This HTML5 document contains 121 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
yago-reshttp://yago-knowledge.org/resource/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
n30http://ta.dbpedia.org/resource/
n5http://dbpedia.org/resource/File:
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
n26https://global.dbpedia.org/id/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
n29http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/
n7http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbphttp://dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Aluminium_gallium_arsenide
rdf:type
yago:Content105809192 yago:Material114580897 yago:Conductor114821043 yago:WikicatAluminiumCompounds yago:WikicatSemiconductorMaterials dbo:ChemicalCompound yago:Whole105869584 yago:WikicatSemiconductors yago:Concept105835747 yago:Abstraction100002137 yago:Idea105833840 yago:WikicatIII-VCompounds yago:Cognition100023271 yago:WikicatLight-emittingDiodeMaterials yago:PsychologicalFeature100023100 yago:Matter100020827 yago:WikicatArsenicCompounds yago:Part113809207 yago:WikicatArsenides yago:Chemical114806838 yago:WikicatGalliumCompounds yago:Compound114818238 yago:Relation100031921 yago:Compound105870180 yago:Arsenide114610443 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613
rdfs:label
Aluminium gallium arsenide ヒ化アルミニウムガリウム زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم Arseniuro de galio-aluminio Aluminiumgalliumarsenid Arseniuro di gallio e alluminio Arséniure d'aluminium-gallium Arsenur d'alumini de gal·li Арсенид алюминия-галлия
rdfs:comment
Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke. Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist. Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom Zinkblendetyp mit der Raumgruppe F43m (Raumgruppen-Nr. 216). L'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre l'arséniure de gallium (GaAs) et l'arséniure d'aluminium (AlAs). Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием, переменного состава, состав выражается химической формулой AlxGa1-xAs). Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов алюминия и галлия в соединении. При x=0 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=1 — арсениду алюминия (AlAs). Является широкозонным полупроводником, причём ширина запрещенной зоны при 300 К плавно изменяется в зависимости от х от 1,42 эВ у GaAs до 2,16 эВ у AlAs. В диапазоне х от 0 до 0,4 является прямозонным полупроводником. Постоянная решётки этого соединения практически не зависит от параметра х, и, соответственно, совпадает с таковой у GaAs. El Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs. El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo. La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto. L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio. Ha un parametro reticolare simile a quello del GaAs, ma una maggiore band gap; queste caratteristiche rendono la coppia AlGaAs/GaAs adatta per la formazione di eterostrutture di buona qualità. Trova quindi applicazione in dispositivi di tipo HEMT. Aluminium gallium arsenide (also gallium aluminium arsenide) (AlxGa1−xAs) is a semiconductor material with very nearly the same lattice constant as GaAs, but a larger bandgap. The x in the formula above is a number between 0 and 1 - this indicates an arbitrary alloy between GaAs and AlAs. The chemical formula AlGaAs should be considered an abbreviated form of the above, rather than any particular ratio. The bandgap varies between 1.42 eV (GaAs) and 2.16 eV (AlAs). For x < 0.4, the bandgap is direct. ヒ化アルミニウムガリウム（AlxGa1-xAs）は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つ半導体材料。 アルミニウムガリウムヒ素とも。 زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم هي مادة شبه موصلة لها الصيغة العامة (AlxGa(1-x) As) حيث تتراوح قيمة x بين 0 والـ 1، فالمركب بالتالي عن خليطة عشوائية من زرنيخيد الغاليوم GaAs وزرنيخيد الألومنيوم AlAs.
