This HTML5 document contains 287 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dbt	http://dbpedia.org/resource/Template:
n44	http://azb.dbpedia.org/resource/
dbpedia-sv	http://sv.dbpedia.org/resource/
wikipedia-en	http://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-fi	http://fi.dbpedia.org/resource/
dbr	http://dbpedia.org/resource/
n16	http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaN/
dbpedia-sh	http://sh.dbpedia.org/resource/
n32	http://dbpedia.org/resource/AN/
dbpedia-ar	http://ar.dbpedia.org/resource/
n11	http://dbpedia.org/resource/EL/
n27	http://www.ontologydesignpatterns.org/ont/dul/DUL.owl#
dbpedia-he	http://he.dbpedia.org/resource/
n26	http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fr	http://fr.dbpedia.org/resource/
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
rdfs	http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n13	http://dbpedia.org/resource/File:
dbp	http://dbpedia.org/property/
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-uk	http://uk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-sr	http://sr.dbpedia.org/resource/
dbo	http://dbpedia.org/ontology/
dbpedia-vi	http://vi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-pt	http://pt.dbpedia.org/resource/
umbel-rc	http://umbel.org/umbel/rc/
dbpedia-ja	http://ja.dbpedia.org/resource/
dbc	http://dbpedia.org/resource/Category:
dbpedia-pl	http://pl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-de	http://de.dbpedia.org/resource/
n40	http://dbpedia.org/resource/AN/TPS-80_Ground/
dbpedia-ru	http://ru.dbpedia.org/resource/
yago	http://dbpedia.org/class/yago/
n49	http://ta.dbpedia.org/resource/
wikidata	http://www.wikidata.org/entity/
dbpedia-nl	http://nl.dbpedia.org/resource/
gold	http://purl.org/linguistics/gold/
yago-res	http://yago-knowledge.org/resource/
n23	https://global.dbpedia.org/id/
n50	http://hi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-it	http://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ca	http://ca.dbpedia.org/resource/
prov	http://www.w3.org/ns/prov#
foaf	http://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-zh	http://zh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ko	http://ko.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fa	http://fa.dbpedia.org/resource/
dbpedia-es	http://es.dbpedia.org/resource/
freebase	http://rdf.freebase.com/ns/
owl	http://www.w3.org/2002/07/owl#

Statements

Subject Item

dbr:Gallium_nitride

rdf:type

yago:WikicatIII-VCompounds yago:WikicatInorganicCompounds yago:Compound114818238 yago:Compound105870180 yago:Relation100031921 yago:Cognition100023271 yago:Content105809192 yago:WikicatSemiconductorMaterials yago:Substance100019613 yago:WikicatSemiconductors yago:Concept105835747 yago:Part113809207 yago:Chemical114806838 yago:Matter100020827 owl:Thing yago:PsychologicalFeature100023100 yago:Abstraction100002137 n27:ChemicalObject yago:WikicatGalliumCompounds dbo:ChemicalSubstance umbel-rc:ChemicalSubstanceType dbo:ChemicalCompound wikidata:Q11173 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Idea105833840 yago:InorganicCompound114919511 yago:Conductor114821043 dbo:Drug yago:Whole105869584 yago:Semiconductor114821248 yago:Nitride114963317 yago:WikicatCompoundSemiconductors yago:WikicatNitrides yago:Material114580897

rdfs:label

氮化鎵 窒化ガリウム Нітрид галію Galliumnitrid Galliumnitride Galliumnitrid Нитрид галлия Nitrure de gallium Azotek galu نتريد الغاليوم 질화 갈륨 Nitreto de gálio Gallium nitride Nitrur de gal·li Nitruro de galio Nitruro di gallio

