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| - La Z-RAM (Zero-capacitor Random Access Memory) est un type de mémoire DRAM développé par Innovative Silicon. Selon ses promoteurs, une mémoire Z-RAM serait aussi rapide qu'une mémoire SRAM tout en étant plus compacte étant donné qu'elle n'utiliserait qu'un transistor (sans condensateur) pour stocker un bit d'information. La taille de la cellule est plus petite que celle de la SRAM, mais devrait être un peu moins rapide. (fr)
- Z-RAM is a tradename of a now-obsolete dynamic random-access memory technology that did not require a capacitor to maintain its state. Z-RAM was developed between 2002 and 2010 by a now-defunct company named Innovative Silicon. Z-RAM relies on the floating body effect, an artifact of the silicon on insulator (SOI) process which places transistors in isolated tubs (the transistor body voltages "float" with respect to the wafer substrate beneath the tubs). The floating body effect causes a variable capacitance to appear between the bottom of the tub and the underlying substrate. The floating body effect is usually a parasitic effect that bedevils circuit designs, but also allows a DRAM-like cell to be built without adding a separate capacitor, the floating body effect then taking the place of the conventional capacitor. Because the capacitor is located under the transistor (instead of adjacent to, or above the transistor as in conventional DRAMs), another connotation of the name "Z-RAM" is that it extends in the negative z-direction. Theoretically, a reduced cell size would have allowed denser storage, which in turn could (when used with large blocks) have improved access times by reducing the physical distance that data would have to travel to exit a block. For a large cache memory (as typically found in a high-performance microprocessor), Z-RAM would then have been potentially as fast as the SRAM used for conventional on-processor (L1/L2) caches, but with lower surface area (and thus cost). However, with advances in manufacturing techniques for conventional SRAM (most importantly, the transition to 32nm fabrication node), Z-RAM lost its size advantage. Although AMD licensed the second generation Z-RAM in 2006, the processor manufacturer abandoned its Z-RAM plans in January 2010. Similarly, DRAM producer Hynix had also licensed Z-RAM for use in DRAM chips in 2007, and Innovative Silicon announced it was jointly developing a non-SOI version of Z-RAM that could be manufactured on lower cost bulk CMOS technology in March 2010, but Innovative Silicon closed on June 29, 2010. Its patent portfolio was acquired by Micron Technology in December 2010. (en)
- La Z-RAM, acronimo di “Zero-Capacitor RAM”, o “Zero-Capacitor Random Access Memory” (traducibile in italiano come “Memoria ad Accesso Casuale senza Condensatori”) è un nuovo tipo di memoria informatica DRAM (Dynamic Random Access Memory) in fase di sviluppo presso la (ISi): una nuova compagnia fondata dallo scienziato Serguei Okhonin e dedita allo sviluppo di questa tecnologia. La Z-RAM è basata sull'impiego della tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator) e secondo la Advanced Micro Devices (AMD) potrebbe, entro pochi anni, trovare impiego nei futuri microprocessori soppiantando le memorie attuali. Caratteristiche importanti delle nuove memorie sono una velocità di accesso alle celle di memoria simile a quella delle SRAM impiegate attualmente nelle memorie cache ma, cosa ancora più importante, è l'utilizzo di un unico transistor per cella, consentendo ovviamente una più alta densità di memoria a parità di spazio fisico occupato. La ragione per cui si è scelto di sperimentare una nuova tecnologia piuttosto che insistere su quella già esistente è sostanzialmente unica. La Bulk CMOS costituisce la principale tecnologia oggi in uso per lo sviluppo di sistemi ULSI (Ultra Large Scale Integration). In questi ultimi anni si è puntato tanto sullo scaling dei circuiti CMOS al fine di ottenere sistemi compatti e versatili che oggi caratterizzano buona parte della nostra vita. Tuttavia, questa tecnica sta raggiungendo il suo limite: la strategia di ridurre le dimensioni dei transistori non è applicabile all'infinito, dunque sorge l'esigenza di rivolgere lo sguardo verso nuove tecnologie. Tra queste riveste una notevole importanza la Silicon-On-Insulator (Silicio su isolante).Questo tipo di tecnologia presenta notevoli vantaggi ma è ancora abbastanza costosa se paragonata alla più comune CMOS. Costruite con la tecnologia SOI, le Z-RAM sfruttano l'effetto del grazie al quale si viene a creare capacità fra