This HTML5 document contains 388 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
n31http://bn.dbpedia.org/resource/
dbpedia-nohttp://no.dbpedia.org/resource/
dbpedia-svhttp://sv.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-bghttp://bg.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fihttp://fi.dbpedia.org/resource/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-shhttp://sh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-hrhttp://hr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ethttp://et.dbpedia.org/resource/
dbpedia-hehttp://he.dbpedia.org/resource/
n63http://ml.dbpedia.org/resource/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
n46http://
n43http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
dbpedia-cshttp://cs.dbpedia.org/resource/
dbpedia-azhttp://az.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n23http://dbpedia.org/resource/File:
dbphttp://dbpedia.org/property/
dbpedia-euhttp://eu.dbpedia.org/resource/
n22http://CMOSVLSI.com/
n44http://ur.dbpedia.org/resource/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-idhttp://id.dbpedia.org/resource/
dbpedia-srhttp://sr.dbpedia.org/resource/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
dbpedia-vihttp://vi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-pthttp://pt.dbpedia.org/resource/
dbpedia-skhttp://sk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-huhttp://hu.dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/
n26http://lasihomesite.com/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbpedia-plhttp://pl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbpedia-rohttp://ro.dbpedia.org/resource/
n51http://ta.dbpedia.org/resource/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
dbpedia-nlhttp://nl.dbpedia.org/resource/
yago-reshttp://yago-knowledge.org/resource/
n59https://web.archive.org/web/20110719014039/http:/tams-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/cmos/
n4https://global.dbpedia.org/id/
n57http://kn.dbpedia.org/resource/
n60http://dbpedia.org/resource/S:
n36http://hi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
dbpedia-nnhttp://nn.dbpedia.org/resource/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
dbpedia-behttp://be.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
dbpedia-trhttp://tr.dbpedia.org/resource/
n34https://archive.org/details/
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
n27https://djena.engineering.cornell.edu/papers/2020/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#

Statements

Subject Item
dbr:CMOS
rdf:type
yago:WikicatLogicFamilies dbo:Company owl:Thing yago:Organization108008335 yago:YagoLegalActor yago:YagoLegalActorGeo yago:YagoPermanentlyLocatedEntity yago:Family108078020 yago:SocialGroup107950920 yago:Abstraction100002137 yago:Unit108189659 yago:Group100031264
rdfs:label
CMOS 互補式金屬氧化物半導體 CMOS CMOS Semiconductor complementario de óxido metálico Complementary metal oxide semi-conductor CMOS CMOS CMOS КМОН КМОП CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS سيموس Complementary metal-oxide-semiconductor
rdfs:comment
El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base. Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) atau semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data, dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858). CMOS (ang. Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) – technologia wytwarzania układów scalonych, głównie cyfrowych, składających się z tranzystorów MOS o przeciwnym typie przewodnictwa i połączonych w taki sposób, że w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich. Dzięki temu układ statycznie nie pobiera żadnej mocy (pomijając niewielki prąd wyłączenia tranzystora), a prąd ze źródła zasilania płynie tylko w momencie przełączania – gdy przez bardzo krótką chwilę przewodzą jednocześnie oba tranzystory. Tracona w układach CMOS moc wzrasta nieliniowo wraz z częstotliwością przełączania, co wiąże się z przeładowywaniem wszystkich pojemności, szczególnie tych obciążających wyjścia. CMOS (anglicky Complementary Metal–Oxide–Semiconductor) je způsob vytváření logických členů vynalezený v 60. letech 20. století a zároveň technologie, kterou se po roce 1985 vyrábí naprostá většina logických integrovaných obvodů, včetně mikroprocesorů, jednočipových počítačů a elektronických pamětí, ale také analogových obvodů, jako jsou snímače obrazu, datové konvertory, zesilovače a transceivery používané v telekomunikacích. CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、Fairchild Semiconductor社のFrank Wanlassが考案し、翌1963年にWanlassとChih-Tang Sahが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。CMOSは、1980年代にNMOSを抜いてVLSI用MOSFETの主流となり、TTL（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）技術も置き換えた。その後、CMOSはVLSIチップに搭載されるMOSFET半導体デバイスの標準的な製造プロセスであり続けている。2011年現在、ほとんどのデジタル、アナログ、ミックスドシグナルICを含むICチップの99%がCMOS技術で製造されている。 Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS, pronounced "sea-moss", /siːmɑːs/, /-ɒs/) is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) fabrication process that uses complementary and symmetrical pairs of p-type and n-type MOSFETs for logic functions. CMOS technology is used for constructing integrated circuit (IC) chips, including microprocessors, microcontrollers, memory chips (including CMOS BIOS), and other digital logic circuits. CMOS technology is also used for analog circuits such as image sensors (CMOS sensors), data converters, RF circuits (RF CMOS), and highly integrated transceivers for many types of communication. CMOS står för Complementary Metal Oxide Semiconductor, komplementär MOS, och är ett sätt att konstruera integrerade kretsar. Här används fälteffekttransistorer av P-kanal- och N-kanaltyp i kombination för att bygga upp logiska grindar som drar obetydlig ström, utom i de ögonblick grinden byter tillstånd. Tekniken är en förutsättning för dagens höga packningstäthet i integrerade kretsar. Kretsar av CMOS-typ används bland annat som bildsensor i digitalkameror. أشباه الموصّلات ذات الأكاسيد المعدنية المُتتامة (بالإنجليزية: Complementary Metal Oxide Semiconductor اختصاراً CMOS)‏ وتقرأ سيموس، هي تقنية مستخدمة في بناء الدوائر الإلكترونية المتكاملة. تحتوي شريحة CMOS على معالج دقيق ( معالج دقيق) ومتحكم دقيق ( متحكم دقيق)وذاكرة عشوائية ساكنة ( ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة) بالإضافة إلى أنواع أخرى من دوائر المنطق الرقمي.يستخدم ال CMOS العديد من الدوائر التناظرية مثل أجهزة استشعار الصور ومحولات البيانات وأجهزة الإرسال والاستقبال لعدد من الانواع المختلفة من انظمة الاتصالات. Il CMOS (acronimo di complementary metal-oxide semiconductor) è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET. 互補式金屬氧化物半導體（英語：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，縮寫作CMOS；簡稱互補式金氧半導體），是一種積體電路的設計製程，可以在矽質晶圓模板上製出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由於NMOS與PMOS在物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。此一般的製程上，可用來製作電腦電器的靜態隨機存取記憶體、微控制器、微處理器與其他數位邏輯電路系統、以及除此之外，經過一些不同的加工處理後，可以實現比較特別的技術特性，使它可以用於光學儀器上，例如互補式金氧半图像传感裝置在一些高級數位相機中變得很常見，反而使得CMOS現在主要是感光元件的代名詞。 互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟動與關閉時才需消耗能量的優點，因此非常節省電力且發熱量少，且製程上也是最基礎而最常用的半導體元件。早期的唯讀記憶體主要就是以这种電路制作的，由於當時電腦系統的BIOS程序和参数信息都保存在ROM和SRAM中，以致在很多情况下，當人们提到「CMOS」時，实际上指的是電腦系統之中的BIOS單元，而一般的「CMOS设置」就是意指在设定BIOS的內容。 КМОН структура або КМОН транзистор (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — являє собою вид технічного процесу виготовлення польового МОН — транзистора (англ. MOSFET), що використовує симетричні комплементарні пари МОН транзисторів p-типу та n-типу для реалізації логічних функцій. Технологія КМОН використовується для побудови інтегральних мікросхем (ІС), таких як мікропроцесори, мікроконтролери, мікросхеми пам'яті та інші цифрові логічні схеми. Технологія КМОН використовується також для аналогових схем, таких як датчики зображення, перетворювачі даних, радіочастотні схеми та високо інтегровані приймачі для багатьох типів зв'язку. On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR, etc.) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable. CMOS, també conegut com a Metall Òxid Semiconductor Complementari (de l'anglès: Complementary Metall Oxide Semiconductor, CMOS) és una tecnologia per a la construcció de circuits integrats. La tecnologia CMOS es fa servir en microprocessadors, microcontroladors, SRAM i en circuits de lògica digital, i també en circuits analògics com sensors d'imatge, i transceptors integrats per a diferents tipus de comunicació. La tecnologia CMOS va ser patentada per el 1967 (US patent 3,356,858). La tecnologia CMOS també és anomenada complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (o COS-MOS) Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk. CMOS, ist eine Bezeichnung für Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden. Unter CMOS-Technik versteht man * sowohl den verwendeten Halbleiterprozess, der zur Realisierung von integrierten digitalen wie analogen Schaltungen (ICs) verwendet wird, * als auch eine Logikfamilie, die 4000er-Serie. Complementary metal–oxide–semiconductor, mais conhecido pelo seu nome comercial CMOS, também sendo nomeado como complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar. É um tipo de processo de fabricação que utiliza silício para a criação de MOSFET (transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor) que foi criado por Frank Wanlass e em 1963, processo este que utiliza complementos e pares simétricos de MOSFETs do tipo p e do tipo n para funções lógicas. A tecnologia CMOS é usada para construir chips de circuito integrado (CI), incluindo microprocessadores, microcontroladores, chips de memória (incluindo BIOS CMOS) e outros circuitos lógicos digitais, onde os chips são associ Complementary metal oxide semiconductor of CMOS is een halfgeleidertechniek die gebruikmaakt van metaaloxide-veldeffecttransistoren met zowel n- als p-typegeleiding. Door deze complementaire schakeling zijn circuits ofwel met de negatieve ofwel met de positieve voedingsspanning verbonden, terwijl de tegenoverliggende transistor niet geleidt, waardoor de schakeling vrijwel geen stroom verbruikt als er niet geschakeld wordt. CMOS werd in 1967 gepatenteerd door Frank Wanlass. CMOS edo MOS osagarria zirkuitu integratuak egiteko erabiltzen den bat da. CMOS ingelerazko Complementary metal–oxide–semiconductor hitzetatik dator (Metal Oxido Erdieroale Osagarria euskaraz). CMOS teknlogia mikroprozesadoreetan, mikrokontrolagailuetan, eta beste zirkuitu digital askotan erabiltzen dira. Horrez gain, hainbat erabiliak dira, besteak beste: irudi-sentsoreetan, datu-bihurgailuetan eta integrazio-maila altuko . Frank Wanlassek patentatu zuen CMOS teknologia 1967an (US Patent 3,356,858). CMOS(complementary metal–oxide–semiconductor, 시모스) 또는 COS-MOS(complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor)는 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 상보성 금속 산화막 반도체(相補性 金屬 酸化膜 半導體)라는 용어도 통용된다. КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) — набор полупроводниковых технологий построения интегральных микросхем и соответствующая ей схемотехника микросхем. Подавляющее большинство современных цифровых микросхем — КМОП. По аналогичной технологии выпускаются дискретные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).
