This HTML5 document contains 209 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dbpedia-dahttp://da.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
yago-reshttp://yago-knowledge.org/resource/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
n4http://dbpedia.org/resource/File:
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
n24http://dbpedia.org/resource/Pulmonary_fibrosis_/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
n21https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-hehttp://he.dbpedia.org/resource/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
n9http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-vihttp://vi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
n29https://archive.today/20121214205349/http:/www.ncsu.edu/chemistry/franzen/public_html/sf/ito/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbphttp://dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
dbpedia-bghttp://bg.dbpedia.org/resource/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-nlhttp://nl.dbpedia.org/resource/
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Indium_tin_oxide
rdf:type
yago:Chemical114806838 yago:Concept105835747 yago:Substance100019613 yago:WikicatOxides yago:Material114580897 yago:Content105809192 yago:PhysicalEntity100001930 yago:PsychologicalFeature100023100 yago:Compound114818238 yago:Compound105870180 yago:Part113809207 yago:Relation100031921 yago:WikicatIndiumCompounds yago:Oxide114971519 dbo:MusicalWork yago:Cognition100023271 yago:WikicatTinCompounds yago:Idea105833840 yago:WikicatSemiconductorMaterials yago:Whole105869584 yago:Abstraction100002137 yago:Matter100020827
rdfs:label
酸化インジウムスズ Óxido de indio y estaño Оксид индия-олова Indium tin oxide Ossido di indio-stagno Òxid d'indi i estany 인듐 주석 산화물 氧化铟锡 Indiumtinoxide Indiumzinnoxid Oxyde d'indium-étain
rdfs:comment
Indiumtinoxide is een vaste oplossing van indium(III)oxide In2O3 en tin(IV)oxide SnO2 met ca 90% In, 10% Sn. In dunne, goeddeels amorfe lagen aangebracht is het materiaal transparant. In bulk kan het afhankelijk van de precieze samenstelling enigszins groenig of gelig zijn. Het materiaal is een met een vrij hoge geleidbaarheid en wordt in dunne lagen op glas of kwarts aangebracht als transparante geleider toegepast bijvoorbeeld als doorzichtige elektrode. 酸化インジウムスズ（さんかインジウムスズ、英: Indium Tin Oxide、ITO）は酸化インジウム(III) (In2O3) と酸化スズ(IV) (SnO2) の無機混合物である。粉末は黄色～灰色であるが、可視光領域の透過率が高いため、薄膜ではほぼ無色透明であり、主に透明電極として用いられる。 Indium tin oxide (ITO) is a ternary composition of indium, tin and oxygen in varying proportions. Depending on the oxygen content, it can be described as either a ceramic or an alloy. Indium tin oxide is typically encountered as an oxygen-saturated composition with a formulation of 74% In, 18% Sn, and 8% O by weight. Oxygen-saturated compositions are so typical that unsaturated compositions are termed oxygen-deficient ITO. It is transparent and colorless in thin layers, while in bulk form it is yellowish to gray. In the infrared region of the spectrum it acts as a metal-like mirror. 인듐 주석 산화물(Indium tin oxide)은 산화 인듐 (In2O3)과 산화 주석 (SnO2)이 섞여져 있으며, 일반적으로 90% In2O3, 10% SnO2 비중을 갖는다. 흔히 투명전극이나 ITO라고 한다. 얇은 레이어에서는 투명하고 색이 없다. 덩어리 상태에서는 노란회색을 띤다. 인듐 주석 산화물의 주된 특징은 높은 전기 전도도와 광학적 투명을 동시에 지닌 것이다. 다른 투명전극 필름과 같이, 전도도와 투명도 사이에서 타협이 필요하다. 필름을 두껍게하면 전도도는 증가하지만 투명도는 감소하며, 필름을 얇게 만들경우 투명도는 증가하지만 전도도는 감소된다. 인듐 주석 산화물의 박막은 가장 일반적으로 , , 스퍼터링 기술의 범위에 의하여 표면에 증착된다. 높은 비용, 제한된 인듐의 자원, 부서지기 쉽고, 인듐 주석 산화물 레이어의 휨성이 부족하며, 레이어 증착에 필요한 높은 진공때문에 대체 물질이 탐구되고 있다; 탄소 나노튜브 전도성 코팅은 기대되는 미래의 대체 물질이다. 과 레이어는 (자외 방사선에 노출되면 손상되고 다른 단점이 있음에도) 이미 사용되고 있다. 