. . . . . "Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Es gibt vier verschiedene Grundtypen von IGBTs, welche durch vier verschiedene Schaltsymbole dargestellt werden. Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich n- und p-Kanal-IGBTs herstellen. Diese unterteilen sich jeweils in einen selbstleitenden und einen selbstsperrenden Typ. Diese Eigenschaft ist im Rahmen des Herstellungsprozesses w\u00E4hlbar. In den Schaltsymbolen ist bei selbstleitenden IGBTs, auch als Verarmungs-Typ bezeichnet, eine durchgezogene Linie zwischen den Anschl\u00FCssen Kollektor (C) und Emitter (E) gezeichnet. Diese Linie ist bei den selbstsperrenden Typen, auch Anreicherungs-Typ bezeichnet, unterbrochen dargestellt. Der Gate-Anschluss (G) dient bei allen Typen als Steueranschluss. Einer der Entwickler des IGBT war B. Jayant Baliga bei General Electric."@de . "Transistor bipolaire \u00E0 grille isol\u00E9e"@fr . . . "Een insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is een transistor die veel vermogen kan schakelen. De benodigde gate stuurspanning ligt wat hoger dan bij een MOSFET, in de orde van 15 volt. De stuurstromen kunnen aanzienlijk zijn, in de orde van enkele amp\u00E8res, tijdens het opladen van de gate-capaciteit (enkele tientallen nF voor IGBT's die honderden amp\u00E8res kunnen geleiden) bij het inschakelen van de IGBT. Bij het afschakelen treden evengrote stromen op. Dit type transistor combineert de van een MOSFET-transistor met de mogelijkheid van grote stromen en lage verzadigingsspanning van een bipolaire transistor door een n-kanaal-MOSFET en een bipolaire pnp-transistor op \u00E9\u00E9n chip te integreren. Vrijwel altijd wordt een snelle antiparallel diode in dezelfde behuizing geplaatst. Dit is nodig voor PWM-geregelde (driefasen)omzetters. Een belangrijk toepassingsgebied is de regeling van driefasenmotoren tot in vermogens van 0,5 MW. IGBT's kunnen toegepast worden in een motorsturing voor treinen, waarbij een sturing per wordt gebruikt. Een IGBT heeft een doorlaatspanning van 0,7 volt bij kleine stromen (10% van het maximum) tot ca. 1,7 volt bij de maximale continustroom (bij opgewarmde behuizing) die voor de IGBT is gespecificeerd. Voor omvormers van vermogens van 1 MW en meer worden GTO's of thyristoren toegepast. De schakelverliezen van dit type halfgeleider zijn zo groot, dat lage frequenties voor het schakelen worden toegepast (enkele kilohertz). Er bestaan twee grote families van IGBT's: \n* relatief snelle IGBT's met een blokkeerspanning van 600 volt, die zeer lage schakelverliezen hebben zodat ze met een frequentie van 20 kHz geschakeld kunnen worden (onhoorbaar) \n* 1200 volt-blokkeerspanning met wat grotere schakelverliezen, die meestal met een wat lagere frequentie geschakeld worden"@nl . . . "\u7D76\u7E01\u30B2\u30FC\u30C8\u30D0\u30A4\u30DD\u30FC\u30E9\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\uFF08\u305C\u3064\u3048\u3093\u30B2\u30FC\u30C8\u30D0\u30A4\u30DD\u30FC\u30E9\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\u3001\u82F1: Insulated Gate Bipolar Transistor\u3001IGBT\uFF09\u306F\u534A\u5C0E\u4F53\u7D20\u5B50\u306E\u3072\u3068\u3064\u3067\u3001\u91D1\u5C5E\u9178\u5316\u819C\u534A\u5C0E\u4F53\u96FB\u754C\u52B9\u679C\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\uFF08MOSFET\uFF09\u3092\u4E3B\u8981\u90E8\u306B\u7D44\u307F\u8FBC\u3093\u3060\u30D0\u30A4\u30DD\u30FC\u30E9\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\u3067\u3042\u308B\u3002\u96FB\u529B\u5236\u5FA1\u306E\u7528\u9014\u3067\u4F7F\u7528\u3055\u308C\u308B\u3002"@ja . . . "O nome IGBT, \u00E9 uma sigla de origem na L\u00EDngua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Portugu\u00EAs Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT \u00E9 um semicondutor de pot\u00EAncia que alia as caracter\u00EDsticas de chaveamento dos transistores bipolares com a alta imped\u00E2ncia dos MOSFETs apresentando baixa tens\u00E3o de satura\u00E7\u00E3o e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta efici\u00EAncia e r\u00E1pido chaveamento. Atualmente \u00E9 muito utilizado em equipamentos modernos como carros el\u00E9tricos ou h\u00EDbridos, trens, aparelhos de ar condicionado e fontes chaveadas de alta pot\u00EAncia. Devido a seu projeto que permite r\u00E1pido chaveamento (liga/desliga), encontra aplica\u00E7\u00E3o tamb\u00E9m em amplificadores e geradores que necessitam sintetizar formas de onda complexa atrav\u00E9s de PWM e filtros passa-b"@pt . . "1959"^^ . . . "Een insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is een transistor die veel vermogen kan schakelen. De benodigde gate stuurspanning ligt wat hoger dan bij een MOSFET, in de orde van 15 volt. De stuurstromen kunnen aanzienlijk zijn, in de orde van enkele amp\u00E8res, tijdens het opladen van de gate-capaciteit (enkele tientallen nF voor IGBT's die honderden amp\u00E8res kunnen geleiden) bij het inschakelen van de IGBT. Bij het afschakelen treden evengrote stromen op. Er bestaan twee grote families van IGBT's:"@nl . . . "Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah peranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an."@in . . . . . . . . . . "\u529F\u7387\u6A21\u7D44"@zh . . . . . . "IGBT (\u0430\u043D\u0433\u043B. Insulated-gate bipolar transistor, \u0443\u043A\u0440. \u0431\u0456\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u0438\u0439 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0456\u0437 \u0456\u0437\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u0430\u043D\u0438\u043C \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C) \u2014 \u0442\u0440\u0438\u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434\u043D\u0438\u0439 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u0438\u0439 \u043D\u0430\u043F\u0456\u0432\u043F\u0440\u043E\u0432\u0456\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u0438\u0439 \u043F\u0440\u0438\u043B\u0430\u0434, \u0449\u043E \u043F\u043E\u0454\u0434\u043D\u0443\u0454 \u0434\u0432\u0430 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430 \u0432 \u043E\u0434\u043D\u0456\u0439 \u043D\u0430\u043F\u0456\u0432\u043F\u0440\u043E\u0432\u0456\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u0456\u0439 \u0441\u0442\u0440\u0443\u043A\u0442\u0443\u0440\u0456: \u0431\u0456\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u0438\u0439 (\u0443\u0442\u0432\u043E\u0440\u044E\u0454 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u0438\u0439 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B) \u0456 \u043F\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u0438\u0439 (\u0443\u0442\u0432\u043E\u0440\u044E\u0454 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0456\u043D\u043D\u044F). \u0412\u0438\u043A\u043E\u0440\u0438\u0441\u0442\u043E\u0432\u0443\u0454\u0442\u044C\u0441\u044F, \u0432 \u043E\u0441\u043D\u043E\u0432\u043D\u043E\u043C\u0443, \u044F\u043A \u043F\u043E\u0442\u0443\u0436\u043D\u0438\u0439 \u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043D\u0438\u0439 \u043A\u043B\u044E\u0447 \u0432 \u0456\u043C\u043F\u0443\u043B\u044C\u0441\u043D\u0438\u0445 \u0434\u0436\u0435\u0440\u0435\u043B\u0430\u0445 \u0436\u0438\u0432\u043B\u0435\u043D\u043D\u044F, \u0456\u043D\u0432\u0435\u0440\u0442\u043E\u0440\u0430\u0445, \u0432 \u0441\u0438\u0441\u0442\u0435\u043C\u0430\u0445 \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0456\u043D\u043D\u044F \u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u0438\u0447\u043D\u0438\u043C\u0438 \u043F\u0440\u0438\u0432\u043E\u0434\u0430\u043C\u0438."@uk . "An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch, which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching. It consists of four alternating layers (P\u2013N\u2013P\u2013N) that are controlled by a metal\u2013oxide\u2013semiconductor (MOS) gate structure."@en . "Bipol\u00E1rn\u00ED tranzistor s izolovan\u00FDm hradlem (Anglicky Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT) je druh tranzistor\u016F, kter\u00FD je zkonstruov\u00E1n pro velk\u00FD rozsah sp\u00EDnan\u00FDch v\u00FDkon\u016F (od zlomk\u016F W a\u017E po des\u00EDtky MW)[zdroj?] a vysokou .IGBT je integrovan\u00E1 kombinace unipol\u00E1rn\u00ED a bipol\u00E1rn\u00ED sou\u010D\u00E1stky. \u010Cip tranzistoru m\u00E1 hradlo izolovan\u00E9 tenkou oxidovou vrstvou stejn\u011B, jako v\u00FDkonov\u00FD MOSFET. Na kolektorov\u00E9 stran\u011B je vytvo\u0159en PN p\u0159echod, kter\u00FD injektuje minoritn\u00ED nosi\u010De do kan\u00E1lu, kdy\u017E je IGBT sepnut. To v\u00FDrazn\u011B sni\u017Euje \u00FAbytek nap\u011Bt\u00ED a t\u00EDm i ztr\u00E1tov\u00FD v\u00FDkon v sepnut\u00E9m stavu."@cs . . . . "Le transistor bipolaire \u00E0 grille isol\u00E9e (IGBT, de l\u2019anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilis\u00E9 comme interrupteur \u00E9lectronique, principalement dans les montages de l\u2019\u00E9lectronique de puissance. Ce composant, qui combine les avantages des technologies pr\u00E9c\u00E9dentes \u2014 c\u2019est-\u00E0-dire la grande simplicit\u00E9 de commande du transistor \u00E0 effet de champ par rapport au transistor bipolaire, tout en conservant les faibles pertes par conduction de ce dernier \u2014 a permis de nombreux progr\u00E8s dans les applications de l\u2019\u00E9lectronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilit\u00E9 que sur l\u2019aspect \u00E9conomique. Les transistors IGBT ont permis d\u2019envisager des d\u00E9veloppements jusqu\u2019alors non viables en particulier dans la vitesse variable ainsi que dans les applications des machines \u00E9lectriques et des convertisseurs de puissance qui nous accompagnent chaque jour et partout, sans que nous en soyons particuli\u00E8rement conscients : automobiles, trains, m\u00E9tros, bus, avions, bateaux, ascenseurs, \u00E9lectrom\u00E9nager, t\u00E9l\u00E9vision, domotique, etc."@fr . . "El transistor bipolar de porta a\u00EFllada sovint anomenat amb les sigles transistor IGBT (de l'angl\u00E8s Insulated Gate Bipolar Transistor) \u00E9s un transistor que combina les senzilles caracter\u00EDstiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturaci\u00F3 dels transistors bipolars. Aix\u00F2 s'aconsegueix ajuntant en un \u00FAnic dispositiu una porta a\u00EFllada FET per al control amb un transistor bipolar de pot\u00E8ncia actuant en commutaci\u00F3."@ca . . "\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u062B\u0646\u0627\u0626\u064A \u0627\u0644\u0642\u0637\u0628\u064A\u0629 \u0630\u0648 \u0628\u0648\u0627\u0628\u0629 \u0645\u0639\u0632\u0648\u0644\u0629 (\u0628\u0627\u0644\u0625\u0646\u062C\u0644\u064A\u0632\u064A\u0629: Insulated-gate bipolar transistor)\u200F \u0648 \u064A\u0631\u0645\u0632 \u0644\u0647 \u0623\u064A\u0636\u0627 \u0628(IGBT) \u0647\u0648 \u0645\u0643\u0648\u0646 \u064A\u0639\u062A\u0645\u062F \u0623\u0634\u0628\u0627\u0647 \u0627\u0644\u0645\u0648\u0635\u0644\u0627\u062A \u064A\u0633\u062A\u062E\u062F\u0645 \u0641\u064A \u0627\u0644\u0643\u0647\u0631\u0628\u0627\u0621 \u0630\u0627\u062A \u0627\u0644\u0637\u0627\u0642\u0629 \u0627\u0644\u0639\u0627\u0644\u064A\u0629 \u0643\u0648\u0646\u0647 \u064A\u062D\u062A\u0648\u064A \u0639\u0644\u0649 \u0645\u064A\u0632\u0627\u062A \u062A\u0631\u0627\u062A\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u062B\u0646\u0627\u0626\u064A \u0627\u0644\u0642\u0637\u0628 \u0627\u0644\u0639\u0627\u062F\u064A \u0645\u062B\u0644 \u0627\u0644\u062A\u0645\u0631\u064A\u0631 \u0627\u0644\u062C\u064A\u062F \u0644\u0644\u062A\u064A\u0627\u0631\u060C \u0645\u0645\u0627\u0646\u0639\u0629 \u0639\u0627\u0644\u064A\u0629 \u0644\u0644\u062A\u064A\u0627\u0631 \u0628\u0627\u0644\u0627\u062A\u062C\u0627\u0647 \u0627\u0644\u0639\u0643\u0633\u064A\u060C \u0648\u0642\u0648\u0629 \u0641\u064A \u0627\u0644\u0623\u062F\u0627\u0621\u060C \u0648\u064A\u062D\u0648\u064A \u0623\u064A\u0636\u0627 \u0645\u064A\u0632\u0627\u062A \u0627\u0644\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0627\u0644\u062D\u0642\u0644\u064A \u0627\u0644\u0623\u062D\u0627\u062F\u064A \u0627\u0644\u0642\u0637\u0628."