This HTML5 document contains 186 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
yago-reshttp://yago-knowledge.org/resource/
n32http://www.opfocus.org/
n31https://www.anandtech.com/show/13904/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
n6http://dbpedia.org/resource/File:
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
n23https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
n8http://henke.lbl.gov/optical_constants/
n4http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n7https://web.archive.org/web/20110723211724/http:/semimd.com/blog/2011/03/25/euv-mask-cleaning-presents-economic-challenges/
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
n24https://www.eetimes.com/
n15http://www.mhprofessional.com/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbphttp://dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Extreme_ultraviolet_lithography
rdf:type
owl:Thing dbo:Company
rdfs:label
الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة EUV-Lithografie 极紫外光刻 Litografia ultravioletta estrema Lithographie extrême ultraviolet Litografía ultravioleta extrema 極端紫外線リソグラフィ Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica) Extreme ultraviolet lithography Фотолитография в глубоком ультрафиолете
rdfs:comment
La litografía ultravioleta extrema (también conocida como EUV, UVE, EUVL o LUVE) es una tecnología de litografía que utiliza una gama de longitudes de onda ultravioleta extrema (UVE), que abarca aproximadamente un ancho de banda de 2 % FWHM de aproximadamente 13,5 nm.​​​​ Extreme ultraviolet lithography (also known as EUV or EUVL) is an optical lithography technology used in steppers, machines that make integrated circuits (ICs) for computers and other electronic devices. It uses a range of extreme ultraviolet (EUV) wavelengths, roughly spanning a 2% FWHM bandwidth about 13.5 nm, to produce a pattern by exposing reflective photomask to UV light which gets reflected onto a substrate covered by photoresist. It is widely applied in semiconductor device fabrication process. Fotolitografia ultraviolada extrema (també coneguda per EUV o EUVL), en electrònica, és una tecnologia de fotolitografia de pròxima generació que empra llum longitud d'ona d'ultraviolat extrem (radiació ultraviolada d'alta energia) de 13,5 nm. La tecnologia EUVL està en fase de desenvolupament i estarà en producció massiva cap al 2020. EUVL és necessària per a continuar augmentant la densitat de transistors segons la llei de Moore. La Litografia ultravioletta estrema o EUVL (dall’inglese Extreme ultraviolet lithography) è una tecnica di litografia che sfrutta un fascio luminoso dell’estremo ultravioletto a lunghezza d’onda pari a 13,5 nm per incidere un wafer di semiconduttore (Silicio). L’introduzione di questa tecnologia ha permesso di trovare posto per un numero sempre maggiore di transistor sui chip, incrementandone sensibilmente le prestazioni. Sul mercato attuale alcune aziende sono dotate di questa tecnologia, consentendo processi di produzione litografica con risoluzione di 7nm. 極紫外光微影、超紫外線平版印刷術（英語：Extreme ultraviolet lithography，亦稱EUV或EUVL）是一种使用極紫外光（EUV）波長的技術，目前使用7納米，2020年得到廣泛應用 。 透過高能量、波長短的光源，將光罩上的電路圖案轉印到晶圓的光阻劑塗層。EUV光源波長比目前DUV（）的光源波長短，約為15分之1，因此能使用於線距更小電路圖案的曝光上。然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同，當採用13.5nm波長的極紫外光微影技術時，所有的光罩材料都是不透光的，因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜EUV光罩一方面可維持光罩的反射率，但另一方面會影響臨界線寬、輪廓、刻線邊緣粗糙度、選擇性和缺陷控制方面，而造成獨特的蝕刻效果。 極端紫外線リソグラフィ (Extreme ultraviolet lithography、略称：EUVリソグラフィ または EUVL) は、、波長13.5 nmにて露光する次世代露光技術である。 الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة (بالإنجليزية: Extreme ultraviolet lithography)‏ (المعروفة أيضاً باسم EUV أو EUVL) هي تقنية طباعة حجرية ضوئية باستخدام مجموعة من الأطوال الموجية فوق البنفسجية المتطرفة ، والتي تمتد تقريباً على نطاق واسع يبلغ 2% من FWM حوالي 13.5 نانومتر. اعتبارا من عام 2020 ، سامسونغ و TSMC التايوانية هي الشركات الوحيدة التي استخدمت تقنية 5 نانومتر. * بوابة تقانة النانو La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »). Il permet ainsi une résolution inférieure à 45 nm. C’est une technologie prometteuse pour le développement industriel des gravures inférieures à 10 nm. EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Fotolithografie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung (englisch extreme ultra violet, EUV).EUV-Lithografie ermöglicht es, nach Ausreizen bisheriger Belichtungsmethoden die Strukturverkleinerung in der Halbleiterindustrie fortzusetzen, um kleinere, effizientere und schnellere integrierte Schaltkreise herstellen zu können. Фотолитография в глубоком ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL — экстремальная ультрафиолетовая литография) — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов . Использует свет ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм, т.е. почти рентгеновское излучение.
