Wafer backgrinding is a semiconductor device fabrication step during which wafer thickness is reduced to allow stacking and high-density packaging of integrated circuits (IC). ICs are produced on semiconductor wafers that undergo a multitude of processing steps. The silicon wafers predominantly used today have diameters of 200 and 300 mm. They are roughly 750 μm thick to ensure a minimum of mechanical stability and to avoid warping during high-temperature processing steps. The process is also known as "backlap", "backfinish" or "wafer thinning".
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| - バックグラインド (ja)
- Wafer backgrinding (en)
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| - バックグラインドとは、集積回路（IC）の積み重ねや高密度にパッケージができるようにウェハーを薄くする半導体デバイス製造の工程のこと。 ICは多くのプロセスを経て半導体ウェハー上に作られる。現在主に使われているシリコンウェハーの直径は200mmと300mm、厚さはおよそ750μmである。厚みは、最低限の機械的安定性を保証するため、また高温処理でのウェハーの反りを避けるために必要である。 スマートカード、USBメモリスティック、スマートフォン、携帯音楽プレイヤーや超小型電気製品は、様々な構成部品のサイズを最小化する必要がある。そのためウェハーの裏面は（個々のマイクロチップの分離）の前にグラインドされる。75μmから50μmに薄くされたウェハーが一般的に用いられる。 グラインドの前にUV硬化の接着剤で貼り付けたテープで保護することで、バックグラインド中のダメージからウェハー表面を守り、またグラインド液や破片の混入によるウェハー表面汚染を防ぐ。 またプロセス中はウェハーを脱イオン水で洗浄し、汚染を防ぐ。 このプロセスは「backlap」、「backfinish」、または「wafer thinning」とも呼ばれる。 (ja)
- Wafer backgrinding is a semiconductor device fabrication step during which wafer thickness is reduced to allow stacking and high-density packaging of integrated circuits (IC). ICs are produced on semiconductor wafers that undergo a multitude of processing steps. The silicon wafers predominantly used today have diameters of 200 and 300 mm. They are roughly 750 μm thick to ensure a minimum of mechanical stability and to avoid warping during high-temperature processing steps. The process is also known as "backlap", "backfinish" or "wafer thinning". (en)
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| - Wafer backgrinding is a semiconductor device fabrication step during which wafer thickness is reduced to allow stacking and high-density packaging of integrated circuits (IC). ICs are produced on semiconductor wafers that undergo a multitude of processing steps. The silicon wafers predominantly used today have diameters of 200 and 300 mm. They are roughly 750 μm thick to ensure a minimum of mechanical stability and to avoid warping during high-temperature processing steps. Smartcards, USB memory sticks, smartphones, handheld music players, and other ultra-compact electronic products would not be feasible in their present form without minimizing the size of their various components along all dimensions. The backside of the wafers are thus ground prior to wafer dicing (separation of the individual microchips). Wafers thinned down to 75 to 50 μm are common today. Prior to grinding, wafers are commonly laminated with UV-curable back-grinding tape, which ensures against wafer surface damage during back-grinding and prevents wafer surface contamination caused by infiltration of grinding fluid and/or debris. The wafers are also washed with deionized water throughout the process, which helps prevent contamination. The process is also known as "backlap", "backfinish" or "wafer thinning". (en)
- バックグラインドとは、集積回路（IC）の積み重ねや高密度にパッケージができるようにウェハーを薄くする半導体デバイス製造の工程のこと。 ICは多くのプロセスを経て半導体ウェハー上に作られる。現在主に使われているシリコンウェハーの直径は200mmと300mm、厚さはおよそ750μmである。厚みは、最低限の機械的安定性を保証するため、また高温処理でのウェハーの反りを避けるために必要である。 スマートカード、USBメモリスティック、スマートフォン、携帯音楽プレイヤーや超小型電気製品は、様々な構成部品のサイズを最小化する必要がある。そのためウェハーの裏面は（個々のマイクロチップの分離）の前にグラインドされる。75μmから50μmに薄くされたウェハーが一般的に用いられる。 グラインドの前にUV硬化の接着剤で貼り付けたテープで保護することで、バックグラインド中のダメージからウェハー表面を守り、またグラインド液や破片の混入によるウェハー表面汚染を防ぐ。 またプロセス中はウェハーを脱イオン水で洗浄し、汚染を防ぐ。 このプロセスは「backlap」、「backfinish」、または「wafer thinning」とも呼ばれる。 (ja)
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