This HTML5 document contains 135 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
n12http://dbpedia.org/resource/File:
n16http://hy.dbpedia.org/resource/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
n35http://hi.dbpedia.org/resource/
n20https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-behttp://be.dbpedia.org/resource/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
dbpedia-ethttp://et.dbpedia.org/resource/
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-plhttp://pl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-cshttp://cs.dbpedia.org/resource/
n6http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-azhttp://az.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-skhttp://sk.dbpedia.org/resource/
n30http://tt.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbphttp://dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-rohttp://ro.dbpedia.org/resource/
n23http://d-nb.info/gnd/

Statements

Subject Item
dbr:P–n_diode
rdf:type
yago:Conductor103088707 owl:Thing yago:Diode103202940 yago:Instrumentality103575240 yago:Tube104494204 yago:Device103183080 yago:WikicatDiodes yago:Artifact100021939 yago:PhysicalEntity100001930 yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Whole100003553 yago:Object100002684 yago:ElectronicDevice103277771 yago:WikicatSemiconductorDevices
rdfs:label
Напівпровідниковий діод Polovodičová dioda Полупроводниковый диод Diodo a giunzione Halbleiterdiode Pn-Diode Díode p–n PN 다이오드 P–n diode Dioda półprzewodnikowa
rdfs:comment
PN 다이오드는 PN 접합을 기본으로한 의 유형이다. 다이오드는 한 방향으로 만 전류를 전도하며, 이 n형 반도체 층과 p형 반도체 층을 접합함으로써 이루어진다. 반도체 다이오드는 전류, 무선신호의 검출, 발광을 지시하는 교류 전류와 광선을 검출하는 정류 등 다양한 용도를 지니고 있다. Напівпровіднико́вий діо́д (англ. semiconductor (crystal) diode) — напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами. На відміну від інших типів діодів, принцип дії напівпровідникового діода ґрунтується на явищі p-n переходу. Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник. Dioda półprzewodnikowa – element elektroniczny należący do rodziny diod, zawierający w swojej strukturze złącze „p-n” wykonane z materiałów półprzewodnikowych. Jest to nieliniowy, dwukońcówkowy element, którego wyprowadzenie przymocowane do warstwy „p” ( positive) nazywane jest anodą, a do warstwy „n” ( negative) katodą. Jedną z głównych zalet diod jest prąd płynący tylko w jednym kierunku (od anody do katody) po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku przewodzenia (gdy napięcie na anodzie jest większe niż na katodzie). Natomiast po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku zaporowym (napięcie na anodzie jest mniejsze niż na katodzie), „ujemny” prąd nie zostanie przepuszczony przez diodę i przez to możemy nazwać ją zaworem elektrycznym, umożliwiającym przepływ prądu jedynie This article provides a more detailed explanation of p–n diode behavior than is found in the articles p–n junction or diode. A p–n diode is a type of semiconductor diode based upon the p–n junction. The diode conducts current in only one direction, and it is made by joining a p-type semiconducting layer to an n-type semiconducting layer. Semiconductor diodes have multiple uses including rectification of alternating current to direct current,in the detection of radio signals, emitting light and detecting light. Il diodo a giunzione è un diodo a semiconduttore molto diffuso nell'ambito dell'elettronica a stato solido. È stato il primo dispositivo a semiconduttore reso disponibile commercialmente negli anni 1940. Polovodičová dioda je elektrotechnická součástka, dioda, jejímž úkolem v elektrickém obvodu je propouštět elektrický proud jedním směrem. Podle konstrukce slouží k usměrňování elektrického proudu (přeměna střídavého proudu na stejnosměrný proud), ke stabilizaci elektrického napětí nebo k signalizaci průchodu proudu. Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход. В отличие от других типов диодов (например, вакуумных), принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике.