@ar . "Transistor bipolare a gate isolato"@it . . . "\u0411\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u044B\u0439 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0441 \u0438\u0437\u043E\u043B\u0438\u0440\u043E\u0432\u0430\u043D\u043D\u044B\u043C \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C"@ru . . . "\u7D55\u7DE3\u67F5\u96D9\u6975\u96FB\u6676\u9AD4\uFF08\u82F1\u8A9E\uFF1AInsulated Gate Bipolar Transistor, IGBT\uFF09\uFF0C\u662F\u534A\u5C0E\u9AD4\u5668\u4EF6\u7684\u4E00\u7A2E\uFF0C\u4E3B\u8981\u7528\u65BC\u96FB\u52D5\u8ECA\u8F1B\u3001\u9435\u8DEF\u6A5F\u8ECA\u53CA\u52D5\u8ECA\u7D44\u7684\u4EA4\u6D41\u96FB\u96FB\u52D5\u6A5F\u7684\u8F38\u51FA\u63A7\u5236\u3002\u4F20\u7EDF\u7684BJT\u5BFC\u901A\u7535\u963B\u5C0F\uFF0C\u4F46\u662F\u9A71\u52A8\u7535\u6D41\u5927\uFF0C\u800CMOSFET\u7684\u5BFC\u901A\u7535\u963B\u5927\uFF0C\u5374\u6709\u7740\u9A71\u52A8\u7535\u6D41\u5C0F\u7684\u4F18\u70B9\u3002IGBT\u6B63\u662F\u7ED3\u5408\u4E86\u8FD9\u4E24\u8005\u7684\u4F18\u70B9\uFF1A\u4E0D\u4EC5\u9A71\u52A8\u7535\u6D41\u5C0F\uFF0C\u5BFC\u901A\u7535\u963B\u4E5F\u5F88\u4F4E\u3002"@zh . . "\u529F\u7387\u6A21\u7D44\uFF08power module\uFF09\u53EF\u4EE5\u5C07\u5404\u500B\u7535\u529B\u7535\u5B50\u5B66\u5143\u4EF6\uFF08\u591A\u534A\u662F\uFF09\u653E\u5728\u540C\u4E00\u5C01\u88DD\u4E2D\u3002\u5176\u4E2D\u7684\u529F\u7387\u534A\u5C0E\u9AD4\uFF08\u7A31\u70BA\u88F8\u6676\uFF09\u6703\u7528\u92B2\u63A5\u6216\u662F\u71D2\u7D50\u7684\u65B9\u5F0F\u56FA\u5B9A\u5728\u4E58\u8F09\u529F\u7387\u534A\u5C0E\u9AD4\u7684\u4E0A\uFF0C\u4F9D\u9700\u8981\u63D0\u4F9B\u71B1\u63A5\u89F8\u3001\u96FB\u6C23\u5C0E\u901A\u6216\u662F\u7D55\u7DE3\u3002\u5206\u7ACB\u529F\u7387\u534A\u5C0E\u9AD4\u591A\u534A\u662FTO-247\u6216\u7684\u5851\u81A0\u5305\u88DD\uFF0C\u76F8\u8F03\u8D77\u4F86\uFF0C\u529F\u7387\u6A21\u7D44\u7684\u529F\u7387\u5BC6\u5EA6\u8F03\u9AD8\uFF0C\u800C\u4E14\u5728\u8A31\u591A\u9818\u57DF\u4E2D\u6BD4\u5206\u7ACB\u5143\u4EF6\u8981\u53EF\u9760\u3002"@zh . "Bipol\u00E1rn\u00ED tranzistor s izolovan\u00FDm hradlem (Anglicky Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT) je druh tranzistor\u016F, kter\u00FD je zkonstruov\u00E1n pro velk\u00FD rozsah sp\u00EDnan\u00FDch v\u00FDkon\u016F (od zlomk\u016F W a\u017E po des\u00EDtky MW)[zdroj?] a vysokou .IGBT je integrovan\u00E1 kombinace unipol\u00E1rn\u00ED a bipol\u00E1rn\u00ED sou\u010D\u00E1stky. \u010Cip tranzistoru m\u00E1 hradlo izolovan\u00E9 tenkou oxidovou vrstvou stejn\u011B, jako v\u00FDkonov\u00FD MOSFET. Na kolektorov\u00E9 stran\u011B je vytvo\u0159en PN p\u0159echod, kter\u00FD injektuje minoritn\u00ED nosi\u010De do kan\u00E1lu, kdy\u017E je IGBT sepnut. To v\u00FDrazn\u011B sni\u017Euje \u00FAbytek nap\u011Bt\u00ED a t\u00EDm i ztr\u00E1tov\u00FD v\u00FDkon v sepnut\u00E9m stavu."@cs . . . . . "El transistor bipolar de porta a\u00EFllada sovint anomenat amb les sigles transistor IGBT (de l'angl\u00E8s Insulated Gate Bipolar Transistor) \u00E9s un transistor que combina les senzilles caracter\u00EDstiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturaci\u00F3 dels transistors bipolars. Aix\u00F2 s'aconsegueix ajuntant en un \u00FAnic dispositiu una porta a\u00EFllada FET per al control amb un transistor bipolar de pot\u00E8ncia actuant en commutaci\u00F3. El transistor IGBT \u00E9s una invenci\u00F3 recent. Els dispositius de primera generaci\u00F3 que aparegueren el 1980 i principis dels anys 1990 eren relativament lents en commutaci\u00F3 i tendien a fallar. Els dispositius de segona generaci\u00F3 milloraren molt, per\u00F2 res comparat amb els actuals de tercera generaci\u00F3, qu\u00E8 tenen una velocitat que hi rivalitza amb els MOSFETs, a m\u00E9s d'una excel\u00B7lent duresa i toler\u00E0ncia a sobrec\u00E0rregues. S'usa principalment en fonts d'alimentaci\u00F3 commutades i en aplicacions de control de motors. Els avan\u00E7os en la segona i tercera generaci\u00F3 els feren \u00FAtils en \u00E0rees com la f\u00EDsica de part\u00EDcules, on comencen a suplantar altres dispositius."@ca . "An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch, which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching. It consists of four alternating layers (P\u2013N\u2013P\u2013N) that are controlled by a metal\u2013oxide\u2013semiconductor (MOS) gate structure. Although the structure of the IGBT is topologically the same as a thyristor with a \"MOS\" gate (MOS-gate thyristor), the thyristor action is completely suppressed, and only the transistor action is permitted in the entire device operation range. It is used in switching power supplies in high-power applications: variable-frequency drives (VFDs), electric cars, trains, variable-speed refrigerators, lamp ballasts, arc-welding machines, induction hobs, and air conditioners. Since it is designed to turn on and off rapidly, the IGBT can synthesize complex waveforms with pulse-width modulation and low-pass filters, so it is also used in switching amplifiers in sound systems and industrial control systems. In switching applications modern devices feature pulse repetition rates well into the ultrasonic-range frequencies, which are at least ten times higher than audio frequencies handled by the device when used as an analog audio amplifier. As of 2010, the IGBT was the second most widely used power transistor, after the power MOSFET."@en . "IGBT eller Insulated-gate bipolar transistor (\"bipol\u00E4r transistor med isolerat styre\") \u00E4r en typ av transistor som \u00E4r en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-f\u00E4lteffekttransistor och en bipol\u00E4r transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric."@sv . . . . . . . . . . . . . . . . . "El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del ingl\u00E9s Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electr\u00F3nica de potencia.Este dispositivo posee las caracter\u00EDsticas de las se\u00F1ales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturaci\u00F3n del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitaci\u00F3n del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caracter\u00EDsticas de conducci\u00F3n son como las del BJT."