rdfs:comment

氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。 نتريد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaN ، ويكون على شكل مسحوق بلوري أصفر . لمادة نتريد الغاليوم تطبيقات متعددة في علوم النانو. Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga.Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid. Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), eine Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet. Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche quest'ultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K. Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3.7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een -zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet. Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K). Используется в качестве полупроводникового материала для изготовления оптоэлектронных приборов ультрафиолетового диапазона; с 1990 года начал широко использоваться в светодиодах. Также в мощных и высокочастотных полупроводниковых приборах. 窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。また、近年ではパワー半導体やレーダーへの応用も期待されている。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。 Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek chemiczny, niewystępujący naturalnie, stosowany głównie jako materiał półprzewodnikowy w optoelektronice, m.in. w laserach półprzewodnikowych (np. niebieski laser), diodach elektroluminescencyjnych, detektorach i przetwornikach elektroakustycznych. Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite (3,4 eV) utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de grande puissance ou de haute fréquence. C'est un composé binaire (groupe III/groupe V) qui possède une semiconductivité intrinsèque. Il est peu sensible aux rayonnements ionisants (comme tous les autres nitrures du groupe III), ce qui fait de lui un matériau approprié pour les panneaux solaires des satellites. El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica, La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau. Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in blue light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure. Its wide band gap of 3.4 eV affords it special properties for applications in optoelectronic, high-power and high-frequency devices. For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without requiring nonlinear optical frequency-doubling. Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах. Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або оксигеном, для провідності p-типу — магнієм. 질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 최근에는 전력 반도체나 레이다 등에도 응용되고 있다. El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LEDs) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV​ le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica,​​ dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia. O nitreto de gálio, fórmula química , é indispensável para diversas das últimas evoluções do campo da tecnologia. Ele é um semicondutor pertencente ao grupo III-V, que compreende o nitreto de gálio, nitreto de alumínio, e ligas ternárias e quaternárias. Esse semicondutor se destaca por possuir um bandgap largo, no valor de eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda na faixa do azul ao ultravioleta. Os filmes produzidos por este material geralmente se cristalizam na estrutura zinc-blend com simetria cúbica ou na estrutura wurtzita com simetria hexagonal. Dependendo das condições de deposição, o crescimento dos filmes pode acontecer ao longo de vários planos. As características deste semicondutor permitem a aplicação na indústria optoeletrônica e na tecnologia de dispositivos eletrônicos

foaf:name

Gallium nitride

dbp:name

Gallium nitride

foaf:depiction

n26:Crystal-GaN.jpg n26:GaN_Wurtzite_polyhedra.png n26:GaNcrystal.jpg n26:FBH_GaN_High_electron_mobility_transistor.jpg

dcterms:subject

dbc:Inorganic_compounds dbc:Gallium_compounds dbc:Wurtzite_structure_type dbc:Nitrides dbc:III-V_semiconductors

dbo:wikiPageID

467198

dbo:wikiPageRevisionID

1124032553

dbo:wikiPageWikiLink

dbr:Laser_diode dbr:Optoelectronic dbc:Inorganic_compounds dbr:Gallium_phosphide dbr:Gallium_arsenide dbr:Silicon_carbide n11:M-2084 dbr:Radiation_hardening dbr:Light-emitting_diode dbr:Saturation_velocity dbr:Terahertz_radiation n13:Crystal-GaN.jpg dbr:Semiconductor dbr:Manganese dbr:CMOS_logic dbc:Gallium_compounds dbr:MOSFET dbr:Zinc_oxide dbc:Wurtzite_structure_type dbr:Romania dbr:Boron_group dbr:GlobalEye dbr:Tensile_stress dbr:Aluminium dbr:Thales_Group dbr:Spintronics dbr:Microwave dbr:Erieye dbr:Trimethylindium dbr:Lithium-ion_battery dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Trimethylgallium dbr:Ground_Master_400 dbr:Indium_gallium_nitride dbr:Satellite dbr:Band_gap dbr:Molecular_beam_epitaxy dbr:Nitrogen dbr:Electronvolt dbr:Dopant dbr:Trimethylaluminium dbr:Heterostructure dbr:Indium dbr:Dislocation dbr:Wurtzite_crystal_structure dbr:Boron_nitride dbr:Lattice_constant dbr:Saab_JAS_39_Gripen dbr:Electrical_resistivity_and_conductivity dbr:Aluminium_gallium_arsenide dbr:Aluminium_gallium_nitride dbr:MOVPE dbr:Depletion_mode dbr:Silicon dbr:Polymer_electrolytes dbr:Triethylgallium dbr:Oxygen dbr:Johnson's_figure_of_merit dbr:Saab_AB dbr:P-type_semiconductor dbr:Nitride dbr:Aluminium_nitride dbr:Electric_field dbr:Enhancement-mode dbr:Active_electronically_scanned_array dbr:Transition_metal n32:TPQ-36_Firefinder_radar dbr:Power_transmission dbr:Thin_film n32:TPQ-37_Firefinder_radar dbr:Giraffe_radar dbr:Indium_nitride n32:TPQ-53_Quick_Reaction_Capability_Radar dbr:Heat_capacity dbr:Microwave_oven dbr:Magnetic_semiconductor dbr:Knoop_hardness_test dbr:Radio-frequency dbr:Ionizing_radiation dbr:Solar_cell dbr:Elta_Systems dbr:X_band dbr:Laser dbr:Public_utility dbr:Semiconductor_devices dbc:Nitrides dbr:Hydrogen dbr:Transient_state dbr:Latvia dbr:Compound_(chemistry) dbr:Breakdown_voltages n40:Air_Task_Oriented_Radar dbr:Nitrogen_group dbr:Gallium_nitride_nanotube dbr:Electronics dbr:Transistor dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Lockheed_Martin dbr:Gallium_arsenide_phosphide dbr:LED dbr:Epitaxy dbr:Schottky_diode dbr:Second-harmonic_generation dbr:N-type_semiconductor n13:FBH_GaN_High_electron_mobility_transistor.jpg dbr:Blu-ray_Disc dbc:III-V_semiconductors dbr:Schottky_barrier_diode dbr:Velocity dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:Metalorganic_vapour_phase_epitaxy dbr:United_States_Army dbr:Gallium_antimonide dbr:United_States_Army_Research_Laboratory dbr:Electron_mobility dbr:Field-effect_transistor dbr:Steady_state dbr:Molecular-beam_epitaxy dbr:Wide-bandgap_semiconductor dbr:Magnetron dbr:Biocompatible dbr:Gallium dbr:Direct_bandgap dbr:Wurtzite_(crystal_structure) dbr:Ammonia dbr:MESFET dbr:Sapphire dbr:FPS-117