rdfs:seeAlso
dbr:4000-series_integrated_circuits dbr:IC_power-supply_pin
foaf:depiction
n43:CMOS_inverter.svg n43:CMOS_Inverter.svg n43:CMOS_NAND.svg n43:CMOS_NAND_Layout.svg n43:CMOS_fabrication_process.svg n43:Cmos_impurity_profile.png
dcterms:subject
dbc:MOSFETs dbc:Electronic_design dbc:Digital_electronics dbc:Integrated_circuits dbc:Logic_families
dbo:wikiPageID
49420
dbo:wikiPageRevisionID
1124670634
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Analog_circuit dbr:Intersil_6100 dbr:Transistor dbr:Silicon dbr:Liquid_helium dbr:802.11 dbr:Micron_Technology dbr:Mixed-signal dbr:FEOL dbr:Clock_signal dbr:Baseband_processor dbr:500_nanometer dbr:OR_gate dbr:Integrated_circuit dbr:Logic_family dbr:350_nanometer dbr:Watches dbr:Fujitsu dbr:Logic_gate dbr:CDP_1801 dbr:Beyond_CMOS dbr:Static_random-access_memory dbc:MOSFETs dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:AND-OR-invert dbr:Μm dbr:Memory_chip dbr:Operational_amplifier dbr:Digital_Enhanced_Cordless_Telecommunications dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Bit dbr:Frank_Wanlass dbr:Electric_(software) dbr:AND_gate dbr:Coulomb_blockade dbr:Bluetooth n23:Cmos_impurity_profile.PNG dbr:Logical_effort dbr:Semiconductor_device dbr:Radio_frequency dbr:Semiconductor_industry dbr:Microprocessor dbr:Infineon dbr:Relay dbr:Microprocessor_chronology dbr:Nonvolatile_BIOS_memory dbr:GSM dbr:Image_sensor dbr:George_Clifford_Sziklai dbr:Semiconductor dbr:Analogue_electronics dbr:Radio dbr:Transmission_gate dbr:Quantum_tunnelling dbr:NEC dbr:Sharp_Corporation dbr:Atomic_layer_deposition dbr:Chih-Tang_Sah dbr:Electrical_resistance dbr:Low-power_electronics dbr:FinFET dbr:Academic_paper dbr:RCA_1802 dbr:Suwa_Seikosha dbr:90_nanometer dbr:Hitachi dbr:Semiconductor_manufacturing_process dbr:Wireless_revolution dbr:Mobile_computer dbr:4000-series_integrated_circuits dbr:Electrostatic_discharge dbr:Native_transistor dbr:Complement_(set_theory) dbr:Enhancement-mode dbr:65_nm dbr:Hamilton_Watch_Company dbr:250_nanometer dbr:GPS dbr:United_States_Air_Force dbr:Nanoelectronics dbr:JFET dbr:HCMOS dbr:Large-scale_integration dbr:Semiconductor_node dbr:Access_time dbr:Liquid_nitrogen dbr:TTL_logic dbr:3_μm_process dbr:10_μm_process dbr:Milliamp dbr:Satellite dbr:PMOS_logic dbr:Wireless_sensor_network n23:CMOS_fabrication_process.svg dbr:4G dbr:Leakage_(electronics) dbr:Latchup dbr:Waste_heat dbr:Nanometre dbr:Toshiba dbc:Electronic_design dbr:MOSFET dbr:Wireless_networking dbr:RF_circuit dbr:Fairchild_Semiconductor dbr:RF_switches dbr:P-type_semiconductor dbr:Digital_logic dbr:Bijan_Davari dbr:Kelvin dbr:Terrestrial_television dbr:VLSI dbr:3G dbr:LED dbr:List_of_MOSFET_applications dbr:Very_large-scale_integration dbr:Application-specific_integrated_circuit dbr:Double_patterning dbr:Voltage dbr:MOS_integrated_circuit dbr:Gate_equivalent dbr:Mobile_phones dbr:Logical_NAND n23:CMOS_Inverter.svg n23:CMOS_NAND.svg dbr:Analog_integrated_circuit n23:CMOS_NAND_Layout.svg n23:CMOS_inverter.svg dbr:Phenom_II dbr:Static_logic_(digital_logic) dbr:Patent dbr:Multiplexers dbc:Digital_electronics dbr:RCA dbr:HMOS dbr:Galileo_(spacecraft) dbr:Short-circuit_current dbr:Samsung_Electronics dbr:Near-field_communication dbr:Wireless_LAN dbr:Telecommunication dbr:Nanosecond dbr:10_µm_process dbr:1.5_μm_process dbr:Silicon_Carbide dbr:Wireless dbr:90_nm dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Reflections_of_signals_on_conducting_lines dbr:Handheld_electronics dbc:Integrated_circuits dbr:Performance_per_watt dbr:45_nanometer dbr:Transceivers dbr:Wi-Fi dbr:Quartz_watch dbr:Microcontroller dbr:RF_CMOS dbr:Field-effect_transistor dbr:Bipolar_transistors dbr:Active_pixel_sensor dbr:Data_conversion dbr:Thin_film dbr:UCLA dbr:Threshold_voltage dbr:Extrinsic_semiconductor dbr:NAND_gate dbr:CPUs dbr:Dawon_Kahng dbr:Intel dbc:Logic_families dbr:Jupiter dbr:Metal_gate dbr:Circuit_diagram dbr:Thin-film_transistor dbr:Paul_K._Weimer dbr:Seiko dbr:NASA dbr:20_µm_process dbr:Seiko_Epson dbr:Atheros dbr:J._Torkel_Wallmark dbr:Transceiver dbr:Physical_layout dbr:32_nanometer dbr:Calculators dbr:Polysilicon n60:United_States_patent_3356858 dbr:Sony dbr:Radar dbr:Asad_Abidi dbr:De_Morgan's_laws dbr:CMOS_amplifier dbr:Mixed-signal_integrated_circuit dbr:High-κ_dielectric dbr:NMOS_logic dbr:Broadcast dbr:Subthreshold_leakage dbr:Transistor–transistor_logic dbr:180_nanometer dbr:Latch-up dbr:Aluminium dbr:N-type_semiconductor dbr:Pocket_calculator dbr:LVCMOS dbr:Bell_Labs dbr:International_Solid-State_Circuits_Conference dbr:Digital_electronics dbr:Multi-threshold_CMOS dbr:End-user dbr:Magic_(software) dbr:Mobile_communication dbr:Tetrode dbr:45_nm dbr:TSMC dbr:IBM dbr:Mobile_network dbr:Silicon_dioxide dbr:Automotive_electronics dbr:SCMOS dbr:Power_consumption dbr:Electronic_noise dbr:CMOS_sensor dbr:Mitsubishi_Electric dbr:Kibibit dbr:Gurtej_Sandhu dbr:Thermal_oxidation dbr:Transistor-transistor_logic dbr:20_nanometer