다른 대체 물질은 도핑된 알루미늄과 산화 아연이 있다. L'oxyde d'indium-étain (ITO, pour l'anglais indium tin oxide), ou oxyde d'indium dopé à l'étain, est un mélange d'oxyde d'indium(III) In2O3 et d'oxyde d'étain (IV) SnO2, dans la proportion massique typique de 90 % du premier et 10 % du second. Ce composé est incolore et transparent en couches minces, de jaunâtre à gris sous forme massique. Les couches minces d'ITO sont le plus souvent déposées sur des surfaces par évaporation par faisceau d'électrons, dépôt physique par phase vapeur ou autres techniques de . L'ossido di indio-stagno (più precisamente ossido di indio drogato con stagno, soprattutto noto con l'acronimo ITO, dall'inglese Indium tin oxide) è una soluzione solida di (In2O3) e (SnO2), tipicamente in percentuale in peso intorno al 90% In2O3 e 10% SnO2. È il più impiegato per la fabbricazione di pellicole conduttive trasparenti (PCT). El óxido de indio y estaño (también conocido como ITO, por sus siglas en inglés, Indium Tin Oxide) es un compuesto químico constituido de óxido de estaño, un metal común, y de óxido de indio, un metal raro. Se trata de un material semiconductor tipo n perteneciente al grupo de los TCO (óxidos conductores transparentes, por sus siglas en inglés).​ Indiumzinnoxid (englisch indium tin oxide, ITO) ist ein halbleitender, im sichtbaren Licht weitgehend transparenter Stoff. Es ist ein Mischoxid, üblicherweise aus 90 % Indium(III)-oxid (In2O3) und 10 % Zinn(IV)-oxid (SnO2). 氧化铟锡 (ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物 (In2O3) and 锡（IV族）氧化物 (SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜狀時，為透明無色。在块状态时，它呈黄偏灰色。 氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是用、物理气相沉积、或者一些技术的方法沉积到表面。 因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品。这类镀膜正由发展为廉价的、力学强度更高的ITO替代品。和已经被愛克發和制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段（但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点）。别的可能性包括诸如铝-的。 Оксид индия-олова (англ. Indium tin oxide или сокращённо ITO) — полупроводниковый материал, прозрачен для видимого света, благодаря большой ширине запрещённой зоны (около 4 eV), но способен отражать ИК излучение. Твёрдый раствор оксидов индия (III) и олова (IV), типично 90 % первого и 10 % второго.
foaf:depiction
n9:LHcockpitWindow.jpg n9:Fig_1._Hybrid_ITO_Synthesis.jpg n9:44665-11.png n9:Absorption_of_glass_and_ITO_glass.svg n9:ITO_waste-water_recycling.jpg
dcterms:subject
dbc:Oxides dbc:Tin dbc:Indium_compounds dbc:Display_technology dbc:Articles_containing_unverified_chemical_infoboxes dbc:Transparent_electrodes
dbo:wikiPageID
362598
dbo:wikiPageRevisionID
1120850560
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Emphysema n4:Fig_1._Hybrid_ITO_Synthesis.jpg dbr:Hydrogenated_amorphous_silicon dbr:Etching_(chemical) dbr:Polyvinyl dbr:Cytokine dbr:Cytotoxicity dbr:Nanoparticles dbr:Mobile_phone dbr:Electron_microscopy dbr:Homogeneity_(physics) dbr:Plasma_display dbr:Electron_beam_evaporation dbr:Phagocytic dbr:Solar_cell dbr:Crystallinity dbr:N-type_semiconductor dbr:Crystallization dbr:Pulmonary dbr:Charge_carrier dbr:Plasmonic dbr:Rocket_engine dbr:Interstitial_pneumonia dbr:Organic_solar_cells dbc:Tin dbr:Graphene dbr:Resistivity dbr:Cadmium_oxide dbr:T_cell dbr:Epidermis dbr:Electromagnetic_interference n4:Absorption_of_glass_and_ITO_glass.svg dbr:Kodak_DCS dbr:Optical_coating dbr:Anode dbr:Jet_engine dbr:Bragg_reflector dbr:Antistatic_coating dbr:Slurry dbr:Ceramic n4:44665-11.png dbc:Indium_compounds dbr:Ohm dbr:Electrical_resistance_and_conductance dbr:Pneumoconiosis dbr:Optical_transparency dbc:Display_technology dbr:Electrowetting dbr:Electrical_conductivity dbr:Sintering dbr:Organic_light-emitting_diode dbr:Aluminum n24:granuloma