rdfs:seeAlso
dbr:P–n_junction dbr:Varactor dbr:Zener_diode
dbp:name
P–N diode
foaf:depiction
n6:Quasi-Fermi_levels.png n6:Pn-junction_zero_bias.png n6:Two_diode_structures.png n6:Diode_quasi-fermi_levels.svg n6:IEEE_315-1975_(1993)_8.5.1.svg n6:Pn-junction_forward_bias.png n6:Pn-junction_reverse_bias.png n6:PN-diode_small-signal_circuit2.png n6:PN_Junction_Open_Circuited.svg n6:Nonideal_diode_current-voltage_behavior.png
dcterms:subject
dbc:Semiconductor_devices dbc:Diodes
dbo:wikiPageID
34024652
dbo:wikiPageRevisionID
1093441279
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Kirchhoff's_current_law dbr:Parallel_plate_capacitor n12:Pn-junction_zero_bias.png n12:Nonideal_diode_current-voltage_behavior.png dbr:P-i-n_diode n12:Two_diode_structures.png dbr:Electric_constant dbr:Boltzmann_factor n12:Quasi-Fermi_levels.png dbr:Diode dbr:Carrier_generation_and_recombination dbr:Band_diagram dbr:Carrier_lifetime dbr:Fick's_laws_of_diffusion dbr:Step_function dbr:Kelvin_(unit) dbc:Semiconductor_devices dbr:Light_Emitting_Diode dbr:Photodiode dbr:Shockley_diode_equation dbr:Depletion_region dbr:Rectifier dbr:Band-bending_diagram n12:Diode_quasi-fermi_levels.svg dbr:Diffusion_capacitance dbr:P–n_junction dbr:Semiconductor dbr:Poisson's_equation n12:PN-diode_small-signal_circuit2.png n12:PN_Junction_Open_Circuited.svg dbr:Semiconductor_diode dbr:Fermi_level n12:IEEE_315-1975_(1993)_8.5.1.svg n12:Pn-junction_forward_bias.png dbr:Norton's_theorem n12:Pn-junction_reverse_bias.png dbr:Diffusion_current dbr:Quasi-Fermi_level dbc:Diodes
owl:sameAs
wikidata:Q1929430 dbpedia-de:Pn-Diode n16:Կիսահաղորդչային_դիոդ dbpedia-ko:PN_다이오드 dbpedia-cs:Polovodičová_dioda freebase:m.0hr8m83 n20:rtKQ dbpedia-uk:Напівпровідниковий_діод dbpedia-ru:Полупроводниковый_диод n23:4174934-0 dbpedia-sk:Polovodičová_dióda dbpedia-et:Pooljuhtdiood wikidata:Q2061467 dbpedia-it:Diodo_a_giunzione dbpedia-pl:Dioda_półprzewodnikowa dbpedia-ro:Diodă_semiconductoare n30:Ярымүткәргеч_диод dbpedia-az:Yarımkeçirici_diodlar dbpedia-be:Паўправадніковы_дыёд n35:पी-एन_डायोड dbpedia-de:Halbleiterdiode dbpedia-ca:Díode_p–n
dbp:workingPrinciple
dbr:P–n_junction
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Technical dbt:See_also dbt:Citizendium dbt:More_citations_needed_section dbt:Short_description dbt:Reflist dbt:Lowercase dbt:Infobox_electronic_component dbt:Main
dbo:thumbnail
n6:IEEE_315-1975_(1993)_8.5.1.svg?width=300
dbp:symbol
100
dbp:type
dbr:Semiconductor
dbo:abstract
Il diodo a giunzione è un diodo a semiconduttore molto diffuso nell'ambito dell'elettronica a stato solido. È stato il primo dispositivo a semiconduttore reso disponibile commercialmente negli anni 1940. Viene realizzato utilizzando prevalentemente cristalli di silicio drogati ad un'estremità (chiamata zona p) con atomi trivalenti (per es. boro) ed all'altra (chiamata zona n) con atomi pentavalenti (per es. fosforo). Tra la zona p e la zona n si crea una stretta zona di transizione in cui, a causa della variazione brusca nel tipo del drogaggio del semiconduttore (da cui il nome giunzione p-n), si crea una barriera di potenziale. Nella figura precedente, è schematizzato il cristallo di Silicio, con la zona n (a destra) drogata con gli atomi di Fosforo e la zona p (a sinistra) drogata con gli atomi di Boro; nel contempo, è possibile fare un parallelo con il simbolo circuitale del diodo: la zona n corrisponde alla parte a destra, quella con la sbarra orizzontale, ed il terminale corrispondente viene chiamato usualmente catodo, mentre la zona p corrisponde alla parte a sinistra, quella con il triangolo, ed il corrispondente terminale viene chiamato usualmente anodo. Напівпровіднико́вий діо́д (англ. semiconductor (crystal) diode) — напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами. На відміну від інших типів діодів, принцип дії напівпровідникового діода ґрунтується на явищі p-n переходу. Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник. Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших. Тому напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні (стабілітрони), чотиришарові перемикаючі PIN-діоди, фотодіоди, світлодіоди, тунельні діоди та інші. PN 다이오드는 PN 접합을 기본으로한 의 유형이다. 다이오드는 한 방향으로 만 전류를 전도하며, 이 n형 반도체 층과 p형 반도체 층을 접합함으로써 이루어진다. 반도체 다이오드는 전류, 무선신호의 검출, 발광을 지시하는 교류 전류와 광선을 검출하는 정류 등 다양한 용도를 지니고 있다. Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход. В отличие от других типов диодов (например, вакуумных), принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике. This article provides a more detailed explanation of p–n diode behavior than is found in the articles p–n junction or diode. A p–n diode is a type of semiconductor diode based upon the p–n junction. The diode conducts current in only one direction, and it is made by joining a p-type semiconducting layer to an n-type semiconducting layer. Semiconductor diodes have multiple uses including rectification of alternating current to direct current,in the detection of radio signals, emitting light and detecting light. Polovodičová dioda je elektrotechnická součástka, dioda, jejímž úkolem v elektrickém obvodu je propouštět elektrický proud jedním směrem. Podle konstrukce slouží k usměrňování elektrického proudu (přeměna střídavého proudu na stejnosměrný proud), ke stabilizaci elektrického napětí nebo k signalizaci průchodu proudu. Dioda półprzewodnikowa – element elektroniczny należący do rodziny diod, zawierający w swojej strukturze złącze „p-n” wykonane z materiałów półprzewodnikowych. Jest to nieliniowy, dwukońcówkowy element, którego wyprowadzenie przymocowane do warstwy „p” ( positive) nazywane jest anodą, a do warstwy „n” ( negative) katodą. Jedną z głównych zalet diod jest prąd płynący tylko w jednym kierunku (od anody do katody) po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku przewodzenia (gdy napięcie na anodzie jest większe niż na katodzie). Natomiast po spolaryzowaniu złącza „p-n” napięciem w kierunku zaporowym (napięcie na anodzie jest mniejsze niż na katodzie), „ujemny” prąd nie zostanie przepuszczony przez diodę i przez to możemy nazwać ją zaworem elektrycznym, umożliwiającym przepływ prądu jedynie w jednym kierunku. Diody te są elementami nieliniowymi. Nieliniowość diod półprzewodnikowych polega na tym, że przy stałej temperaturze złącza występujące na nich napięcie wzrasta proporcjonalnie do logarytmu naturalnego płynącego przez nie prądu według przybliżonego (nie jest uwzględniony prąd nasycenia złącza) wzoru: W temperaturze 27 °C stała UT ma wartość 25,85 mV. Wynika z tego, że każdy (np. dziesięciokrotny) wzrost prądu powoduje przyrost napięcia o stałą wartość. Przedstawienie charakterystyki diody w liniowej funkcji prądu prowadzi do często spotykanego, acz niefortunnie w przypadku diody półprzewodnikowej stosowanego, pojęcia tzw. napięcia progowego (Vd).Wynika ono tylko z właściwości funkcji logarytmicznej przedstawianej liniowo. Różnicę obrazują zamieszczone obok charakterystyki napięciowo-prądowe: liniowa i logarytmiczna.
dbp:pins
A: Anode, K: Cathode
gold:hypernym
dbr:Diode
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:P–n_diode?oldid=1093441279&ns=0
dbo:wikiPageLength
23436
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:P–n_diode