dbo:wikiPageExternalLink
n22: n26: n27:ted20_sam_uwbg_review.pdf n34:introductiontovl00mead n46:CMOSedu.com n59:
owl:sameAs
n4:hTBu dbpedia-cs:CMOS dbpedia-de:Complementary_metal-oxide-semiconductor dbpedia-hr:CMOS dbpedia-bg:CMOS dbpedia-ro:Semiconductor_metal-oxid_complementar dbpedia-no:CMOS dbpedia-it:CMOS dbpedia-he:CMOS dbpedia-zh:互補式金屬氧化物半導體 dbpedia-pt:CMOS dbpedia-uk:КМОН dbpedia-id:CMOS n31:সিমস dbpedia-be:КМАП dbpedia-ar:سيموس dbpedia-nl:CMOS n36:सीमॉस_(CMOS) dbpedia-sh:CMOS dbpedia-ko:CMOS yago-res:CMOS dbpedia-sr:CMOS wikidata:Q173431 dbpedia-hu:CMOS n44:تکمیلی_فلزی_اکسید_نیم_موصل_(تفانم) dbpedia-fr:Complementary_metal_oxide_semi-conductor dbpedia-es:Semiconductor_complementario_de_óxido_metálico dbpedia-sk:Complementary_Metal_Oxide_Semiconductor dbpedia-eu:CMOS dbpedia-fi:CMOS n51:துணை_உலோக_ஆக்சைடு_குறைகடத்தி dbpedia-sv:CMOS dbpedia-vi:CMOS dbpedia-pl:CMOS dbpedia-ca:CMOS n57:ಸಿ_ಎಮ್_ಒ_ಎಸ್ dbpedia-ja:CMOS dbpedia-et:CMOS dbpedia-fa:سیماس n63:സി.എം.ഓ.എസ്._(കമ്പ്യൂട്ടർ_ഹാർഡ്_വെയർ) dbpedia-nn:CMOS dbpedia-tr:CMOS freebase:m.0d4y_ dbpedia-ru:КМОП dbpedia-az:Tamamlayıcı_metal-oksid_yarımkeçirici
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Main dbt:Div_col dbt:Div_col_end dbt:Nbsp dbt:Reflist dbt:Other_uses dbt:As_of dbt:Tooltip dbt:Commons_category dbt:Electronic_components dbt:Short_description dbt:Logic_Families dbt:IPA dbt:Citation_needed dbt:Cite_book dbt:See dbt:See_also dbt:Cite_journal dbt:Cn
dbo:thumbnail
n43:CMOS_inverter.svg?width=300
dbo:abstract
CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、Fairchild Semiconductor社のFrank Wanlassが考案し、翌1963年にWanlassとChih-Tang Sahが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。CMOSは、1980年代にNMOSを抜いてVLSI用MOSFETの主流となり、TTL（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）技術も置き換えた。その後、CMOSはVLSIチップに搭載されるMOSFET半導体デバイスの標準的な製造プロセスであり続けている。2011年現在、ほとんどのデジタル、アナログ、ミックスドシグナルICを含むICチップの99%がCMOS技術で製造されている。 CMOSデバイスの重要な特性は、高い耐ノイズ性と低い静的電力消費である。 MOSFETのペアのうち1つのトランジスタは常にオフであるため、直列の組み合わせはオンとオフを切り替える際に瞬間的に大きな電力を消費するだけである。そのため、やTTL（トランジスタトランジスタロジック）のように、状態変化していないときにも定常電流が流れる論理回路ほど発熱せず、チップ上に高密度に集積できる。CMOSがVLSIチップの実装技術として最も広く使われるようになったのは、主にこのような理由によるものである。 MOSとはMetal（金属）-Oxide（酸化膜）-Semiconductor（半導体）の略で、MOS型電界効果トランジスタの物理的構造のことを指す。酸化膜絶縁体の上に金属ゲート電極を置き、さらにその上に半導体材料を置いたものである。かつてはアルミニウムが使われていたが、現在はシリコンが使われている。その他、IBMやインテルが45ナノメートル・ノード以下のサイズで発表したように、CMOSプロセスにおける高κ誘電体材料の登場により、金属ゲートが復活している。 商用CMOS製品は10から400mm2の長方形のシリコン片に両タイプのトランジスタを数十億個まで集積した回路である。 CMOSは常にすべてのエンハンスメントモードMOSFET（言い換えれば、ゲート-ソース間電圧がゼロの場合、トランジスタがオフになる）を使用する。 CMOS edo MOS osagarria zirkuitu integratuak egiteko erabiltzen den bat da. CMOS ingelerazko Complementary metal–oxide–semiconductor hitzetatik dator (Metal Oxido Erdieroale Osagarria euskaraz). CMOS teknlogia mikroprozesadoreetan, mikrokontrolagailuetan, eta beste zirkuitu digital askotan erabiltzen dira. Horrez gain, hainbat erabiliak dira, besteak beste: irudi-sentsoreetan, datu-bihurgailuetan eta integrazio-maila altuko . Frank Wanlassek patentatu zuen CMOS teknologia 1967an (US Patent 3,356,858). CMOSek batzuetan COS-MOS izena jasotzen zuen, ingelerazko complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor hitzetatik (Metal Oxido Erdieroale Osagarri Simetrikoa euskaraz). "Osagarri simetriko" hitzek CMOS teknologiaren diseinu-digital ohikoena aipatzen dute, inplementatzeko eta MOSFET transistoreak bikoteka erabiltzen baitira. CMOS gailuek bi ezaugarri garrantzitsu dituzte. Lehena aurrean duten immunitatea da eta bestea estatikoa txikia da. Hala ere, kommutazioetako nabarmena da. Kontsumo horrek dinamikoa izena du. Ondorioz, CMOS teknologiaren TTLrena edo baino txikiagoa da. CMOS teknologiarekin -dentsitate altua dituzten txipak garatu daitezke. "Metal Oxido Erdieroale" hitzek ("metal–oxide–semiconductor" edo MOS) motako MOSFET transistoreen egiturari aipu egiten diote. transistorearen ate izeneko terminalaren metalezko elektrodoa oxidozko isolagailu baten gainean dago, eta oxidozko isolagailua, berriz, erdieroalearen gainean dago. CMOS(complementary metal–oxide–semiconductor, 시모스) 또는 COS-MOS(complementary-symmetry metal-oxide-semiconductor)는 집적 회로의 한 종류로, 마이크로프로세서나 SRAM 등의 디지털 회로를 구성하는 데에 이용된다. 