| dbo:abstract
|
- Das Hochenergieimpulsmagnetronsputtern (englisch high power impulse magnetron sputtering, HiPIMS, oder high power pulsed magnetron sputtering, HPPMS) ist ein spezielles Magnetronsputterverfahren zur Abscheidung von Dünnschichten. HiPIMS verwendet sehr hohe Target-Leistungsdichten von einigen kW·cm−2 in kurzen Pulsen von einigen zehn Mikrosekunden bei geringem Tastverhältnis (Ein-Aus-Verhältnis) von kleiner als 10 %. Ein charakterisierendes Merkmal des HiPIMS ist der hohe Ionisationsgrad des gesputterten und die hohe Rate der molekularen Gasdissoziation. Beim herkömmlichen DC-Sputterverfahren kann eine höhere Ionisation des abgeschiedenen Targetmaterials durch das Anheben der Kathodenleistung erzielt werden. Grenzen ergeben sich dabei durch die stärkere thermische Belastung der Kathoden und der zu beschichtenden Substrate. An diesem Punkt setzt HiPIMS an: Da die Pulse nur für eine sehr kurze Zeit auf das Targetmaterial wirken und sich daran eine relativ lange „Aus-Zeit“ anschließt, ergeben sich niedrige durchschnittliche Kathodenleistungen (1–10 kW). So kann das Targetmaterial in den Aus-Zeiten abkühlen und die Prozessstabilität ist gegeben. (de)
- High-power impulse magnetron sputtering (HIPIMS or HiPIMS, also known as high-power pulsed magnetron sputtering, HPPMS) is a method for physical vapor deposition of thin films which is based on magnetron sputter deposition. HIPIMS utilises extremely high power densities of the order of kW⋅cm−2 in short pulses (impulses) of tens of microseconds at low duty cycle (on/off time ratio) of < 10%. Distinguishing features of HIPIMS are a high degree of ionisation of the sputtered metal and a high rate of molecular gas dissociation which result in high density of deposited films. The ionization and dissociation degree increase according to the peak cathode power. The limit is determined by the transition of the discharge from glow to arc phase. The peak power and the duty cycle are selected so as to maintain an average cathode power similar to conventional sputtering (1–10 W⋅cm−2). HIPIMS is used for:
* adhesion enhancing pretreatment of the substrate prior to coating deposition (substrate etching)
* deposition of thin films with high microstructure density (en)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 22666 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Das Hochenergieimpulsmagnetronsputtern (englisch high power impulse magnetron sputtering, HiPIMS, oder high power pulsed magnetron sputtering, HPPMS) ist ein spezielles Magnetronsputterverfahren zur Abscheidung von Dünnschichten. (de)
- High-power impulse magnetron sputtering (HIPIMS or HiPIMS, also known as high-power pulsed magnetron sputtering, HPPMS) is a method for physical vapor deposition of thin films which is based on magnetron sputter deposition. HIPIMS utilises extremely high power densities of the order of kW⋅cm−2 in short pulses (impulses) of tens of microseconds at low duty cycle (on/off time ratio) of < 10%. Distinguishing features of HIPIMS are a high degree of ionisation of the sputtered metal and a high rate of molecular gas dissociation which result in high density of deposited films. The ionization and dissociation degree increase according to the peak cathode power. The limit is determined by the transition of the discharge from glow to arc phase. The peak power and the duty cycle are selected so as t (en)
|
| rdfs:label
|
- Hochleistungsimpulsmagnetronsputtern (de)
- High-power impulse magnetron sputtering (en)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:knownFor
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is dbp:knownFor
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