dbo:wikiPageExternalLink

n16:index.html

owl:sameAs

dbpedia-zh:氮化鎵 dbpedia-ca:Nitrur_de_gal·li dbpedia-vi:Gali_nitride dbpedia-de:Galliumnitrid dbpedia-fa:نیترید_گالیم dbpedia-es:Nitruro_de_galio dbpedia-ja:窒化ガリウム n23:3oTgb dbpedia-he:גליום_ניטריד dbpedia-pt:Nitreto_de_gálio dbpedia-fr:Nitrure_de_gallium dbpedia-sv:Galliumnitrid dbpedia-sh:Galijum_nitrid dbpedia-ar:نتريد_الغاليوم freebase:m.02c_b0 dbpedia-uk:Нітрид_галію wikidata:Q411713 yago-res:Gallium_nitride dbpedia-fi:Galliumnitridi dbpedia-it:Nitruro_di_gallio dbpedia-nl:Galliumnitride n44:نیترید_قالیوم dbpedia-ko:질화_갈륨 dbpedia-ru:Нитрид_галлия dbpedia-pl:Azotek_galu dbpedia-sr:Galijum_nitrid n49:காலியம்_நைட்ரைடு n50:गैलियम_नाइट्राइड

dbp:wikiPageUsesTemplate

dbt:About dbt:Cascite dbt:Citation_needed dbt:Chembox_Structure dbt:Chembox_Thermochemistry dbt:Chembox_Related dbt:Chemspidercite dbt:Use_dmy_dates dbt:Authority_control dbt:Fdacite dbt:! dbt:Reflist dbt:Chem2 dbt:Commons_category dbt:Chembox_Hazards dbt:Chembox_Identifiers dbt:Stdinchicite dbt:Chembox dbt:Chembox_Properties dbt:Nitrides dbt:Gallium_compounds dbt:Rp

