Silicon on sapphire (SOS) is a hetero-epitaxial process for metal-oxide-semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 µm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies.

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  • Silicon-on-Sapphire (SOS, englisch, dt.: ‚Silizium auf Saphir‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus Silizium auf dem isolierenden Substrat aus Saphir. SOS ist ein Teil der Silicon-on-Insulator-Familie (SOI, dt. »Silizium auf einem Isolator«). Die integrierten Schaltkreise (ICs) werden in einem heteroepitaxialen Prozess hergestellt, bei dem eine dünne Schicht von einkristallinem Silizium auf einem Saphir-Wafer hergestellt wird. Die Saphir-Wafer werden aus hochreinem, künstlich gezüchtetem einkristallinem Saphir geschnitten. Die Vorteile von Saphir sind seine gute elektrische Isolation, was durch ionisierende Strahlung eingestreute Spannungen daran hindert, auf benachbarte Schaltkreiselemente einzuwirken, sowie seine etwa übereinstimmende Gitterkonstante und auch die hohe Wärmeleitfähigkeit. SOS ermöglicht die Herstellung von Transistoren und ICs mit besonders hoher Betriebsspannung oder besonders hoher Strahlenresistenz (zum Beispiel für den Einsatz in Satelliten im Bereich des Van-Allen-Gürtels) und werden primär in aeronautischen und militärischen Anwendungen eingesetzt. Der Mikroprozessor RCA1802 ist ein bekanntes Beispiel eines im SOS-Verfahren gefertigten Halbleiters. SOS wurde kommerziell zumindest bis 2006 wenig eingesetzt, da es sehr schwierig ist, extrem kleine Transistoren herzustellen. Diese werden aber bei hochintegrierten Bauteilen benötigt. Die Schwierigkeit entsteht durch Versetzungen, die aufgrund der Disparität der Kristallgitter zwischen dem Silizium und Saphir entstehen. (de)
  • Silicon on sapphire (SOS) is a hetero-epitaxial process for metal-oxide-semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 µm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies. Typically, high-purity artificially grown sapphire crystals are used. The silicon is usually deposited by the decomposition of silane gas (SiH4) on heated sapphire substrates. The advantage of sapphire is that it is an excellent electrical insulator, preventing stray currents caused by radiation from spreading to nearby circuit elements. SOS faced early challenges in commercial manufacturing because of difficulties in fabricating the very small transistors used in modern high-density applications. This is because the SOS process results in the formation of dislocations, twinning and stacking faults from crystal lattice disparities between the sapphire and silicon. Additionally, there is some aluminum, a p-type dopant, contamination from the substrate in the silicon closest to the interface. (en)
  • 蓝宝石上的硅(英語:silicon on sapphire, SOS)是集成电路制造工艺中的一种异质外延技术,它将一层较薄(通常小于0.6微米)的硅生长在蓝宝石(主要成分为氧化铝)晶圆上。SOS技术是CMOS技术中SOI(Silicon On Insulator, SOI,绝缘体上的硅)的一部分。 (zh)
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  • 蓝宝石上的硅(英語:silicon on sapphire, SOS)是集成电路制造工艺中的一种异质外延技术,它将一层较薄(通常小于0.6微米)的硅生长在蓝宝石(主要成分为氧化铝)晶圆上。SOS技术是CMOS技术中SOI(Silicon On Insulator, SOI,绝缘体上的硅)的一部分。 (zh)
  • Silicon-on-Sapphire (SOS, englisch, dt.: ‚Silizium auf Saphir‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine spezielle Bauform für Halbleiterbauelemente aus Silizium auf dem isolierenden Substrat aus Saphir. SOS ist ein Teil der Silicon-on-Insulator-Familie (SOI, dt. »Silizium auf einem Isolator«). (de)
  • Silicon on sapphire (SOS) is a hetero-epitaxial process for metal-oxide-semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 µm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies. (en)
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  • Silicon-on-Sapphire (de)
  • Silicon on sapphire (en)
  • SOS (半导体) (zh)
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