@es . . . . "\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u062B\u0646\u0627\u0626\u064A \u0627\u0644\u0642\u0637\u0628\u064A\u0629 \u0630\u0648 \u0628\u0648\u0627\u0628\u0629 \u0645\u0639\u0632\u0648\u0644\u0629 (\u0628\u0627\u0644\u0625\u0646\u062C\u0644\u064A\u0632\u064A\u0629: Insulated-gate bipolar transistor)\u200F \u0648 \u064A\u0631\u0645\u0632 \u0644\u0647 \u0623\u064A\u0636\u0627 \u0628(IGBT) \u0647\u0648 \u0645\u0643\u0648\u0646 \u064A\u0639\u062A\u0645\u062F \u0623\u0634\u0628\u0627\u0647 \u0627\u0644\u0645\u0648\u0635\u0644\u0627\u062A \u064A\u0633\u062A\u062E\u062F\u0645 \u0641\u064A \u0627\u0644\u0643\u0647\u0631\u0628\u0627\u0621 \u0630\u0627\u062A \u0627\u0644\u0637\u0627\u0642\u0629 \u0627\u0644\u0639\u0627\u0644\u064A\u0629 \u0643\u0648\u0646\u0647 \u064A\u062D\u062A\u0648\u064A \u0639\u0644\u0649 \u0645\u064A\u0632\u0627\u062A \u062A\u0631\u0627\u062A\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u062B\u0646\u0627\u0626\u064A \u0627\u0644\u0642\u0637\u0628 \u0627\u0644\u0639\u0627\u062F\u064A \u0645\u062B\u0644 \u0627\u0644\u062A\u0645\u0631\u064A\u0631 \u0627\u0644\u062C\u064A\u062F \u0644\u0644\u062A\u064A\u0627\u0631\u060C \u0645\u0645\u0627\u0646\u0639\u0629 \u0639\u0627\u0644\u064A\u0629 \u0644\u0644\u062A\u064A\u0627\u0631 \u0628\u0627\u0644\u0627\u062A\u062C\u0627\u0647 \u0627\u0644\u0639\u0643\u0633\u064A\u060C \u0648\u0642\u0648\u0629 \u0641\u064A \u0627\u0644\u0623\u062F\u0627\u0621\u060C \u0648\u064A\u062D\u0648\u064A \u0623\u064A\u0636\u0627 \u0645\u064A\u0632\u0627\u062A \u0627\u0644\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u0627\u0644\u062D\u0642\u0644\u064A \u0627\u0644\u0623\u062D\u0627\u062F\u064A \u0627\u0644\u0642\u0637\u0628."@ar . . . . "O nome IGBT, \u00E9 uma sigla de origem na L\u00EDngua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Portugu\u00EAs Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT \u00E9 um semicondutor de pot\u00EAncia que alia as caracter\u00EDsticas de chaveamento dos transistores bipolares com a alta imped\u00E2ncia dos MOSFETs apresentando baixa tens\u00E3o de satura\u00E7\u00E3o e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta efici\u00EAncia e r\u00E1pido chaveamento. Atualmente \u00E9 muito utilizado em equipamentos modernos como carros el\u00E9tricos ou h\u00EDbridos, trens, aparelhos de ar condicionado e fontes chaveadas de alta pot\u00EAncia. Devido a seu projeto que permite r\u00E1pido chaveamento (liga/desliga), encontra aplica\u00E7\u00E3o tamb\u00E9m em amplificadores e geradores que necessitam sintetizar formas de onda complexa atrav\u00E9s de PWM e filtros passa-baixa. O IGBT \u00E9 uma inven\u00E7\u00E3o recente. A primeira gera\u00E7\u00E3o de dispositivos desse tipo na d\u00E9cada de 1980 e in\u00EDcio dos anos 90 possu\u00EDam chaveamento relativamente lento e seu desligamento (corte na condu\u00E7\u00E3o) n\u00E3o ocorria enquanto existisse corrente fluindo (caracter\u00EDstica conhecida na l\u00EDngua inglesa como ). A segunda gera\u00E7\u00E3o de IGBT apresentava melhoria e atualmente, os dispositivos de terceira gera\u00E7\u00E3o s\u00E3o muito melhores com velocidade de chaveamento equiparada \u00E0 dos MOSFETs al\u00E9m de excelente toler\u00E2ncia \u00E0 sobrecarga e durabilidade. Basicamente, o IGBT pode ser analisado tamb\u00E9m como um mosfet acionando um transistor bipolar. Este arranjo apresenta um tiristor parasita, que normalmente \u00E9 ignorado devido ao avan\u00E7o tecnol\u00F3gico realizado na constru\u00E7\u00E3o do componente, que n\u00E3o apresenta mais este inconveniente."@pt . "Insulated-gate bipolar transistor"@en . . . "\uC808\uC5F0 \uAC8C\uC774\uD2B8 \uC591\uADF9\uC131 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130"@ko . . . "Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Einer der Entwickler des IGBT war B. Jayant Baliga bei General Electric."@de . . "IGBT module with a rated current of 1200 A and a maximum voltage of 3300 V"@en . . . . . "32453"^^ . "IGBT"@cs . . "El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del ingl\u00E9s Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electr\u00F3nica de potencia.Este dispositivo posee las caracter\u00EDsticas de las se\u00F1ales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturaci\u00F3n del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitaci\u00F3n del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caracter\u00EDsticas de conducci\u00F3n son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no hab\u00EDan sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia as\u00ED como en las aplicaciones en m\u00E1quinas el\u00E9ctricas, convertidores de potencia, dom\u00F3tica y Sistemas de Alimentaci\u00F3n Ininterrumpida, entre otras aplicaciones."@es . . "\uC808\uC5F0 \uAC8C\uC774\uD2B8 \uC591\uADF9\uC131 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130(Insulated gate bipolar transistor, IGBT)\uB294 \uAE08\uC18D \uC0B0\uD654\uB9C9 \uBC18\uB3C4\uCCB4 \uC804\uACC4\uD6A8\uACFC \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130 (MOSFET)\uC744 \uAC8C\uC774\uD2B8\uBD80\uC5D0 \uC9DC \uB123\uC740 \uC811\uD569\uD615 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130\uC774\uB2E4. \uAC8C\uC774\uD2B8-\uC774\uBBF8\uD130\uAC04\uC758 \uC804\uC555\uC774 \uAD6C\uB3D9\uB418\uC5B4 \uC785\uB825 \uC2E0\uD638\uC5D0 \uC758\uD574\uC11C \uC628/\uC624\uD504\uAC00 \uC0DD\uAE30\uB294 \uC790\uAE30\uC18C\uD638\uD615\uC774\uBBC0\uB85C, \uB300\uC804\uB825\uC758 \uACE0\uC18D \uC2A4\uC704\uCE6D\uC774 \uAC00\uB2A5\uD55C \uBC18\uB3C4\uCCB4 \uC18C\uC790\uC774\uB2E4."@ko . . . "Transistor bipolar de porta a\u00EFllada"@ca . . . . . . . . . . . . . . . . . . "\u0411\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u044B\u0439 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0441 \u0438\u0437\u043E\u043B\u0438\u0440\u043E\u0432\u0430\u043D\u043D\u044B\u043C \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C (\u0411\u0422\u0418\u0417, \u0430\u043D\u0433\u043B. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) \u2014 \u0442\u0440\u0451\u0445\u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434\u043D\u044B\u0439 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u043E\u0439 \u043F\u043E\u043B\u0443\u043F\u0440\u043E\u0432\u043E\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u044B\u0439 \u043F\u0440\u0438\u0431\u043E\u0440, \u0441\u043E\u0447\u0435\u0442\u0430\u044E\u0449\u0438\u0439 \u0434\u0432\u0430 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430 \u0432 \u043E\u0434\u043D\u043E\u0439 \u043F\u043E\u043B\u0443\u043F\u0440\u043E\u0432\u043E\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u043E\u0439 \u0441\u0442\u0440\u0443\u043A\u0442\u0443\u0440\u0435: \u0431\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u044B\u0439 (\u043E\u0431\u0440\u0430\u0437\u0443\u044E\u0449\u0438\u0439 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u043E\u0439 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B) \u0438 \u043F\u043E\u043B\u0435\u0432\u043E\u0439 (\u043E\u0431\u0440\u0430\u0437\u0443\u044E\u0449\u0438\u0439 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u044F). \u0418\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u0443\u0435\u0442\u0441\u044F, \u0432 \u043E\u0441\u043D\u043E\u0432\u043D\u043E\u043C, \u043A\u0430\u043A \u043C\u043E\u0449\u043D\u044B\u0439 \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043D\u044B\u0439 \u043A\u043B\u044E\u0447 \u0432 \u0438\u043C\u043F\u0443\u043B\u044C\u0441\u043D\u044B\u0445 \u0438\u0441\u0442\u043E\u0447\u043D\u0438\u043A\u0430\u0445 \u043F\u0438\u0442\u0430\u043D\u0438\u044F, \u0438\u043D\u0432\u0435\u0440\u0442\u043E\u0440\u0430\u0445, \u0432 \u0441\u0438\u0441\u0442\u0435\u043C\u0430\u0445 \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u044F \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u0438\u0447\u0435\u0441\u043A\u0438\u043C\u0438 \u043F\u0440\u0438\u0432\u043E\u0434\u0430\u043C\u0438. \u0412\u044B\u043F\u0443\u0441\u043A\u0430\u044E\u0442\u0441\u044F \u043A\u0430\u043A \u043E\u0442\u0434\u0435\u043B\u044C\u043D\u044B\u0435 IGBT, \u0442\u0430\u043A \u0438 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u044B\u0435 \u0441\u0431\u043E\u0440\u043A\u0438 (\u043C\u043E\u0434\u0443\u043B\u0438) \u043D\u0430 \u0438\u0445 \u043E\u0441\u043D\u043E\u0432\u0435, \u043D\u0430\u043F\u0440\u0438\u043C\u0435\u0440, \u0434\u043B\u044F \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u044F \u0446\u0435\u043F\u044F\u043C\u0438 \u0442\u0440\u0451\u0445\u0444\u0430\u0437\u043D\u043E\u0433\u043E \u0442\u043E\u043A\u0430."@ru . "IGBT (ang. insulated gate bipolar transistor) \u2013 tranzystor bipolarny z izolowan\u0105 bramk\u0105. Jest to element p\u00F3\u0142przewodnikowy mocy u\u017Cywany w przekszta\u0142tnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowat\u00F3w. \u0141\u0105czy zalety dw\u00F3ch typ\u00F3w tranzystor\u00F3w: \u0142atwo\u015B\u0107 sterowania tranzystor\u00F3w polowych i wysokie napi\u0119cie przebicia oraz szybko\u015B\u0107 prze\u0142\u0105czania tranzystor\u00F3w bipolarnych; jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako \u0142\u0105cznik, umo\u017Cliwia za\u0142\u0105czanie pr\u0105d\u00F3w powy\u017Cej 1 kA i blokowanie napi\u0119\u0107 do 6 kV."@pl . . . . . . "\u529F\u7387\u6A21\u7D44\uFF08power module\uFF09\u53EF\u4EE5\u5C07\u5404\u500B\u7535\u529B\u7535\u5B50\u5B66\u5143\u4EF6\uFF08\u591A\u534A\u662F\uFF09\u653E\u5728\u540C\u4E00\u5C01\u88DD\u4E2D\u3002\u5176\u4E2D\u7684\u529F\u7387\u534A\u5C0E\u9AD4\uFF08\u7A31\u70BA\u88F8\u6676\uFF09\u6703\u7528\u92B2\u63A5\u6216\u662F\u71D2\u7D50\u7684\u65B9\u5F0F\u56FA\u5B9A\u5728\u4E58\u8F09\u529F\u7387\u534A\u5C0E\u9AD4\u7684\u4E0A\uFF0C\u4F9D\u9700\u8981\u63D0\u4F9B\u71B1\u63A5\u89F8\u3001\u96FB\u6C23\u5C0E\u901A\u6216\u662F\u7D55\u7DE3\u3002\u5206\u7ACB\u529F\u7387\u534A\u5C0E\u9AD4\u591A\u534A\u662FTO-247\u6216\u7684\u5851\u81A0\u5305\u88DD\uFF0C\u76F8\u8F03\u8D77\u4F86\uFF0C\u529F\u7387\u6A21\u7D44\u7684\u529F\u7387\u5BC6\u5EA6\u8F03\u9AD8\uFF0C\u800C\u4E14\u5728\u8A31\u591A\u9818\u57DF\u4E2D\u6BD4\u5206\u7ACB\u5143\u4EF6\u8981\u53EF\u9760\u3002"@zh . . . "IGBT"@pl . . "\u062A\u0631\u0627\u0646\u0632\u0633\u062A\u0648\u0631 \u062B\u0646\u0627\u0626\u064A \u0627\u0644\u0642\u0637\u0628 \u0630\u0648 \u0627\u0644\u0628\u0648\u0627\u0628\u0629 \u0627\u0644\u0645\u0639\u0632\u0648\u0644\u0629"@ar . "\uC808\uC5F0 \uAC8C\uC774\uD2B8 \uC591\uADF9\uC131 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130(Insulated gate bipolar transistor, IGBT)\uB294 \uAE08\uC18D \uC0B0\uD654\uB9C9 \uBC18\uB3C4\uCCB4 \uC804\uACC4\uD6A8\uACFC \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130 (MOSFET)\uC744 \uAC8C\uC774\uD2B8\uBD80\uC5D0 \uC9DC \uB123\uC740 \uC811\uD569\uD615 \uD2B8\uB79C\uC9C0\uC2A4\uD130\uC774\uB2E4. \uAC8C\uC774\uD2B8-\uC774\uBBF8\uD130\uAC04\uC758 \uC804\uC555\uC774 \uAD6C\uB3D9\uB418\uC5B4 \uC785\uB825 \uC2E0\uD638\uC5D0 \uC758\uD574\uC11C \uC628/\uC624\uD504\uAC00 \uC0DD\uAE30\uB294 \uC790\uAE30\uC18C\uD638\uD615\uC774\uBBC0\uB85C, \uB300\uC804\uB825\uC758 \uACE0\uC18D \uC2A4\uC704\uCE6D\uC774 \uAC00\uB2A5\uD55C \uBC18\uB3C4\uCCB4 \uC18C\uC790\uC774\uB2E4."@ko . . . . "IGBT (ang. insulated gate bipolar transistor) \u2013 tranzystor bipolarny z izolowan\u0105 bramk\u0105. Jest to element p\u00F3\u0142przewodnikowy mocy u\u017Cywany w przekszta\u0142tnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowat\u00F3w. \u0141\u0105czy zalety dw\u00F3ch typ\u00F3w tranzystor\u00F3w: \u0142atwo\u015B\u0107 sterowania tranzystor\u00F3w polowych i wysokie napi\u0119cie przebicia oraz szybko\u015B\u0107 prze\u0142\u0105czania tranzystor\u00F3w bipolarnych; jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako \u0142\u0105cznik, umo\u017Cliwia za\u0142\u0105czanie pr\u0105d\u00F3w powy\u017Cej 1 kA i blokowanie napi\u0119\u0107 do 6 kV. Tranzystor IGBT powsta\u0142 przez po\u0142\u0105czenie w obszarze monolitycznego materia\u0142u p\u00F3\u0142przewodnikowego tranzystora bipolarnego z tranzystorem polowym typu MOS. Utworzona w ten spos\u00F3b struktura ma pozytywne cechy obu element\u00F3w i stanowi p\u00F3\u0142przewodnikowy \u0142\u0105cznik przydatny do uk\u0142ad\u00F3w o mocy nawet kilkuset kilowat\u00F3w i pracuj\u0105cy