foaf:depiction
n4:H_and_V_shadowing_across_EUV_slit.png n4:EUV_attPSM_near_field_phase.png n4:EUV_photoelectrons_and_secondaries_(vector).svg n4:EUV_pupil_wavelength_dependence.png n4:EUV_H-V_Best_Focus.png n4:EUV_High-NA_stochastic_sidelobes.png n4:64_nm_pitch_EUV_shot_noise.png n4:EUV_SMO_effectiveness_vs._pitch.png n4:Atomic_hydrogen_in_multilayer.png n4:EUV_Stochastic_Hot_Spots.png n4:Impact_of_electron_spread_function.png n4:Rotated_EUV_illumination_through_slit.png n4:NXE3400_TPT_vs_dose.png n4:Assist_feature_OPC.png n4:Secondary_electron_blur_vs_dose.png n4:Defocus_pattern_shift_vs_wavelength.png n4:High-NA_EUV_forbidden_illumination_combinations.png n4:Photoelectron_trajectories_vs_dose.png n4:Outgassing_contamination_vs_dose.png n4:Extreme_ultraviolet_lithography_tool.jpg n4:36_nm_pitch_2-bar_CD_delta_vs_focus.png n4:Via_Triple_Patterning_for_EUV.png n4:Electron_travel_(Monte_Carlo).png n4:Line_end_stochastic.png n4:PFR_loss_of_productivity_at_smaller_pitch.png n4:EUVL_printable_defects.png n4:30_nm_pitch_different_dipoles_different_shifts.png
dcterms:subject
dbc:Lithography_(microfabrication) dbc:Extreme_ultraviolet
dbo:wikiPageID
2154371
dbo:wikiPageRevisionID
1119189852
dbo:wikiPageWikiLink
n6:64_nm_pitch_EUV_shot_noise.png dbr:Full_width_at_half_maximum n6:30_nm_pitch_different_dipoles_different_shifts.png dbr:Reflectance dbr:Hoya_Corporation dbr:MIT_Technology_Review dbr:Poisson_distribution dbr:Netherlands dbr:Canon_Inc. dbr:Maskless_lithography dbr:International_Electron_Devices_Meeting dbr:AGC_Inc. dbr:Optical_proximity_correction n6:Extreme_ultraviolet_lithography_tool.jpg dbr:Chromatic_aberration n6:Secondary_electron_blur_vs_dose.png dbr:Moore's_law dbr:Integrated_circuit dbr:China dbr:Carl_Zeiss_AG dbr:Excimer_laser dbr:Shot_noise dbr:Nanometer dbr:Nanometre dbr:Photoresist n6:Impact_of_electron_spread_function.png dbr:Extreme_ultraviolet n6:Rotated_EUV_illumination_through_slit.png dbr:Japan dbc:Extreme_ultraviolet dbc:Lithography_(microfabrication) n6:EUV_SMO_effectiveness_vs._pitch.png n6:EUV_Stochastic_Hot_Spots.png dbr:Carbon n6:EUV_attPSM_near_field_phase.png n6:EUV_photoelectrons_and_secondaries_(vector).svg n6:EUV_pupil_wavelength_dependence.png dbr:Plasma_(physics) dbr:McGraw-Hill_Professional dbr:Molybdenum dbr:Hydrogen dbr:Off-axis_illumination n6:EUVL_printable_defects.png n6:High-NA_EUV_forbidden_illumination_combinations.png n6:EUV_H-V_Best_Focus.png n6:Defocus_pattern_shift_vs_wavelength.png n6:EUV_High-NA_stochastic_sidelobes.png dbr:Stepper dbr:Pellicle_mirror n6:Photoelectron_trajectories_vs_dose.png dbr:Ions n6:PFR_loss_of_productivity_at_smaller_pitch.png n6:H_and_V_shadowing_across_EUV_slit.png dbr:Argon_fluoride_laser dbr:Ionization n6:Outgassing_contamination_vs_dose.png dbr:Phase-shift_mask dbr:UV dbr:Condenser_(optics) dbr:Photomask dbr:Multiple_patterning dbr:Krypton_fluoride_laser dbr:Bragg_diffraction dbr:Laser n6:NXE3400_TPT_vs_dose.png dbr:ASML_Holding dbr:Photolithography dbr:Immersion_lithography dbr:Silicon dbr:Nikon n6:Via_Triple_Patterning_for_EUV.png dbr:Electron_beam dbr:United_States n6:Electron_travel_(Monte_Carlo).png n6:Assist_feature_OPC.png n6:Atomic_hydrogen_in_multilayer.png dbr:Computer dbr:Tin n6:Line_end_stochastic.png dbr:Wafer_(electronics) dbr:Optical_aberrations dbr:Semiconductor_device_fabrication n6:36_nm_pitch_2-bar_CD_delta_vs_focus.png dbr:SnH4 dbr:Deep_UV
dbo:wikiPageExternalLink