상보성 금속 산화막 반도체(相補性 金屬 酸化膜 半導體)라는 용어도 통용된다. CMOS (ang. Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) – technologia wytwarzania układów scalonych, głównie cyfrowych, składających się z tranzystorów MOS o przeciwnym typie przewodnictwa i połączonych w taki sposób, że w ustalonym stanie logicznym przewodzi tylko jeden z nich. Dzięki temu układ statycznie nie pobiera żadnej mocy (pomijając niewielki prąd wyłączenia tranzystora), a prąd ze źródła zasilania płynie tylko w momencie przełączania – gdy przez bardzo krótką chwilę przewodzą jednocześnie oba tranzystory. Tracona w układach CMOS moc wzrasta nieliniowo wraz z częstotliwością przełączania, co wiąże się z przeładowywaniem wszystkich pojemności, szczególnie tych obciążających wyjścia. Układy CMOS są relatywnie proste i tanie w produkcji umożliwiając uzyskanie bardzo dużych gęstości upakowania tranzystorów na jednostce powierzchni płytki krzemu. W nowoczesnych układach powierzchnia zajmowana przez jeden tranzystor jest znacznie mniejsza od 1 µm². On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR, etc.) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable. Dans ces circuits, un étage de sortie est composé d'un couple de transistors MOSFET N et P placés de manière symétrique et réalisant chacun la même fonction. Du fait de leur caractéristique de fonctionnement inversée, un transistor est passant alors que l'autre est bloquant (ils sont donc complémentaires, d'où l'appellation complementary). El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base. En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que se fabrican usan la tecnología CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de señales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales de consumo considerablemente bajo. Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0; el valor 0 no se propaga al surtidor (S) y por lo tanto a la salida de la puerta lógica. El transistor pMOS, por el contrario, está en estado de conducción y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la salida. Otra característica importante de los circuitos CMOS es que son “regenerativos”: una señal degradada que acometa una puerta lógica CMOS se verá restaurada a su valor lógico inicial 0 o 1, siempre que aún esté dentro de los márgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.​ CMOS står för Complementary Metal Oxide Semiconductor, komplementär MOS, och är ett sätt att konstruera integrerade kretsar. Här används fälteffekttransistorer av P-kanal- och N-kanaltyp i kombination för att bygga upp logiska grindar som drar obetydlig ström, utom i de ögonblick grinden byter tillstånd. Tekniken är en förutsättning för dagens höga packningstäthet i integrerade kretsar. Kretsar av CMOS-typ används bland annat som bildsensor i digitalkameror. КМОН структура або КМОН транзистор (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — являє собою вид технічного процесу виготовлення польового МОН — транзистора (англ. MOSFET), що використовує симетричні комплементарні пари МОН транзисторів p-типу та n-типу для реалізації логічних функцій. Технологія КМОН використовується для побудови інтегральних мікросхем (ІС), таких як мікропроцесори, мікроконтролери, мікросхеми пам'яті та інші цифрові логічні схеми. Технологія КМОН використовується також для аналогових схем, таких як датчики зображення, перетворювачі даних, радіочастотні схеми та високо інтегровані приймачі для багатьох типів зв'язку. Основною особливістю схем КМОН в порівнянні з біполярними технологіями є дуже мале енергоспоживання в статичному режимі (здебільшого можна вважати, що енергія споживається тільки під час перемикання станів) у випадку послідовного їх з'єднання (наприклад, у вигляді інвертора, чи якоїсь іншої логічної схеми). Другою особливістю структури КМОН в порівнянні з іншими МОН-структурами (N-МОН або англ. NMOS , P-МОН або англ. PMOS) є наявність як n-, так і p-канальних польових транзисторів на одній напівпровідниковій підкладці; як наслідок, КМОН-схеми мають вищу швидкодію та менше енергоспоживання, проте при цьому характеризуються складнішим технологічним процесом виготовлення і меншою щільністю упаковки. 互補式金屬氧化物半導體（英語：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，縮寫作CMOS；簡稱互補式金氧半導體），是一種積體電路的設計製程，可以在矽質晶圓模板上製出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由於NMOS與PMOS在物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。