il corpo del transistore e lo strato sottostante, separati da un terzo strato isolante di ossido. Il risultato è la possibilità di memorizzare un'informazione binaria, zero o uno, senza ricorrere all'impiego di condensatori (da qui il nome “Zero Capacitator”) e utilizzando un unico transistor per cella.Ciò le differenzia dalle memorie SRAM, che utilizzano ben 6 transistor per locazione di memoria e dalle DRAM che utilizzano una coppia transistore-condensatore in ciascuna cella.Da questo deriva ovviamente un notevole incremento della densità di memorizzazione e tale guadagno in termini di densità produce effetti interessanti in termini di costi e performance. Maggiore densità significa minore distanza tra le diverse celle di memoria e dunque minore spazio che i dati devono percorrere con conseguente miglioramento dei tempi delle operazioni di lettura/scrittura dei dati in memoria. Le Z-RAM si apprestano a diventare le memorie a più alta densità di memorizzazione disponibili sul mercato. Quanto alla velocità di accesso, invece, è grossomodo pari a quella delle attuali SRAM, almeno se considerata a livello della singola cella di memoria. Tuttavia è quando si considerano spazi più ampi, come quelli di un modulo di memoria, che emergono le differenze sostanziali fra SRAM e Z-RAM. Ecco quanto afferma Jeff Lewis vice presidente addetto al Marketing in un'intervista al sito Digitimes.com: «Since Z-RAM is much denser than SRAM, where the memory block is very large, you can actually see the relative difference between SRAM and Z-RAM shrinking. SRAM starts out as a faster technology, but as its blocks become very large, Z-RAM starts approaching the speed of SRAM. it's quite possible the Z-RAM would be faster than the SRAM, simply because the physical dimensions of the SRAM, the wires, the length of the traces, and so on, have a net effect of slowing SRAM's operational speed.» Proprio per questa ragione, è poco probabile l'impiego della Z-RAM come cache L1 nei moderni PC delle nostre case, giacché non comporterebbe vantaggi sostanziali. È molto più plausibile l'impiego di tale memoria nei grossi sistemi di elaborazione dotati di numerose unità di calcolo in parallelo e dove la memoria richiesta ha dimensioni notevoli. In questi casi la Z-RAM offre velocità pari, o addirittura superiori, a quelle delle SRAM (con tempi di risposta pari a 3ns) ma richiede molto meno spazio; basti pensare che la densità di memorizzazione è ben 5 volte superiore a quella delle attuali SRAM, e dunque a parità di capacità di memoria, un modulo di Z-RAM occuperà 1/5 dello spazio richiesto da un modulo di SRAM. Ecco quanto afferma Mark-Eric Jones, l'amministratore delegato dell'azienda americana nella stessa intervista: «You asked whether Z-RAM could be used in place of SRAM, as L1 cache. For standalone microprocessors, where you're looking at gigahertz speeds, no. But if you're looking at an embedded processor, where the speed may be down in the hundreds of megahertz region, there you certainly could use Z-RAM for L1 cache, but probably not for very small L1 caches. You could use Z-RAM where the memory requirement is very large.» Forse per i costi di produzione maggiori e per la sostanziale parità nella velocità, la Intel, nota azienda multinazionale produttrice di microprocessori, sembra aver snobbato la nuova tecnologia, preferendo continuare a puntare sulla CMOS.Paragonando un wafer realizzato in bulk CMOS con uno SOI, infatti, sarà quest'ultimo ad avere un costo più elevato, seppur composto da meno maschere. Sebbene l'AMD sia stata la prima a puntare su questa nuova tecnologia, è la Hynix a programmare di portarla sul mercato nei prossimi anni. (it)
- Zero-capacitor random-access memory, afkorting Z-RAM, is een nieuw soort computergeheugen dat ontwikkeld wordt door (ISi) Z-RAM gebruikt slechts 1 enkele transistor in tegenstelling tot SRAM (8, 6 of 4 transistors) en DRAM (1 transistor en 1 condensator). Hiermee elimineert men het probleem van de moeilijk te creëren condensator die zich bevindt in conventioneel DRAM-geheugen. Doordat de condensator wegvalt kan er op eenzelfde ruimte meer geheugen geplaatst worden en verbruikt het geheugen minder. Wat als gevolg heeft dat het goedkoper wordt om een bepaalde hoeveelheid aan geheugen te produceren. (nl)
- 零电容随机存储器（英語：Zero-capacitor random access memory，缩写：Z-RAM）是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应（Float body effect）研发的。该技术已经被超微半导体（AMD）许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和静态随机存取存储器（SRAM，常在快取中应用）相似的存取速度，但是只使用了单一晶体管，因此能够提供更高的封装密度。 (zh)
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