z cz\u0119stotliwo\u015Bci\u0105 prze\u0142\u0105czania si\u0119gaj\u0105c\u0105 50 kHz. Maksymalne dopuszczalne warto\u015Bci blokowanego napi\u0119cia przekraczaj\u0105 6 kV, co oznacza pe\u0142n\u0105 przydatno\u015B\u0107 IGBT w uk\u0142adach zasilanych z sieci o napi\u0119ciu skutecznym 400 V i wy\u017Cszym. Niezwykle wa\u017Cn\u0105 zalet\u0105 IGBT jest (przej\u0119ta od tranzystora MOS) \u0142atwo\u015B\u0107 sterowania go przez zmian\u0119 potencja\u0142u izolowanej bramki, co bardzo upraszcza konstrukcj\u0119 ca\u0142ego urz\u0105dzenia. Pewn\u0105 wad\u0105 tranzystor\u00F3w IGBT jest natomiast znaczny spadek napi\u0119cia wyst\u0119puj\u0105cy na nich w stanie przewodzenia (ok. 2,5 V), jednak\u017Ce sumaryczne straty mocy w IGBT s\u0105 mniejsze ni\u017C w klasycznym tranzystorze bipolarnym. Kolejn\u0105 wad\u0105 (jak wszystkich p\u00F3\u0142przewodnik\u00F3w krzemowych) jest ograniczona temperatura pracy, od \u201320 \u00B0C do temperatury z\u0142\u0105cza oko\u0142o 150 \u00B0C. Jeszcze inn\u0105 wad\u0105 jest wyst\u0119powanie tzw. \u201Eogona pr\u0105dowego\u201D w procesie wy\u0142\u0105czania tranzystora, co wyd\u0142u\u017Ca czas autentycznego wy\u0142\u0105czenia. Zjawisko to jest zwi\u0105zane z potrzeb\u0105 odprowadzenia \u0142adunk\u00F3w mniejszo\u015Bciowych z obszaru bramki."@pl . . . . . . . . "\u7D55\u7DE3\u67F5\u96D9\u6975\u6676\u9AD4\u7BA1"@zh . . . . . . "109053"^^ . "IGBT schematic symbol"@en . "Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode"@de . . . . . "Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) \u00E8 un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cio\u00E8 \u00E8 in grado di commutare alte tensioni e alte correnti. Esso pu\u00F2 essere schematizzato come il collegamento di un MOSFET e di un transistor a giunzione bipolare. Sebbene le correnti massime sopportabili dal singolo dispositivo siano inferiori a quelle del tiristore, utilizzando moduli con pi\u00F9 IGBT in parallelo si ottengono componenti capaci di commutare correnti di 1,2 kA con tensione massima di 6 kV. Il dispositivo abbina le caratteristiche favorevoli di un BJT e di un MOSFET; \u00E8 un dispositivo di potenza adatto a trattare correnti elevate, che abbina al pregio dell'alta impedenza di ingresso dei transistor MOS quello della bassa tensione di saturazione dei transistor a giunzione bipolare (BJT).In ingresso \u00E8 presente un MOS di bassa potenza che pilota il BJT di uscita con potenza elevata. Siccome il MOS risulta interessato solo dalla bassa corrente di base del BJT, anche l'area del chip, che nei MOS di potenza \u00E8 estesa, risulta ridotta. Il primo brevetto su dispositivi IGBT \u00E8 del 1980, mentre i primi modelli commercializzati risalgono al 1983. Questi primi esemplari erano piuttosto lenti nella commutazione e soggetti a guastarsi facilmente (distruzione per latchup): le successive generazioni hanno migliorato molto i parametri di funzionamento ed eliminato tale vulnerabilit\u00E0. Gli IGBT di oggi commutano con la stessa velocit\u00E0 dei migliori MOSFET, tollerano molto bene i sovraccarichi e non sono pi\u00F9 soggetti al latchup. Attualmente hanno assunto grande importanza per tutte le applicazioni di commutazione di potenza in cui sono in gioco alte tensioni e correnti: praticamente tutti gli inverter di recente progettazione usano IGBT, quali ad esempio gli inverter industriali per i motori trifase, oppure nel fotovoltaico. Sono dei componenti chiave nelle automobili elettriche e ibride, in cui sono l'unica soluzione praticabile per avere unit\u00E0 di controllo motori piccole, potenti ed efficienti: la Toyota Prius sfrutta un inverter da 50 kW basato su IGBT che controlla due motori/generatori collegati al pacco batterie."@it . . "1117223874"^^ . "Insulated-gate bipolar transistor"@nl . . . . . "IGBT"@pt . . . . . . "IGBT"@sv . . . "Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) \u00E8 un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cio\u00E8 \u00E8 in grado di commutare alte tensioni e alte correnti. Esso pu\u00F2 essere schematizzato come il collegamento di un MOSFET e di un transistor a giunzione bipolare. Sebbene le correnti massime sopportabili dal singolo dispositivo siano inferiori a quelle del tiristore, utilizzando moduli con pi\u00F9 IGBT in parallelo si ottengono componenti capaci di commutare correnti di 1,2 kA con tensione massima di 6 kV."@it . . . . "Insulated-gate bipolar transistor"@en . . . . . . . . . . . "Le transistor bipolaire \u00E0 grille isol\u00E9e (IGBT, de l\u2019anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilis\u00E9 comme interrupteur \u00E9lectronique, principalement dans les montages de l\u2019\u00E9lectronique de puissance."@fr . . . . "Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah peranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an."@in . . . "IGBT"@uk . "IGBT eller Insulated-gate bipolar transistor (\"bipol\u00E4r transistor med isolerat styre\") \u00E4r en typ av transistor som \u00E4r en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-f\u00E4lteffekttransistor och en bipol\u00E4r transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric. IGBT-transistorer f\u00F6rekommer bland annat i kraftelektroniken i moderna lok. En annan, mer vardaglig, applikation av IGBT-transistorer \u00E4r i vissa typer av dimrar. F\u00F6r varvtalsstyrning av asynkronmotorer anv\u00E4nds idag IGBT mycket ofta - b\u00E5de som diskreta komponenter och som f\u00E4rdiga IGBT moduler i form av hel- eller halvbryggor."