dbr:Conductive_polymers dbr:Electronic_paper dbr:Polyaniline dbr:Pro-inflammatory dbc:Articles_containing_unverified_chemical_infoboxes dbr:Gallium dbr:Respiratory_tracts dbr:Tape_casting dbr:Sputter_deposition dbr:Kelvin dbr:Touchscreen dbr:Antireflection_coating dbr:Lockheed_Martin_F-22_Raptor dbr:Zinc_oxide dbr:Sputtering dbr:Gas_turbine dbr:Sintered dbr:Photovoltaic dbr:Endotoxin dbr:Phthalate dbr:Plasticizer dbr:Alloy dbr:Strain_gauge dbr:Transparent_conducting_film dbr:Transparent_conducting_oxide dbr:Indium dbc:Transparent_electrodes dbr:Thin_film dbr:Pulmonary_alveolar_proteinosis dbr:Ternary_composition dbr:In_vitro dbr:Vapor_deposition n4:ITO_waste-water_recycling.jpg dbr:Macrophage dbr:Electromagnetic_radiation dbr:Aluminium_zinc_oxide dbr:Infrared dbr:Liquid_crystal_display dbr:Stealth_technology dbr:Granulomas dbr:OLED dbr:Hot_mirror dbr:Benzyl dbr:Touch-screen dbr:Gas_sensor dbr:Nanowires dbr:Physical_vapor_deposition dbr:Carbon_nanotube dbr:Sodium_vapor_lamp dbr:Silver dbr:Lymphocyte dbr:Bandgap dbr:Epithelial_cells dbr:Tin n4:LHcockpitWindow.jpg dbr:Cholesterol dbr:Radar dbc:Oxides dbr:Copper_indium_gallium_selenide_solar_cells dbr:Oxygen dbr:PEDOT dbr:VCSEL
dbo:wikiPageExternalLink
n29:index.htm
owl:sameAs
dbpedia-es:Óxido_de_indio_y_estaño dbpedia-zh:氧化铟锡 dbpedia-nl:Indiumtinoxide dbpedia-he:ITO dbpedia-da:Indiumtinoxid dbpedia-fa:اکسید_قلع_ایندیم dbpedia-ja:酸化インジウムスズ n21:3sgqH dbpedia-ru:Оксид_индия-олова dbpedia-it:Ossido_di_indio-stagno dbpedia-fr:Oxyde_d'indium-étain dbpedia-bg:Индиево-калаен_оксид yago-res:Indium_tin_oxide dbpedia-ca:Òxid_d'indi_i_estany dbpedia-de:Indiumzinnoxid freebase:m.01_l_s wikidata:Q417718 dbpedia-ko:인듐_주석_산화물 dbpedia-vi:Indi_thiếc_oxide
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Unreferenced_section dbt:Citation_needed dbt:Reflist
dbo:thumbnail
n9:Absorption_of_glass_and_ITO_glass.svg?width=300
dbo:abstract
氧化铟锡 (ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物 (In2O3) and 锡（IV族）氧化物 (SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜狀時，為透明無色。在块状态时，它呈黄偏灰色。 氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是用、物理气相沉积、或者一些技术的方法沉积到表面。 因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品。这类镀膜正由发展为廉价的、力学强度更高的ITO替代品。和已经被愛克發和制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段（但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点）。别的可能性包括诸如铝-的。 Indiumtinoxide is een vaste oplossing van indium(III)oxide In2O3 en tin(IV)oxide SnO2 met ca 90% In, 10% Sn. In dunne, goeddeels amorfe lagen aangebracht is het materiaal transparant. In bulk kan het afhankelijk van de precieze samenstelling enigszins groenig of gelig zijn. Het materiaal is een met een vrij hoge geleidbaarheid en wordt in dunne lagen op glas of kwarts aangebracht als transparante geleider toegepast bijvoorbeeld als doorzichtige elektrode. In het algemeen zijn geleiders niet doorzichtig in het zichtbare gebied van het elektromagnetisch spectrum, maar in dit materiaal ligt de plasmafrequentie in het infrarode gebied. Deze frequentie representeert de snelste beweging van het elektrische veld van een foton die de ladingsdragers nog kunnen volgen. Boven die frequentie kunnen fotonen ongehinderd het materiaal passeren. Bij de meeste metalen ligt die frequentie ver in het ultraviolette gebied, maar in deze ontaarde halfgeleider is dat niet zo. Het gevolg is dat zichtbaar licht doorgelaten wordt, maar in het infrarode gebied heeft het materiaal de spiegelende eigenschappen van een metaal. Оксид индия-олова (англ. Indium tin oxide или сокращённо ITO) — полупроводниковый материал, прозрачен для видимого света, благодаря большой ширине запрещённой зоны (около 4 eV), но способен отражать ИК