dbo:thumbnail

n26:GaNcrystal.jpg?width=300

dbp:imagefile

GaNcrystal.jpg GaN Wurtzite polyhedra.png

dbp:iupacname

Gallium nitride

dbp:othernames

gallium nitride

dbp:verifiedrevid

476994965

dbp:watchedfields

changed

dbo:abstract

Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in blue light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure. Its wide band gap of 3.4 eV affords it special properties for applications in optoelectronic, high-power and high-frequency devices. For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without requiring nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitivity to ionizing radiation is low (like other group III nitrides), making it a suitable material for solar cell arrays for satellites. Military and space applications could also benefit as devices have shown stability in high radiation environments. Because GaN transistors can operate at much higher temperatures and work at much higher voltages than gallium arsenide (GaAs) transistors, they make ideal power amplifiers at microwave frequencies. In addition, GaN offers promising characteristics for THz devices. Due to high power density and voltage breakdown limits GaN is also emerging as a promising candidate for 5G cellular base station applications. Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga.Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid. O nitreto de gálio, fórmula química , é indispensável para diversas das últimas evoluções do campo da tecnologia. Ele é um semicondutor pertencente ao grupo III-V, que compreende o nitreto de gálio, nitreto de alumínio, e ligas ternárias e quaternárias. Esse semicondutor se destaca por possuir um bandgap largo, no valor de eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda na faixa do azul ao ultravioleta. Os filmes produzidos por este material geralmente se cristalizam na estrutura zinc-blend com simetria cúbica ou na estrutura wurtzita com simetria hexagonal. Dependendo das condições de deposição, o crescimento dos filmes pode acontecer ao longo de vários planos. As características deste semicondutor permitem a aplicação na indústria optoeletrônica e na tecnologia de dispositivos eletrônicos, reduzindo custos de produção, diminuindo o tamanho e a massa dos dispositivos, aumentando a eficiência, além de diminuir o impacto ambiental. Recentemente, o tem sido sujeito a extensivas investigações experimentais para dispositivos optoeletronicos e tem experimentado continuo progresso e melhorias nas técnicas de crescimento de cristais. * Estrutura hexagonal wurtzita * Estrutura cúbica zinc-blend Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche quest'ultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K. Diversamente da tutti i semiconduttori del gruppo III-V a larga energia di gap, il GaN ha un band gap diretto, che lo rende utilizzabile per la realizzazione di laser blu e LED. In questo materiale, l'energia di legame degli eccitoni, misurata sperimentalmente, varia tra i 18 ed i 28 meV. Il fondo della banda di conduzione è ben approssimato da una relazione di dispersione parabolica, il fondo delle valli adiacenti si trova invece ad energie maggiori di almeno 2 eV. Per descrivere la struttura a bande del GaN sotto deformazione (strain), sono necessari sei potenziali di deformazione, più il tensore di strain ed il potenziale di deformazione idrostatica totale. G. B. Ren, Y. M. Liu e P. Blood hanno proposto un insieme di parametri che modellano correttamente il calcolo della struttura a bande; per quanto riguarda invece il calcolo delle costanti elastiche la teoria si allinea ai risultati di A. Polian, M. Grimsditch e I. Grzegory; i coefficienti piezoelettrici utilizzati di norma sono invece calcolati da una media tra i lavori sperimentali di Bykhovki, Lueng e Shimada e quelli teorici di Bernardini e Fiorentini. 窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。また、近年ではパワー半導体やレーダーへの応用も期待されている。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。 El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica, La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau. Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek chemiczny, niewystępujący naturalnie, stosowany głównie jako materiał półprzewodnikowy w optoelektronice, m.in. w laserach półprzewodnikowych (np. niebieski laser), diodach elektroluminescencyjnych, detektorach i przetwornikach elektroakustycznych. 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。 Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3.7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een -zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet. Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах. Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або оксигеном, для провідності p-типу — магнієм. Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K). Используется в качестве полупроводникового материала для изготовления оптоэлектронных приборов ультрафиолетового диапазона; с 1990 года начал широко использоваться в светодиодах. Также в мощных и высокочастотных полупроводниковых приборах. Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite (3,4 eV) utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de grande puissance ou de haute fréquence. C'est un composé binaire (groupe III/groupe V) qui possède une semiconductivité intrinsèque. Il est peu sensible aux rayonnements ionisants (comme tous les autres nitrures du groupe III), ce qui fait de lui un matériau approprié pour les panneaux solaires des satellites. El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LEDs) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV​ le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica,​​ dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia. Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), eine Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet. 질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 최근에는 전력 반도체나 레이다 등에도 응용되고 있다. نتريد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaN ، ويكون على شكل مسحوق بلوري أصفر . لمادة نتريد الغاليوم تطبيقات متعددة في علوم النانو.

gold:hypernym

dbr:Semiconductor

prov:wasDerivedFrom

wikipedia-en:Gallium_nitride?oldid=1124032553&ns=0

dbo:wikiPageLength

36529

dbo:alternativeName

gallium(III) nitride

dbo:iupacName

Gallium nitride

foaf:isPrimaryTopicOf

wikipedia-en:Gallium_nitride