@sv . . . . . . . . "\u7D76\u7E01\u30B2\u30FC\u30C8\u30D0\u30A4\u30DD\u30FC\u30E9\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\uFF08\u305C\u3064\u3048\u3093\u30B2\u30FC\u30C8\u30D0\u30A4\u30DD\u30FC\u30E9\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\u3001\u82F1: Insulated Gate Bipolar Transistor\u3001IGBT\uFF09\u306F\u534A\u5C0E\u4F53\u7D20\u5B50\u306E\u3072\u3068\u3064\u3067\u3001\u91D1\u5C5E\u9178\u5316\u819C\u534A\u5C0E\u4F53\u96FB\u754C\u52B9\u679C\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\uFF08MOSFET\uFF09\u3092\u4E3B\u8981\u90E8\u306B\u7D44\u307F\u8FBC\u3093\u3060\u30D0\u30A4\u30DD\u30FC\u30E9\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF\u3067\u3042\u308B\u3002\u96FB\u529B\u5236\u5FA1\u306E\u7528\u9014\u3067\u4F7F\u7528\u3055\u308C\u308B\u3002"@ja . . . "Transistor IGBT"@es . "\u7D76\u7E01\u30B2\u30FC\u30C8\u30D0\u30A4\u30DD\u30FC\u30E9\u30C8\u30E9\u30F3\u30B8\u30B9\u30BF"@ja . . . . . . "Transistor dwikutub gerbang-terisolasi"@in . "IGBT (\u0430\u043D\u0433\u043B. Insulated-gate bipolar transistor, \u0443\u043A\u0440. \u0431\u0456\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u0438\u0439 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0456\u0437 \u0456\u0437\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u0430\u043D\u0438\u043C \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C) \u2014 \u0442\u0440\u0438\u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434\u043D\u0438\u0439 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u0438\u0439 \u043D\u0430\u043F\u0456\u0432\u043F\u0440\u043E\u0432\u0456\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u0438\u0439 \u043F\u0440\u0438\u043B\u0430\u0434, \u0449\u043E \u043F\u043E\u0454\u0434\u043D\u0443\u0454 \u0434\u0432\u0430 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430 \u0432 \u043E\u0434\u043D\u0456\u0439 \u043D\u0430\u043F\u0456\u0432\u043F\u0440\u043E\u0432\u0456\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u0456\u0439 \u0441\u0442\u0440\u0443\u043A\u0442\u0443\u0440\u0456: \u0431\u0456\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u0438\u0439 (\u0443\u0442\u0432\u043E\u0440\u044E\u0454 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u0438\u0439 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B) \u0456 \u043F\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u0438\u0439 (\u0443\u0442\u0432\u043E\u0440\u044E\u0454 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0456\u043D\u043D\u044F). \u0412\u0438\u043A\u043E\u0440\u0438\u0441\u0442\u043E\u0432\u0443\u0454\u0442\u044C\u0441\u044F, \u0432 \u043E\u0441\u043D\u043E\u0432\u043D\u043E\u043C\u0443, \u044F\u043A \u043F\u043E\u0442\u0443\u0436\u043D\u0438\u0439 \u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043D\u0438\u0439 \u043A\u043B\u044E\u0447 \u0432 \u0456\u043C\u043F\u0443\u043B\u044C\u0441\u043D\u0438\u0445 \u0434\u0436\u0435\u0440\u0435\u043B\u0430\u0445 \u0436\u0438\u0432\u043B\u0435\u043D\u043D\u044F, \u0456\u043D\u0432\u0435\u0440\u0442\u043E\u0440\u0430\u0445, \u0432 \u0441\u0438\u0441\u0442\u0435\u043C\u0430\u0445 \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0456\u043D\u043D\u044F \u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u0438\u0447\u043D\u0438\u043C\u0438 \u043F\u0440\u0438\u0432\u043E\u0434\u0430\u043C\u0438. \u041A\u0430\u0441\u043A\u0430\u0434\u043D\u0435 \u0432\u043A\u043B\u044E\u0447\u0435\u043D\u043D\u044F \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0456\u0432 \u0434\u0432\u043E\u0445 \u0440\u0456\u0437\u043D\u0438\u0445 \u0442\u0438\u043F\u0456\u0432 \u0434\u043E\u0437\u0432\u043E\u043B\u044F\u0454 \u043F\u043E\u0454\u0434\u043D\u0443\u0432\u0430\u0442\u0438 \u0457\u0445 \u043F\u0435\u0440\u0435\u0432\u0430\u0433\u0438 \u0432 \u043E\u0434\u043D\u043E\u043C\u0443 \u043F\u0440\u0438\u043B\u0430\u0434\u0456: \u0432\u0438\u0445\u0456\u0434\u043D\u0456 \u0445\u0430\u0440\u0430\u043A\u0442\u0435\u0440\u0438\u0441\u0442\u0438\u043A\u0438 \u0431\u0456\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u043E\u0433\u043E (\u0432\u0435\u043B\u0438\u043A\u0430 \u0434\u043E\u043F\u0443\u0441\u0442\u0438\u043C\u0430 \u0440\u043E\u0431\u043E\u0447\u0430 \u043D\u0430\u043F\u0440\u0443\u0433\u0430 \u0456 \u043E\u043F\u0456\u0440 \u0432\u0456\u0434\u043A\u0440\u0438\u0442\u043E\u0433\u043E \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B\u0443 \u043F\u0440\u043E\u043F\u043E\u0440\u0446\u0456\u0439\u043D\u043E \u0441\u0442\u0440\u0443\u043C\u0443, \u0430 \u043D\u0435 \u043A\u0432\u0430\u0434\u0440\u0430\u0442\u0443 \u0441\u0442\u0440\u0443\u043C\u0443, \u044F\u043A \u0443 \u043F\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u0438\u0445) \u0456 \u0432\u0445\u0456\u0434\u043D\u0456 \u0445\u0430\u0440\u0430\u043A\u0442\u0435\u0440\u0438\u0441\u0442\u0438\u043A\u0438 \u043F\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u043E\u0433\u043E (\u043C\u0456\u043D\u0456\u043C\u0430\u043B\u044C\u043D\u0456 \u0432\u0438\u0442\u0440\u0430\u0442\u0438 \u043D\u0430 \u043A\u0435\u0440\u0443\u0432\u0430\u043D\u043D\u044F). \u041A\u0435\u0440\u0443\u044E\u0447\u0438\u0439 \u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434 \u043D\u0430\u0437\u0438\u0432\u0430\u0454\u0442\u044C\u0441\u044F \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C, \u044F\u043A \u0443 \u043F\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u043E\u0433\u043E \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430, \u0434\u0432\u0430 \u0456\u043D\u0448\u0438\u0445 \u0435\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434\u0430 - \u0456 , \u044F\u043A \u0443 \u0431\u0456\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u043E\u0433\u043E. \u0423 \u0434\u0435\u044F\u043A\u0438\u0445 \u0432\u0438\u043F\u0430\u0434\u043A\u0430\u0445 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0438 \u0434\u0430\u043D\u043E\u0433\u043E \u0442\u0438\u043F\u0443 \u0434\u043E\u0446\u0456\u043B\u044C\u043D\u043E \u0432\u0441\u0442\u0430\u043D\u043E\u0432\u043B\u044E\u0432\u0430\u0442\u0438 \u043D\u0430 \u0437\u0432\u0430\u0440\u044E\u0432\u0430\u043B\u044C\u043D\u0456 \u0456\u043D\u0432\u0435\u0440\u0442\u043E\u0440\u0438. \u0423 \u043D\u0438\u0445 \u0432\u043E\u043D\u0438 \u0437\u0430\u043C\u0456\u043D\u044E\u044E\u0442\u044C \u0437\u0432\u0438\u0447\u0430\u0439\u043D\u0456 \u043F\u043E\u043B\u044C\u043E\u0432\u0456 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0438 (\u041C\u0414\u041F-\u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0438)."