излучение. Твёрдый раствор оксидов индия (III) и олова (IV), типично 90 % первого и 10 % второго. L'oxyde d'indium-étain (ITO, pour l'anglais indium tin oxide), ou oxyde d'indium dopé à l'étain, est un mélange d'oxyde d'indium(III) In2O3 et d'oxyde d'étain (IV) SnO2, dans la proportion massique typique de 90 % du premier et 10 % du second. Ce composé est incolore et transparent en couches minces, de jaunâtre à gris sous forme massique. La caractéristique principale de l'oxyde d'indium-étain est sa combinaison de conductivité électrique et de transparence optique. Cependant, un compromis doit être atteint lors du dépôt de films, l'augmentation de la concentration de porteurs de charges induisant une hausse de conductivité du matériau, mais une perte de sa transparence. Les couches minces d'ITO sont le plus souvent déposées sur des surfaces par évaporation par faisceau d'électrons, dépôt physique par phase vapeur ou autres techniques de . En raison du coût et de la quantité limitée disponible d'indium, de la fragilité et du manque de flexibilité des couches minces d'ITO, et du vide requis et onéreux pour le dépôt des couches, des alternatives sont recherchées. Par exemple des films minces de nanostructures de carbone (graphène ou nanotubes de carbone) conducteurs figurent ainsi dans les matériaux activement étudiés pour ce remplacement. D'autres alternatives sont envisagées comme les nanofils métalliques (argent et cuivre) qui possèdent des performances égales à l'ITO, le coût des matières premières et le procédé en voie chimique permettant d'atteindre un prix largement inférieur. Des couches de PEDOT ou de PEDOT:PSS sont déjà utilisées bien qu'ils se dégradent lorsqu'ils sont exposés aux radiations ultraviolettes, entre autres défauts. D'autres remplaçants possibles sont les oxydes de zinc dopés à l'aluminium, et le vanadate de strontium SrVO3. El óxido de indio y estaño (también conocido como ITO, por sus siglas en inglés, Indium Tin Oxide) es un compuesto químico constituido de óxido de estaño, un metal común, y de óxido de indio, un metal raro. Se trata de un material semiconductor tipo n perteneciente al grupo de los TCO (óxidos conductores transparentes, por sus siglas en inglés).​ 인듐 주석 산화물(Indium tin oxide)은 산화 인듐 (In2O3)과 산화 주석 (SnO2)이 섞여져 있으며, 일반적으로 90% In2O3, 10% SnO2 비중을 갖는다. 흔히 투명전극이나 ITO라고 한다. 얇은 레이어에서는 투명하고 색이 없다. 덩어리 상태에서는 노란회색을 띤다. 인듐 주석 산화물의 주된 특징은 높은 전기 전도도와 광학적 투명을 동시에 지닌 것이다. 다른 투명전극 필름과 같이, 전도도와 투명도 사이에서 타협이 필요하다. 필름을 두껍게하면 전도도는 증가하지만 투명도는 감소하며, 필름을 얇게 만들경우 투명도는 증가하지만 전도도는 감소된다. 인듐 주석 산화물의 박막은 가장 일반적으로 , , 스퍼터링 기술의 범위에 의하여 표면에 증착된다. 높은 비용, 제한된 인듐의 자원, 부서지기 쉽고, 인듐 주석 산화물 레이어의 휨성이 부족하며, 레이어 증착에 필요한 높은 진공때문에 대체 물질이 탐구되고 있다; 탄소 나노튜브 전도성 코팅은 기대되는 미래의 대체 물질이다. 과 레이어는 (자외 방사선에 노출되면 손상되고 다른 단점이 있음에도) 이미 사용되고 있다. 다른 대체 물질은 도핑된 알루미늄과 산화 아연이 있다. L'ossido di indio-stagno (più precisamente ossido di indio drogato con stagno, soprattutto noto con l'acronimo ITO, dall'inglese Indium tin oxide) è una soluzione solida di (In2O3) e (SnO2), tipicamente in percentuale in peso intorno al 90% In2O3 e 10% SnO2. È il più impiegato per la fabbricazione di pellicole conduttive trasparenti (PCT). È trasparente alla luce e incolore in forma di sottile pellicola, mentre in grandi quantità presenta un colore dal giallo pallido al verde dipendente dalla concentrazione di drogante. Ha proprietà di riflettere radiazioni nella regione dell'infrarosso come un normale metallo. La caratteristica principale dell'ossido di indio-stagno è la combinazione di buona conducibilità elettrica e . Esso è essenzialmente formato da un drogaggio sostitutivo di atomi In+3 dalla struttura cubica tipo bixbyite nel In2O3, con