduktantoj: pn-junto (p =pozitivaregiono, n = negativa regiono) formas diodon; duo da juntoj npn aŭ pnp farastransistoron. * * * * Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.So wirkt ein p-n-Übergang wie ein „Stromventil“, welches beispielsweise bei Einkristall-Halbleiterdioden eingesetzt wird und angelegten Strom sperrt (Sperrzustand) oder durchlässt (Durchlasszustand). Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico. Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica. p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других). 一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面间有一个过渡层，稱為pn结、p-n结、pn接面（p-n junction）。pn结是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。 Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos , un de tipus N i un altre de tipus P. Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció. Es basa en la tecnologia del semiconductor. Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat , s'obtenen unes propietats elèctriques diferents que si se n'apliquen unes altres. pn接合（pnせつごう、pn junction）とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。 P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor dan bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah:
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:P–n_junction?oldid=1120428010&ns=0
dbo:wikiPageLength
20784
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:P–n_junction