此一般的製程上，可用來製作電腦電器的靜態隨機存取記憶體、微控制器、微處理器與其他數位邏輯電路系統、以及除此之外，經過一些不同的加工處理後，可以實現比較特別的技術特性，使它可以用於光學儀器上，例如互補式金氧半图像传感裝置在一些高級數位相機中變得很常見，反而使得CMOS現在主要是感光元件的代名詞。 互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟動與關閉時才需消耗能量的優點，因此非常節省電力且發熱量少，且製程上也是最基礎而最常用的半導體元件。早期的唯讀記憶體主要就是以这种電路制作的，由於當時電腦系統的BIOS程序和参数信息都保存在ROM和SRAM中，以致在很多情况下，當人们提到「CMOS」時，实际上指的是電腦系統之中的BIOS單元，而一般的「CMOS设置」就是意指在设定BIOS的內容。 Complementary metal–oxide–semiconductor, mais conhecido pelo seu nome comercial CMOS, também sendo nomeado como complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (COS-MOS), em português metal-óxido-semicondutor complementar e metal-óxido-semicondutor de simetria complementar. É um tipo de processo de fabricação que utiliza silício para a criação de MOSFET (transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor) que foi criado por Frank Wanlass e em 1963, processo este que utiliza complementos e pares simétricos de MOSFETs do tipo p e do tipo n para funções lógicas. A tecnologia CMOS é usada para construir chips de circuito integrado (CI), incluindo microprocessadores, microcontroladores, chips de memória (incluindo BIOS CMOS) e outros circuitos lógicos digitais, onde os chips são associados a uma bateria, pois sua memória é volátil, tal característica permite que se necessário o seu reset pode ser feito com facilidade, eliminando alterações via software que poderiam ser prejudiciais ao sistema e o não fazendo ligar. A tecnologia CMOS também é usada para circuitos analógicos, como sensores de imagem e transceptores altamente integrados para muitos tipos de comunicação. O CMOS é empregado em portas lógicas como inversores, portas NOR e portas NAND. Complementary metal oxide semiconductor of CMOS is een halfgeleidertechniek die gebruikmaakt van metaaloxide-veldeffecttransistoren met zowel n- als p-typegeleiding. Door deze complementaire schakeling zijn circuits ofwel met de negatieve ofwel met de positieve voedingsspanning verbonden, terwijl de tegenoverliggende transistor niet geleidt, waardoor de schakeling vrijwel geen stroom verbruikt als er niet geschakeld wordt. CMOS werd in 1967 gepatenteerd door Frank Wanlass. CMOS-schakelingen worden veel gebruikt als logische poorten in geïntegreerde schakelingen, ook wel IC's genaamd, onder meer vanwege het relatief lage stroomverbruik van deze schakelingen ten opzichte van transistor-transistorlogica (TTL) wat voorheen de heersende standaard was. أشباه الموصّلات ذات الأكاسيد المعدنية المُتتامة (بالإنجليزية: Complementary Metal Oxide Semiconductor اختصاراً CMOS)‏ وتقرأ سيموس، هي تقنية مستخدمة في بناء الدوائر الإلكترونية المتكاملة. تحتوي شريحة CMOS على معالج دقيق ( معالج دقيق) ومتحكم دقيق ( متحكم دقيق)وذاكرة عشوائية ساكنة ( ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة) بالإضافة إلى أنواع أخرى من دوائر المنطق الرقمي.يستخدم ال CMOS العديد من الدوائر التناظرية مثل أجهزة استشعار الصور ومحولات البيانات وأجهزة الإرسال والاستقبال لعدد من الانواع المختلفة من انظمة الاتصالات. يشار ال CMOS أيضا ب complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor أي ب ال شبه الموصل المتكامل التناظري.و ذلك بسبب حقيقة ان التصميم يستخدم ازواج متماثلة ومتناظرة من ال شبه موصل مشوب and شبه موصل مشوب من خلال (MOSFETs) (موسفت) أهم مميزات اجهزة ال CMOS هي ممانعة الضوضاء والتقليل من استهلاك الطاقة كما ان طاقته لا تستهلك بالحرارة. CMOS, també conegut com a Metall Òxid Semiconductor Complementari (de l'anglès: Complementary Metall Oxide Semiconductor, CMOS) és una tecnologia per a la construcció de circuits integrats. La tecnologia CMOS es fa servir en microprocessadors, microcontroladors, SRAM i en circuits de lògica digital, i també en circuits analògics com sensors d'imatge, i transceptors integrats per a diferents tipus de comunicació. La tecnologia CMOS va ser patentada per el 1967 (US patent 3,356,858). La tecnologia CMOS també és anomenada complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor (o COS-MOS) Les dues característiques més importants de la tecnologia CMOS són l'alta immunitat al soroll i el baix consum energètic en repòs. Aquesta última característica es deu a la utilització conjunta de transistors PMOS i NMOS de tal manera que només hi ha consum energètic quan hi ha un canvi de sortida i, en repòs, als corrents paràsits. D'aquesta manera, els dispositius construïts amb tecnologia CMOS tenen un baix escalfament, no com altres tecnologies digitals