atomi di stagno.Lo stagno forma così un legame interstiziale con l'ossigeno ed esiste sia sotto forma di SnO che SnO2, presentando quindi rispettivamente una valenza +2 e +4.Questo stato di valenza ha una diretta connessione con la conduttività finale dell'ITO.Lo stato di valenza più basso risulta in una netta riduzione nella concentrazione di portatori di carica, poiché un buco creato nella struttura ed esso si comporta come una trappola e riduce la conducibilità.Dall'altro lato una predominanza dello stato SnO2 si comporta come un donatore di tipo n (n sta per negativo) fornendo elettroni alla banda conduttiva. Comunque nell'ossido di indio-stagno sia lo stagno sostitutivo che la lacuna di ossigeno contribuisce all'alta conduttività e il materiale potrebbe essere rappresentato come In2-xSnxO3-2x. Pellicole di ITO hanno un parametro di reticolo vicino all'In2O3 tra 10,12 e 10,31 Å. L'alta trasmittanza ottica delle pellicole di ITO è la diretta conseguenza dell'essere un semiconduttore con una largo divario di banda generalmente maggiore di 3,75 eV. La fondamentale soglia di assorbimento normalmente giace nella finestra solare dell'ultravioletto e si sposta a più basse lunghezze d'onda con l'aumento della concentrazione di portatori di carica.Quindi un compromesso va trovato nella deposizione, siccome l'alta concentrazione di portatori di carica aumenta la conduttività, ma diminuisce la sua trasparenza.Per questo anche la scelta della tecnica di deposizione può cambiare i parametri fisici del materiale. Sottili strati di ossido di indio-stagno sono comunemente depositati su varie superfici tramite evaporazione con fascio elettronico (EB-PVD), deposizione fisica da vapore, rivestimento per immersione, rivestimento per rotazione o varie tecniche di deposizioni a spruzzo. Indiumzinnoxid (englisch indium tin oxide, ITO) ist ein halbleitender, im sichtbaren Licht weitgehend transparenter Stoff. Es ist ein Mischoxid, üblicherweise aus 90 % Indium(III)-oxid (In2O3) und 10 % Zinn(IV)-oxid (SnO2). 酸化インジウムスズ（さんかインジウムスズ、英: Indium Tin Oxide、ITO）は酸化インジウム(III) (In2O3) と酸化スズ(IV) (SnO2) の無機混合物である。粉末は黄色～灰色であるが、可視光領域の透過率が高いため、薄膜ではほぼ無色透明であり、主に透明電極として用いられる。 Indium tin oxide (ITO) is a ternary composition of indium, tin and oxygen in varying proportions. Depending on the oxygen content, it can be described as either a ceramic or an alloy. Indium tin oxide is typically encountered as an oxygen-saturated composition with a formulation of 74% In, 18% Sn, and 8% O by weight. Oxygen-saturated compositions are so typical that unsaturated compositions are termed oxygen-deficient ITO. It is transparent and colorless in thin layers, while in bulk form it is yellowish to gray. In the infrared region of the spectrum it acts as a metal-like mirror. Indium tin oxide is one of the most widely used transparent conducting oxides because of its electrical conductivity and optical transparency, the ease with which it can be deposited as a thin film, and its chemical resistance to moisture. As with all transparent conducting films, a compromise must be made between conductivity and transparency, since increasing the thickness and increasing the concentration of charge carriers increases the film's conductivity, but decreases its transparency. Thin films of indium tin oxide are most commonly deposited on surfaces by physical vapor deposition. Often used is electron beam evaporation, or a range of sputter deposition techniques.
gold:hypernym
dbr:Composition
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Indium_tin_oxide?oldid=1120850560&ns=0
dbo:wikiPageLength
37149
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Indium_tin_oxide