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- Die ionenstrahlgestützte Deposition, auch ionenstrahlgestützte Abscheidung, ionenstrahlgestützte Beschichtung oder ionenstrahlgestützte Beschichtungstechnik genannt, (englisch ion beam assisted deposition, IBAD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der physikalischen Gasphasenabscheidung. Es wird vorrangig für die Herstellung dünner Schichten eingesetzt. Dies geschieht durch das Abscheiden bei gleichzeitiger Synthese von Metallatomen und Gasen auf Substraten.Dabei werden Metalle über unterschiedliche Methoden verdampft, Gasmoleküle durch Ionenquellen dissoziiert, ionisiert und gleichzeitig einer meist beheizten Substratoberfläche angeboten. Im Gegensatz zu den meisten anderen Abscheidungsmethoden laufen bei der Ionendeposition mit energetischen Ionen von 10 eV bis hin zu 1000 eV die wesentlichen Wachstums- und Phasenbildungsprozesse wenige nm unterhalb der Oberfläche der wachsenden Schicht ab. Auf diese Weise erlaubt das Verfahren das Gefüge, chemische Eigenschaften sowie Texturierung dünner Filme oder auch Beschichtungen schon während des Herstellungsprozesses gezielt zu beeinflussen. (de)
- Ion beam assisted deposition or IBAD or IAD (not to be confused with ion beam induced deposition, IBID) is a materials engineering technique which combines ion implantation with simultaneous sputtering or another physical vapor deposition technique. Besides providing independent control of parameters such as ion energy, temperature and arrival rate of atomic species during deposition, this technique is especially useful to create a gradual transition between the substrate material and the deposited film, and for depositing films with less built-in strain than is possible by other techniques. These two properties can result in films with a much more durable bond to the substrate. Experience has shown that some meta-stable compounds like cubic boron nitride (c-BN), can only be formed in thin films when bombarded with energetic ions during the deposition process. (en)
- La deposición asistida mediante haz de iones o IBAD (no se debe confundir con la , IBID) es una técnica de ingeniería de materiales que combina la implantación iónica con el sputtering u otra técnica de . Además de que permite un control independiente de los parámetros como la energía de los iones, la temperatura y el ritmo de adición de la especie atómica durante la deposición, esta técnica es especialmente útil para crear transiciones graduales entre el material de sustrato y la película depositada, y para depositar capas con tensiones internas mucho menores de lo que es posible mediante otras técnicas. Estas dos propiedades dan como resultado capas con una unión al sustrato mucho más resistente. Algunos compuestos meta-estable como el nitruro de boro cúbico (c-BN) solo pueden ser fabricados en forma de capas delgadas si son bombardeados con iones energéticos durante el proceso de deposición. Este método también es de gran importancia para la fabricación de cintas de materiales superconductores de gran longitud. (es)
- L’Ion Beam Assisted Deposition, o IBAD, è una tecnica di deposizione di film sottili tramite deposizione fisica da vapore assistita da impiantazione ionica. Per impiantazione ionica si intende quel processo che consiste nell'introduzione di ioni dotati di energia cinetica all'interno di un materiale solido, sostanzialmente in prossimità della superficie. Gli ioni introdotti sono in grado di apportare modifiche tanto di tipo fisico, quanto di tipo chimico al materiale “bersaglio”. Il tutto avviene fuori dalle condizioni di equilibrio e porta a composizioni che sono esse stesse non limitate dai vincoli dei diagrammi di fase di equilibrio; questo avviene poiché è possibile l'introduzione forzata di qualsiasi tipo di ione in qualsiasi materiale solido e le stesse quantità, chiamate “dosi d'impianto”, non hanno a priori limiti teorici: è possibile, per esempio, oltrepassare il limite di solubilità. I processi di impiantazione sono confinati a strati superficiali di solido, tipicamente da alcune decine fino a qualchecentinaio di nanometri, in funzione sostanzialmente di due variabili: la massa degli ioni e la loro energia.Per selezionare la massa si utilizzano sistemi di deflessione e analisi molto accurati, mentre per conferire energia si possono utilizzare degli acceleratori. Tipicamente, il campo di energie interessanti per l'impiantazione spazia da alcune migliaia di elettronvolt ad alcune centinaia di migliaia di elettronvolt (1 ÷ 500 keV). L'utilità degli