n7: n8:multi2.html n15:product.php%3Fisbn=0-07-154918-8 n24:industry-mulls-6-7-nm-wavelength-euv n31:asml-to-ship-30-euv-scanners-in-2019 n32:index.php%3Ftopic=story&v=7&s=4
owl:sameAs
dbpedia-es:Litografía_ultravioleta_extrema dbpedia-ar:الأشعة_فوق_البنفسجية_المتطرفة dbpedia-fa:لیتوگرافی_فرابنفش_فرین dbpedia-de:EUV-Lithografie n23:3SAJr freebase:m.06qsy6 dbpedia-it:Litografia_ultravioletta_estrema dbpedia-ru:Фотолитография_в_глубоком_ультрафиолете dbpedia-fr:Lithographie_extrême_ultraviolet wikidata:Q371965 dbpedia-ca:Fotolitografia_ultraviolada_extrema_(electrònica) dbpedia-ja:極端紫外線リソグラフィ dbpedia-zh:极紫外光刻 yago-res:Extreme_ultraviolet_lithography
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Reflist dbt:Authority_control dbt:Toclimit dbt:= dbt:Levels_of_technological_manipulation_of_matter dbt:Primary_source_inline dbt:Short_description dbt:Microtechnology dbt:Cite_journal dbt:Cite_book dbt:0 dbt:Legend dbt:Nanolith
dbo:thumbnail
n4:EUV_photoelectrons_and_secondaries_(vector).svg?width=300
dbo:abstract
Fotolitografia ultraviolada extrema (també coneguda per EUV o EUVL), en electrònica, és una tecnologia de fotolitografia de pròxima generació que empra llum longitud d'ona d'ultraviolat extrem (radiació ultraviolada d'alta energia) de 13,5 nm. La tecnologia EUVL està en fase de desenvolupament i estarà en producció massiva cap al 2020. EUVL és necessària per a continuar augmentant la densitat de transistors segons la llei de Moore. 極紫外光微影、超紫外線平版印刷術（英語：Extreme ultraviolet lithography，亦稱EUV或EUVL）是一种使用極紫外光（EUV）波長的技術，目前使用7納米，2020年得到廣泛應用 。 透過高能量、波長短的光源，將光罩上的電路圖案轉印到晶圓的光阻劑塗層。EUV光源波長比目前DUV（）的光源波長短，約為15分之1，因此能使用於線距更小電路圖案的曝光上。然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同，當採用13.5nm波長的極紫外光微影技術時，所有的光罩材料都是不透光的，因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜EUV光罩一方面可維持光罩的反射率，但另一方面會影響臨界線寬、輪廓、刻線邊緣粗糙度、選擇性和缺陷控制方面，而造成獨特的蝕刻效果。 Extreme ultraviolet lithography (also known as EUV or EUVL) is an optical lithography technology used in steppers, machines that make integrated circuits (ICs) for computers and other electronic devices. It uses a range of extreme ultraviolet (EUV) wavelengths, roughly spanning a 2% FWHM bandwidth about 13.5 nm, to produce a pattern by exposing reflective photomask to UV light which gets reflected onto a substrate covered by photoresist. It is widely applied in semiconductor device fabrication process. As of 2022, ASML Holding is the only company who produces and sells EUV systems for chip production, targeting 5 nm and 3 nm. At the 2019 International Electron Devices Meeting (IEDM), TSMC reported use of EUV for 5 nm in contact, via, metal line, and cut layers, where the cuts can be applied to fins, gates or metal lines. At IEDM 2020, TSMC reported their 5 nm minimum metal pitch to be reduced 30% from that of 7 nm, which was 40 nm. Samsung's 5 nm is lithographically the same design rule as 7 nm, with a minimum metal pitch of 36 nm. EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Fotolithografie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung (englisch extreme ultra violet, EUV).EUV-Lithografie ermöglicht es, nach Ausreizen bisheriger Belichtungsmethoden die Strukturverkleinerung in der Halbleiterindustrie fortzusetzen, um kleinere, effizientere und schnellere integrierte Schaltkreise herstellen zu können. الأشعة فوق البنفسجية المتطرفة (بالإنجليزية: Extreme ultraviolet lithography)‏ (المعروفة أيضاً باسم EUV أو EUVL) هي تقنية طباعة حجرية ضوئية باستخدام مجموعة من الأطوال الموجية فوق البنفسجية المتطرفة ، والتي تمتد تقريباً على نطاق واسع يبلغ 2% من FWM حوالي 13.5 نانومتر. وفي حين أن تكنولوجيا