@uk . . . . . . . . . . . . . . "\u7D55\u7DE3\u67F5\u96D9\u6975\u96FB\u6676\u9AD4\uFF08\u82F1\u8A9E\uFF1AInsulated Gate Bipolar Transistor, IGBT\uFF09\uFF0C\u662F\u534A\u5C0E\u9AD4\u5668\u4EF6\u7684\u4E00\u7A2E\uFF0C\u4E3B\u8981\u7528\u65BC\u96FB\u52D5\u8ECA\u8F1B\u3001\u9435\u8DEF\u6A5F\u8ECA\u53CA\u52D5\u8ECA\u7D44\u7684\u4EA4\u6D41\u96FB\u96FB\u52D5\u6A5F\u7684\u8F38\u51FA\u63A7\u5236\u3002\u4F20\u7EDF\u7684BJT\u5BFC\u901A\u7535\u963B\u5C0F\uFF0C\u4F46\u662F\u9A71\u52A8\u7535\u6D41\u5927\uFF0C\u800CMOSFET\u7684\u5BFC\u901A\u7535\u963B\u5927\uFF0C\u5374\u6709\u7740\u9A71\u52A8\u7535\u6D41\u5C0F\u7684\u4F18\u70B9\u3002IGBT\u6B63\u662F\u7ED3\u5408\u4E86\u8FD9\u4E24\u8005\u7684\u4F18\u70B9\uFF1A\u4E0D\u4EC5\u9A71\u52A8\u7535\u6D41\u5C0F\uFF0C\u5BFC\u901A\u7535\u963B\u4E5F\u5F88\u4F4E\u3002"@zh . . "\u0411\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u044B\u0439 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440 \u0441 \u0438\u0437\u043E\u043B\u0438\u0440\u043E\u0432\u0430\u043D\u043D\u044B\u043C \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C (\u0411\u0422\u0418\u0417, \u0430\u043D\u0433\u043B. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) \u2014 \u0442\u0440\u0451\u0445\u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434\u043D\u044B\u0439 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u043E\u0439 \u043F\u043E\u043B\u0443\u043F\u0440\u043E\u0432\u043E\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u044B\u0439 \u043F\u0440\u0438\u0431\u043E\u0440, \u0441\u043E\u0447\u0435\u0442\u0430\u044E\u0449\u0438\u0439 \u0434\u0432\u0430 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430 \u0432 \u043E\u0434\u043D\u043E\u0439 \u043F\u043E\u043B\u0443\u043F\u0440\u043E\u0432\u043E\u0434\u043D\u0438\u043A\u043E\u0432\u043E\u0439 \u0441\u0442\u0440\u0443\u043A\u0442\u0443\u0440\u0435: \u0431\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u044B\u0439 (\u043E\u0431\u0440\u0430\u0437\u0443\u044E\u0449\u0438\u0439 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u043E\u0439 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B) \u0438 \u043F\u043E\u043B\u0435\u0432\u043E\u0439 (\u043E\u0431\u0440\u0430\u0437\u0443\u044E\u0449\u0438\u0439 \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u044F). \u0418\u0441\u043F\u043E\u043B\u044C\u0437\u0443\u0435\u0442\u0441\u044F, \u0432 \u043E\u0441\u043D\u043E\u0432\u043D\u043E\u043C, \u043A\u0430\u043A \u043C\u043E\u0449\u043D\u044B\u0439 \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u043D\u043D\u044B\u0439 \u043A\u043B\u044E\u0447 \u0432 \u0438\u043C\u043F\u0443\u043B\u044C\u0441\u043D\u044B\u0445 \u0438\u0441\u0442\u043E\u0447\u043D\u0438\u043A\u0430\u0445 \u043F\u0438\u0442\u0430\u043D\u0438\u044F, \u0438\u043D\u0432\u0435\u0440\u0442\u043E\u0440\u0430\u0445, \u0432 \u0441\u0438\u0441\u0442\u0435\u043C\u0430\u0445 \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u044F \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u0438\u0447\u0435\u0441\u043A\u0438\u043C\u0438 \u043F\u0440\u0438\u0432\u043E\u0434\u0430\u043C\u0438. \u041A\u0430\u0441\u043A\u0430\u0434\u043D\u043E\u0435 \u0432\u043A\u043B\u044E\u0447\u0435\u043D\u0438\u0435 \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u043E\u0432 \u0434\u0432\u0443\u0445 \u0442\u0438\u043F\u043E\u0432 \u043F\u043E\u0437\u0432\u043E\u043B\u044F\u0435\u0442 \u0441\u043E\u0447\u0435\u0442\u0430\u0442\u044C \u0438\u0445 \u0434\u043E\u0441\u0442\u043E\u0438\u043D\u0441\u0442\u0432\u0430 \u0432 \u043E\u0434\u043D\u043E\u043C \u043F\u0440\u0438\u0431\u043E\u0440\u0435: \u0432\u044B\u0445\u043E\u0434\u043D\u044B\u0435 \u0445\u0430\u0440\u0430\u043A\u0442\u0435\u0440\u0438\u0441\u0442\u0438\u043A\u0438 \u0431\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u043E\u0433\u043E (\u0431\u043E\u043B\u044C\u0448\u043E\u0435 \u0434\u043E\u043F\u0443\u0441\u0442\u0438\u043C\u043E\u0435 \u0440\u0430\u0431\u043E\u0447\u0435\u0435 \u043D\u0430\u043F\u0440\u044F\u0436\u0435\u043D\u0438\u0435 \u0438 \u0441\u043E\u043F\u0440\u043E\u0442\u0438\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u0435 \u043E\u0442\u043A\u0440\u044B\u0442\u043E\u0433\u043E \u043A\u0430\u043D\u0430\u043B\u0430, \u043F\u0440\u043E\u043F\u043E\u0440\u0446\u0438\u043E\u043D\u0430\u043B\u044C\u043D\u043E\u0435 \u0442\u043E\u043A\u0443, \u0430 \u043D\u0435 \u043A\u0432\u0430\u0434\u0440\u0430\u0442\u0443 \u0442\u043E\u043A\u0430, \u043A\u0430\u043A \u0443 \u043F\u043E\u043B\u0435\u0432\u044B\u0445) \u0438 \u0432\u0445\u043E\u0434\u043D\u044B\u0435 \u0445\u0430\u0440\u0430\u043A\u0442\u0435\u0440\u0438\u0441\u0442\u0438\u043A\u0438 \u043F\u043E\u043B\u0435\u0432\u043E\u0433\u043E (\u043C\u0438\u043D\u0438\u043C\u0430\u043B\u044C\u043D\u044B\u0435 \u0437\u0430\u0442\u0440\u0430\u0442\u044B \u043D\u0430 \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u0435). \u0423\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u044F\u044E\u0449\u0438\u0439 \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434 \u043D\u0430\u0437\u044B\u0432\u0430\u0435\u0442\u0441\u044F \u0437\u0430\u0442\u0432\u043E\u0440\u043E\u043C, \u043A\u0430\u043A \u0443 \u043F\u043E\u043B\u0435\u0432\u043E\u0433\u043E \u0442\u0440\u0430\u043D\u0437\u0438\u0441\u0442\u043E\u0440\u0430, \u0434\u0432\u0430 \u0434\u0440\u0443\u0433\u0438\u0445 \u044D\u043B\u0435\u043A\u0442\u0440\u043E\u0434\u0430 \u2014 \u044D\u043C\u0438\u0442\u0442\u0435\u0440\u043E\u043C \u0438 \u043A\u043E\u043B\u043B\u0435\u043A\u0442\u043E\u0440\u043E\u043C, \u043A\u0430\u043A \u0443 \u0431\u0438\u043F\u043E\u043B\u044F\u0440\u043D\u043E\u0433\u043E. \u0412\u044B\u043F\u0443\u0441\u043A\u0430\u044E\u0442\u0441\u044F \u043A\u0430\u043A \u043E\u0442\u0434\u0435\u043B\u044C\u043D\u044B\u0435 IGBT, \u0442\u0430\u043A \u0438 \u0441\u0438\u043B\u043E\u0432\u044B\u0435 \u0441\u0431\u043E\u0440\u043A\u0438 (\u043C\u043E\u0434\u0443\u043B\u0438) \u043D\u0430 \u0438\u0445 \u043E\u0441\u043D\u043E\u0432\u0435, \u043D\u0430\u043F\u0440\u0438\u043C\u0435\u0440, \u0434\u043B\u044F \u0443\u043F\u0440\u0430\u0432\u043B\u0435\u043D\u0438\u044F \u0446\u0435\u043F\u044F\u043C\u0438 \u0442\u0440\u0451\u0445\u0444\u0430\u0437\u043D\u043E\u0433\u043E \u0442\u043E\u043A\u0430."@ru .