ioni nasce da una considerazione sull'interfaccia substrato-film, che nel caso delle convenzionali tecniche di deposizioni a vapore può risultare non particolarmente resistente, dal momento che è assente lo strato interdiffuso, ovvero una zona di un certo spessore in cui la specie impiantata presenti un gradiente di concentrazione. Nel caso di impiantazione ionica, l'energia degli ioni permette ad essi di penetrare all'interno della superficie del substrato, creando un effetto di mescolamento tra gli atomi del substrato e quelli del film in corso di deposizione: così si crea un'interfase di diffusione dove i legami substrato-film sono più stabili e l'adesione è più alta. In generale gli spessori che possono essere interessati dall'effetto di mixing sono quelli di impiantazione, ossia non più di alcune centinaia di nanometri, in funzione dell'energia. L'assistenza del fascio ionico ad una deposizione in fase vapore può essere alternata oppure simultanea. Esistono anche forme di IBAD reattive, dove si utilizza un'atmosfera reattiva per dare luogo a composti particolari. La tecnica IBAD può essere condotta senza sorgenti di riscaldamento aggiuntive (utilizzate per favorire reazioni chimiche), perché lo stesso fascio ionico garantisce un consistente apporto di calore. (it)
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- Die ionenstrahlgestützte Deposition, auch ionenstrahlgestützte Abscheidung, ionenstrahlgestützte Beschichtung oder ionenstrahlgestützte Beschichtungstechnik genannt, (englisch ion beam assisted deposition, IBAD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der physikalischen Gasphasenabscheidung. Es wird vorrangig für die Herstellung dünner Schichten eingesetzt. Dies geschieht durch das Abscheiden bei gleichzeitiger Synthese von Metallatomen und Gasen auf Substraten.Dabei werden Metalle über unterschiedliche Methoden verdampft, Gasmoleküle durch Ionenquellen dissoziiert, ionisiert und gleichzeitig einer meist beheizten Substratoberfläche angeboten. Im Gegensatz zu den meisten anderen Abscheidungsmethoden laufen bei der Ionendeposition mit energetischen Ionen von 10 eV bis hin zu 1000 eV d (de)
- La deposición asistida mediante haz de iones o IBAD (no se debe confundir con la , IBID) es una técnica de ingeniería de materiales que combina la implantación iónica con el sputtering u otra técnica de . Además de que permite un control independiente de los parámetros como la energía de los iones, la temperatura y el ritmo de adición de la especie atómica durante la deposición, esta técnica es especialmente útil para crear transiciones graduales entre el material de sustrato y la película depositada, y para depositar capas con tensiones internas mucho menores de lo que es posible mediante otras técnicas. Estas dos propiedades dan como resultado capas con una unión al sustrato mucho más resistente. Algunos compuestos meta-estable como el nitruro de boro cúbico (c-BN) solo pueden ser fabric (es)
- Ion beam assisted deposition or IBAD or IAD (not to be confused with ion beam induced deposition, IBID) is a materials engineering technique which combines ion implantation with simultaneous sputtering or another physical vapor deposition technique. Besides providing independent control of parameters such as ion energy, temperature and arrival rate of atomic species during deposition, this technique is especially useful to create a gradual transition between the substrate material and the deposited film, and for depositing films with less built-in strain than is possible by other techniques. These two properties can result in films with a much more durable bond to the substrate. Experience has shown that some meta-stable compounds like cubic boron nitride (c-BN), can only be formed in thin (en)
- L’Ion Beam Assisted Deposition, o IBAD, è una tecnica di deposizione di film sottili tramite deposizione fisica da vapore assistita da impiantazione ionica. Per impiantazione ionica si intende quel processo che consiste nell'introduzione di ioni dotati di energia cinetica all'interno di un materiale solido, sostanzialmente in prossimità della superficie. Tipicamente, il campo di energie interessanti per l'impiantazione spazia da alcune migliaia di elettronvolt ad alcune centinaia di migliaia di elettronvolt (1 ÷ 500 keV). (it)
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- Ionenstrahlgestützte Deposition (de)
- Deposición asistida mediante haz de iones (es)
- Ion beam-assisted deposition (en)
- Ion Beam Assisted Deposition (it)
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