foaf:depiction
n7:Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png
dcterms:subject
dbc:Aluminium_compounds dbc:Light-emitting_diode_materials dbc:Arsenides dbc:Gallium_compounds dbc:Zincblende_crystal_structure dbc:III-V_compounds dbc:III-V_semiconductors
dbo:wikiPageID
102718
dbo:wikiPageRevisionID
1070254453
dbo:wikiPageWikiLink
n5:Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png dbr:Gallium dbr:Red dbc:Light-emitting_diode_materials dbr:Lattice_constant dbc:Aluminium_compounds dbr:Refractive_index dbr:Environment,_health_and_safety dbr:Electron_volt dbr:GaAs dbr:Alloy dbr:Bandgap dbc:Arsenides dbr:Infra-red dbr:Trimethylgallium dbr:Kramers–Kronig_relations dbr:Arsine dbr:Semiconductor_material dbr:VCSEL dbc:Zincblende_crystal_structure dbr:Arsenic dbr:Laser_diode dbc:III-V_semiconductors dbr:Aluminium_arsenide dbc:Gallium_compounds dbc:III-V_compounds dbr:Direct_bandgap dbr:Bragg_mirror dbr:RCLED dbr:Gallium_arsenide dbr:QWIP dbr:Aluminium dbr:MOVPE
dbo:wikiPageExternalLink
n29:index.html
owl:sameAs
dbpedia-es:Arseniuro_de_galio-aluminio wikidata:Q304176 dbpedia-ca:Arsenur_d'alumini_de_gal·li freebase:m.0pzcf dbpedia-ru:Арсенид_алюминия-галлия dbpedia-ar:زرنيخيد_الألومنيوم_والغاليوم dbpedia-it:Arseniuro_di_gallio_e_alluminio dbpedia-fr:Arséniure_d'aluminium-gallium dbpedia-de:Aluminiumgalliumarsenid yago-res:Aluminium_gallium_arsenide n26:2pB9v dbpedia-ja:ヒ化アルミニウムガリウム n30:அலுமினியம்_கேலியம்_ஆர்சனைடு
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Aluminium_compounds dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Gallium_compounds dbt:Cite_web dbt:Arsenides
dbo:thumbnail
n7:Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png?width=300
dbo:abstract
Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke. Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist. Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen des von der Zusammensetzung nahezu unabhängigen Gitterparameters ist es mit epitaktischen Methoden wie der Molekularstrahlepitaxie oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, MOVPE) möglich, unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen. Die Möglichkeit, die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für elektronische Bauelemente wie Diodenlaser, Leuchtdioden, Heterojunction bipolar transistoren (HBT) und High Electron Mobility Transistoren (HEMT). Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom Zinkblendetyp mit der Raumgruppe F43m (Raumgruppen-Nr. 216). L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio. Ha un parametro reticolare simile a quello del GaAs, ma una maggiore band gap; queste caratteristiche rendono la coppia AlGaAs/GaAs adatta per la formazione di eterostrutture di buona qualità. Trova quindi applicazione in dispositivi di tipo HEMT. ヒ化アルミニウムガリウム（AlxGa1-xAs）は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つ半導体材料。 アルミニウムガリウムヒ素とも。 L'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre l'arséniure de gallium (GaAs) et l'arséniure d'aluminium (AlAs). Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием, переменного состава, состав выражается химической формулой AlxGa1-xAs). Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов алюминия и галлия в соединении. При x=0 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=1 — арсениду алюминия (AlAs). Является широкозонным полупроводником, причём ширина запрещенной зоны при 300 К плавно изменяется в зависимости от х от 1,42 эВ у GaAs до 2,16 эВ у AlAs. В диапазоне х от 0 до 0,4 является прямозонным полупроводником. Постоянная решётки этого соединения практически не зависит от параметра х, и, соответственно, совпадает с таковой у GaAs. В литературе параметр х, где не возникнет двусмысленности, обычно опускается, и формула AlGaAs подразумевает именно это соединение указанного переменного состава. El Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs. El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo. La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto. El arseniuro de galio-aluminio se usa como material de barrera en las heteroestructuras de GaAs. Esta capa concentra los electrones en una zona compuesta por arseniuro de galio. Un ejemplo de uso de estas estructuras es en los fotodetectores infrarrojos de pozos cuánticos (QWIP). Aluminium gallium arsenide (also gallium aluminium arsenide) (AlxGa1−xAs) is a semiconductor material with very nearly the same lattice constant as GaAs, but a larger bandgap. The x in the formula above is a number between 0 and 1 - this indicates an arbitrary alloy between GaAs and AlAs. The chemical formula AlGaAs should be considered an abbreviated form of the above, rather than any particular ratio. The bandgap varies between 1.42 eV (GaAs) and 2.16 eV (AlAs). For x < 0.4, the bandgap is direct. The refractive index is related with the bandgap via the Kramers–Kronig relations and varies between 2.9 (x = 1) and 3.5 (x = 0). This allows the construction of Bragg mirrors used in VCSELs, , and substrate-transferred crystalline coatings. Aluminium gallium arsenide is used as a barrier material in GaAs based heterostructure devices. The AlGaAs layer confines the electrons to a gallium arsenide region. An example of such a device is a quantum well infrared photodetector (QWIP). It is commonly used in GaAs-based red- and near-infra-red-emitting (700–1100 nm) double-hetero-structure laser diodes. زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم هي مادة شبه موصلة لها الصيغة العامة (AlxGa(1-x) As) حيث تتراوح قيمة x بين 0 والـ 1، فالمركب بالتالي عن خليطة عشوائية من زرنيخيد الغاليوم GaAs وزرنيخيد الألومنيوم AlAs.
gold:hypernym
dbr:Material
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Aluminium_gallium_arsenide?oldid=1070254453&ns=0
dbo:wikiPageLength
2937
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Aluminium_gallium_arsenide