| dbo:abstract
|
- Miniaturizing components has always been a primary goal in the semiconductor industry because it cuts production cost and lets companies build smaller computers and other devices. Miniaturization, however, has increased dissipated power per unit area and made it a key limiting factor in integrated circuit performance. Temperature increase becomes relevant for relatively small-cross-sections wires, where it may affect normal semiconductor behavior. Besides, since the generation of heat is proportional to the frequency of operation for switching circuits, fast computers have larger heat generation than slow ones, an undesired effect for chips manufacturers. This article summaries physical concepts that describe the generation and conduction of heat in an integrated circuit, and presents numerical methods that model heat transfer from a macroscopic point of view. (en)
- Мініатюризації компонентів завжди була головною метою в напівпровідниковій промисловості тому, що це скорочує виробничі витрати і дозволяє компаніям будувати менші комп'ютери. Однак, зросла розсіювана потужність на одиницю площі і це стало ключовим чинником, що обмежує продуктивність інтегрованої схеми. Підвищення температури стає актуальним для відносно невеликих перерізів проводів, де це може вплинути на нормальну поведінку напівпровідника. Крім того, оскільки виділення тепла пропорційне частоті роботи для контактних схем, швидкі комп'ютери виділяють більше тепла, ніж повільні, що є небажаним ефектом для виробників чипів. У цій статті розглядаються фізичні поняття, які описують виділення тепла і теплопровідность в інтегральній схемі і представлені чисельні методи для моделі теплообміну. (uk)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 12375 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Мініатюризації компонентів завжди була головною метою в напівпровідниковій промисловості тому, що це скорочує виробничі витрати і дозволяє компаніям будувати менші комп'ютери. Однак, зросла розсіювана потужність на одиницю площі і це стало ключовим чинником, що обмежує продуктивність інтегрованої схеми. Підвищення температури стає актуальним для відносно невеликих перерізів проводів, де це може вплинути на нормальну поведінку напівпровідника. Крім того, оскільки виділення тепла пропорційне частоті роботи для контактних схем, швидкі комп'ютери виділяють більше тепла, ніж повільні, що є небажаним ефектом для виробників чипів. У цій статті розглядаються фізичні поняття, які описують виділення тепла і теплопровідность в інтегральній схемі і представлені чисельні методи для моделі теплообміну. (uk)
- Miniaturizing components has always been a primary goal in the semiconductor industry because it cuts production cost and lets companies build smaller computers and other devices. Miniaturization, however, has increased dissipated power per unit area and made it a key limiting factor in integrated circuit performance. Temperature increase becomes relevant for relatively small-cross-sections wires, where it may affect normal semiconductor behavior. Besides, since the generation of heat is proportional to the frequency of operation for switching circuits, fast computers have larger heat generation than slow ones, an undesired effect for chips manufacturers. This article summaries physical concepts that describe the generation and conduction of heat in an integrated circuit, and presents nume (en)
|
| rdfs:label
|
- Thermal simulations for integrated circuits (en)
- Рівняння тепломасоперенесення (uk)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