com la tecnologia TTL (transistor-transistor lògic) o lògica NMOS, que utilitzen dispositius amb lògica de . La tecnologia CMOS permet una gran miniaturització, de manera que és possible la integració d'una alta densitat de funcions lògiques en un sol integrat. Aquest va ser el motiu principal per qual la tecnologia CMOS va convertir-se en la dècada dels anys vuitanta la tecnologia més utilitzada per implementar circuits integrats a molt gran escala. La frase «Metall-Òxid-Semiconductor» fa referència a l'estructura física amb la qual certs transistors d'efecte de camps són construïts. Aquests transistors tenen una porta de metall situada a sobre d'un aïllant d'òxid, que es troba a sobre d'un material semiconductor. Al principi es feia servir l'alumini, però va ser substituït per la . Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk. CMOS, ist eine Bezeichnung für Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden. Unter CMOS-Technik versteht man * sowohl den verwendeten Halbleiterprozess, der zur Realisierung von integrierten digitalen wie analogen Schaltungen (ICs) verwendet wird, * als auch eine Logikfamilie, die 4000er-Serie. Auch viele nachfolgende Logikfamilien basieren auf der CMOS-Technik. Die Technik wurde 1963 von Frank Wanlass beim Halbleiterhersteller Fairchild Semiconductor entwickelt und auch patentiert. CMOS-Prozesse sind heutzutage die meistgenutzten für die Herstellung von Logikfamilien-Bausteinen. Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) atau semikonduktor–oksida–logam komplementer, adalah sebuah jenis utama dari rangkaian terintegrasi. Teknologi CMOS digunakan di mikroprosesor, pengontrol mikro, RAM statis, dan sirkuit logika digital lainnya. Teknologi CMOS juga digunakan dalam banyak sirkuit analog, seperti sensor gambar, pengubah data, dan trimancar terintegrasi untuk berbagai jenis komunikasi. berhasil mematenkan CMOS pada tahun 1967 (US Patent 3,356,858). CMOS juga sering disebut complementary-symmetry metal–oxide–semiconductor or COSMOS (semikonduktor–logam–oksida komplementer-simetris).Kata komplementer-simetris merujuk pada kenyataan bahwa biasanya desain digital berbasis CMOS menggunakan pasangan komplementer dan simetris dari MOSFET semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n untuk fungsi logika. Dua karakter penting dari CMOS adalah kekebalan desahnya yang tinggi dan penggunaan daya statis yang rendah. Daya hanya diambil saat transistor dalam CMOS berpindah di antara kondisi hidup dan mati. Akibatnya, peranti CMOS tidak menimbulkan bahang sebanyak sirkuit logika lainnya, seperti logika transistor-transistor (TTL) atau logika NMOS, yang hanya menggunakan peranti tipe-n tanpa tipe-p. CMOS juga memungkinkan chip logika dengan kepadatan tinggi dibuat. Kalimat "metal–oxide–semiconductor" atau semikonduktor–logam–oksida adalah sebuah sebutan pada struktur fisik beberapa transistor efek medan, memiliki gerbang elektrode logam yang terletak di atas isolator oksida logam, yang juga berada di atas bahan semikonduktor. Aluminium digunakan pertama kali, tetapi sekarang digunakan bahan polisilikon. Gerbang logam lain dibuat seiring kedatangan material dielektrik permitivitas tinggi di dalam proses pembuatan CMOS, seperti yang diumumkan oleh IBM dan Intel untuk node dan lebih kecil. Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS, pronounced "sea-moss", /siːmɑːs/, /-ɒs/) is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) fabrication process that uses complementary and symmetrical pairs of p-type and n-type MOSFETs for logic functions. CMOS technology is used for constructing integrated circuit (IC) chips, including microprocessors, microcontrollers, memory chips (including CMOS BIOS), and other digital logic circuits. CMOS technology is also used for analog circuits such as image sensors (CMOS sensors), data converters, RF circuits (RF CMOS), and highly integrated transceivers for many types of communication. The CMOS process was originally conceived by Frank Wanlass at Fairchild Semiconductor and presented by Wanlass and Chih-Tang Sah at the International Solid-State Circuits Conference in 1963. Wanlass later filed US patent 3,356,858 for CMOS circuitry and it was granted in 1967. RCA commercialized the technology with the trademark "COS-MOS" in the late 1960s, forcing other manufacturers to find another name, leading to "CMOS" becoming the standard name for the technology by the early 1970s. CMOS overtook NMOS as