EUV متاحة لإنتاج الكتل ، فإن 53 آلة فقط في جميع أنحاء العالم قادرة على إنتاج الرقاقات باستخدام هذه التقنية قد تم تسليمها خلال عامي 2018 و 2019 ، بينما تم تسليم 201 نظام غمر للتصوير الضوئي خلال نفس الفترة. (يمكن أن تصل تكلفة ماسحات الاتحاد الأوروبي التابعة لشركة إسميل إلى 120 مليون دولار من دولارات الولايات المتحدة ، ووقت ارتفاع الأدوات والظواهر العشوائية ، آخر NXE:وقد تم تزويد 3400 أداة بقدرة أقل على ملء التلاميذ لتصوير أفضل ، ولكن ذلك يؤدي إلى انخفاض الإنتاجية بسبب الاستخدام المحدود لحقل التعرض. اعتبارا من عام 2020 ، سامسونغ و TSMC التايوانية هي الشركات الوحيدة التي استخدمت تقنية 5 نانومتر. * بوابة تقانة النانو 極端紫外線リソグラフィ (Extreme ultraviolet lithography、略称：EUVリソグラフィ または EUVL) は、、波長13.5 nmにて露光する次世代露光技術である。 La litografía ultravioleta extrema (también conocida como EUV, UVE, EUVL o LUVE) es una tecnología de litografía que utiliza una gama de longitudes de onda ultravioleta extrema (UVE), que abarca aproximadamente un ancho de banda de 2 % FWHM de aproximadamente 13,5 nm.​​​​ Si bien la tecnología UVE está disponible para la producción en masa, menos de cincuenta máquinas en todo el mundo son capaces de producir obleas utilizando la técnica;​ en comparación, a partir de 2013, más de 200 sistemas de inmersión en litografía ultravioleta profunda (UVP o DUV por sus siglas en inglés) ya estaban implementados.​ A partir del tercer trimestre de 2019, 5,7 millones de obleas han sido expuestas en herramientas de producción de UVE; Se expusieron 1,7 millones de obleas solo en Q1-Q3, mientras que el número de herramientas aumentó de 31 a 45 (del orden de 10 WPH por herramienta).​ Los problemas que dificultan la adopción de UVE son los costos de las herramientas (los escáneres UVE de ASML pueden costar hasta US$120 millones),​​ tiempo de actividad de la herramienta y fenómenos estocásticos.​ A partir de 2022, ASML Holding es la única empresa que produce y vende sistemas UVE para la producción de chips, principalmente dirigidos a 5 nm. En el International Electron Devices Meeting (IEDM) de 2019, TSMC informó del uso de UVE para 5 nm en capas de contacto, vías, líneas metálicas y cortes, donde los cortes pueden aplicarse a aletas, puertas o líneas metálicas.​​ La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »). Il permet ainsi une résolution inférieure à 45 nm. C’est une technologie prometteuse pour le développement industriel des gravures inférieures à 10 nm. Фотолитография в глубоком ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL — экстремальная ультрафиолетовая литография) — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов . Использует свет ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм, т.е. почти рентгеновское излучение. La Litografia ultravioletta estrema o EUVL (dall’inglese Extreme ultraviolet lithography) è una tecnica di litografia che sfrutta un fascio luminoso dell’estremo ultravioletto a lunghezza d’onda pari a 13,5 nm per incidere un wafer di semiconduttore (Silicio). L’introduzione di questa tecnologia ha permesso di trovare posto per un numero sempre maggiore di transistor sui chip, incrementandone sensibilmente le prestazioni. Sul mercato attuale alcune aziende sono dotate di questa tecnologia, consentendo processi di produzione litografica con risoluzione di 7nm.
gold:hypernym
dbr:Technology
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Extreme_ultraviolet_lithography?oldid=1119189852&ns=0
dbo:wikiPageLength
115086
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Extreme_ultraviolet_lithography