the dominant MOSFET fabrication process for very large-scale integration (VLSI) chips in the 1980s, also replacing earlier transistor–transistor logic (TTL) technology. CMOS has since remained the standard fabrication process for MOSFET semiconductor devices in VLSI chips. As of 2011, 99% of IC chips, including most digital, analog and mixed-signal ICs, were fabricated using CMOS technology. Two important characteristics of CMOS devices are high noise immunity and low static power consumption.Since one transistor of the MOSFET pair is always off, the series combination draws significant power only momentarily during switching between on and off states. Consequently, CMOS devices do not produce as much waste heat as other forms of logic, like NMOS logic or transistor–transistor logic (TTL), which normally have some standing current even when not changing state. These characteristics allow CMOS to integrate a high density of logic functions on a chip. It was primarily for this reason that CMOS became the most widely used technology to be implemented in VLSI chips. The phrase "metal–oxide–semiconductor" is a reference to the physical structure of MOS field-effect transistors, having a metal gate electrode placed on top of an oxide insulator, which in turn is on top of a semiconductor material. Aluminium was once used but now the material is polysilicon. Other metal gates have made a comeback with the advent of high-κ dielectric materials in the CMOS process, as announced by IBM and Intel for the 45 nanometer node and smaller sizes. Il CMOS (acronimo di complementary metal-oxide semiconductor) è un tipo di tecnologia utilizzata in elettronica digitale per la progettazione di circuiti integrati, alla cui base sta l'uso dell'invertitore a transistor MOSFET. CMOS (anglicky Complementary Metal–Oxide–Semiconductor) je způsob vytváření logických členů vynalezený v 60. letech 20. století a zároveň technologie, kterou se po roce 1985 vyrábí naprostá většina logických integrovaných obvodů, včetně mikroprocesorů, jednočipových počítačů a elektronických pamětí, ale také analogových obvodů, jako jsou snímače obrazu, datové konvertory, zesilovače a transceivery používané v telekomunikacích. Nejdůležitějšími vlastnostmi obvodů CMOS je nízká spotřeba a vysoká odolnost proti šumu. Z každého páru tranzistorů MOSFET, z nichž je složeno hradlo, je vždy jeden v nevodivém stavu, proto mají obvody CMOS ve statickém stavu mnohem nižší spotřebu energie než obvody NMOS nebo TTL a produkují mnohem méně odpadního tepla; více energie se spotřebovává pouze při přepínání mezi zapnutým a vypnutým stavem tranzistorů. Velmi jednoduchá struktura logických členů a absence rezistorů umožňuje dosažení vysoké hustoty prvků na čipu. Hlavní nevýhodu – nízkou rychlost prvních řad obvodů CMOS – se podařilo odstranit díky miniaturizaci a vylepšené technologii výroby. Výraz komplementární (complementary nebo někdy complementary-symetric) vyjadřuje, že logické členy jsou vytvářeny dvojicemi doplňujících se tranzistorů MOSFET typu n a p. Zbytek zkratky „metal-oxid-semiconductor“ odkazuje na způsob realizace tvořené u prvních obvodů hliníkem odizolovaném tenkou vrstvou oxidu křemičitého od vodivého kanálu z polovodiče. Zkratky MOS a CMOS se používaly, i když se dlouhou dobu – až do technologie – používal na řídicí elektrody jiný materiál, polykrystalický křemík. Po roce 2010 od technologie se podle oznámení firem IBM a Intel kovové elektrody s dielektriky opět používají. КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) — набор полупроводниковых технологий построения интегральных микросхем и соответствующая ей схемотехника микросхем. Подавляющее большинство современных цифровых микросхем — КМОП. В более общем случае название — КМДП (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник). В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения логических состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов, локализованных в одном месте кристалла. Вследствие меньшего расстояния между элементами КМОП-схемы обладают бо́льшим быстродействием и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки на поверхности кристалла. По аналогичной технологии выпускаются дискретные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).
gold:hypernym
dbr:Technology
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:CMOS?oldid=1124670634&ns=0
dbo:wikiPageLength
54594
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:CMOS