| rdfs:comment
| - ثنائي المساري النفقي (بالإنجليزية: Tunnel Diode) ويعرف أيضا باسم صمام إيزاكي وهو نوع من الصمامات الثنائية تكون له مقاومة ظاهرية سالبة ، وذلك بسبب ظاهرة في ميكانيكا الكم تسمى بالنّفْق الكمومي. اخترعه ليو إيساكي في عام 1957 الحاصل على جائزة نوبل في الفيزياء. أهم مميزات هذا الصمام هو أنه يتصرف كمقاومة سالبة في نطاق معين ولهذه الخاصية عدة تطبيقات في دوائر المذبذبات. (ar)
- Die Tunneldiode, 1957 entdeckt vom japanischen Wissenschaftler Leo Esaki (deshalb auch Esaki-Diode genannt), ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement, das in bestimmten Spannungsbereichen einen negativ differentiellen Widerstand darstellt. Das heißt, in diesem Bereich führt eine ansteigende Spannung zu einer absinkenden Stromstärke, anstatt – wie in allen gewöhnlichen Materialien – zu einer ansteigenden Stromstärke. Zum Beispiel kann damit ein angeschlossener Schwingkreis entdämpft werden (Oszillator). Sie gehört daher zu den aktiven dynamischen Bauelementen. (de)
- Comhchumar leathsheoltóra ina mbíonn na leathsheoltóirí dópáilte go tiubh ionas go mbíonn an crios comhchumarach an-tanaí ar fad. Tarlaíonn an cliseadh ag voltas beag cúl-laofachta, agus níl aon raon ina bhfuil an fhriotaíocht cúl-laofachta an-ard. Bíonn friotaíocht dhiúltach aici thar chuid dá raon feidhmithe, agus úsáidtear í in aimplitheoirí is ascaltóirí ardmhinicíochta. Leo Esaki a cheap an dé-óid thollánach sa bhliain 1957 agus é ag obair le Tokyo Tsushin Kogyo (ar a dtugtar Sony anois). (ga)
- Une diode à effet tunnel, ou diode Esaky est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu’à 5 GHz). (fr)
- Diode terobosan atau sering disebut diode esaki adalah diode pertemuan P-N yang dibuat dengan menggunakan taraf pengotoran sangat tinggi. Hasilnya adalah suatu daerah hampa ultra tipis dan suatu efek yang disebut terobosan. Dalam daerah maju, arus meningkat sangat cepat untuk tegangan panjar yang harganya masih rendah. Setelah arus mencapai titik puncak, penambahan tegangan maju justru menurunkan arus hingga titik lembah sebelum akhirnya naik lagi. Jatuhnya arus terobosan ke arah maju menunjukkan adanya suatu karakteristik yang memungkinkan diode terobosan digunakan untuk sakelar cepat dan osilator frekuensi tinggi. (in)
- De tunneldiode of Esaki-diode is een diode met een speciale karakteristiek die bekendstaat als negatieve weerstand. De diode ontleent zijn naam aan Leo Esaki, en wordt onder andere gebruikt in oscillatoren, LC-kringen en hoogfrequente toepassingen met microgolven. (nl)
- トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。 (ja)
- Тунне́льный дио́д или диод Эсаки (изобретён Лео Эсаки в 1957 году) — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, на вольт-амперной характеристике которого при приложении напряжения в прямом направлении имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный туннельным эффектом. (ru)
- Тунельний діод — напівпровідниковий активний елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю. (uk)
- 隧道二極體（英語：Tunnel Diode），又稱江崎二極體、穿隧效應二極體、穿隧二極體、透納二極體，是一種可以高速切換的二極體，其切換速度可到達微波頻率的範圍，其原理是利用量子穿隧效應。 隧道二極體是日本物理學家江崎玲於奈在1958年8月時發明的，當時他任職於東京通訊工業株式會社（現在的索尼）。1973年時江崎玲於奈和布赖恩·约瑟夫森因為發現上述半導體中的量子穿隧效應而獲得諾貝爾物理獎。羅伯特·諾伊斯在為威廉·肖克利工作時也有有關隧道二極體的想法，但沒有繼續進行研究。 此種二極體是由高摻雜的PN接面所形成（空乏區通常只有10奈米寬），常用的材料包括鍺、砷化鎵等窄能隙的材料，由於高摻雜會產生晶格的破壞，使得能隙間的缺陷變多，加上窄能隙材料縮小量子穿隧的障礙，所以能夠增加量子穿隧的電流。隧道二極體常用於和偵測器上，由於隧道二極體的負微分電阻的特性，其也可應用於振盪器、放大器以及的遲滯。 (zh)
- El díode túnel és un díode semiconductor que té una unió PN, en la qual es produeix l'efecte túnel que dona origen a una conductància diferencial negativa en un cert interval de la característica corrent - tensió. (ca)
- Tunelová (Esakiho) dioda je dioda využívající tunelový jev v propustném směru PN přechodu, který je vyvolaný stavem degenerace zvyšováním koncentrací, při kterém přecházejí až do valenčního, respektive . Tunelové diody se vyrábějí nejčastěji z galliumarsenidu (GaAs), u kterého dosahuje poměr proudu v maximu a minimu nejvyšších hodnot (20 až 65; u křemíku jen 3, u germania 5 až 15). (cs)
- El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador). (es)
- A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor diode that has effectively "negative resistance" due to the quantum mechanical effect called tunneling. It was invented in August 1957 by Leo Esaki, Yuriko Kurose, and Takashi Suzuki when they were working at Tokyo Tsushin Kogyo, now known as Sony. In 1973, Esaki received the Nobel Prize in Physics, jointly with Brian Josephson, for discovering the electron tunneling effect used in these diodes. Robert Noyce independently devised the idea of a tunnel diode while working for William Shockley, but was discouraged from pursuing it. Tunnel diodes were first manufactured by Sony in 1957, followed by General Electric and other companies from about 1960, and are still made in low volume today. (en)
- 터널 다이오드(영어: Tunnel diode)는 반도체 다이오드의 일종이다. 에사키 다이오드(Esaki diode)로도 불린다. 1957년 8월 일본의 물리학자인 에사키 레오나에 의해서 발명됐다. 에사키는 터널 효과와 관련하여 1973년 노벨 물리학상을 수상한다. 이 다이오드도 PN 접합을 이용하고 있는데, N형 반도체와 P형 반도체 두 영역의 첨가 불순물의 농도를 1019/cm3 정도 이상으로 높여 주면 두 영역 사이에서 터널효과, 즉 전류반송파의 양자역학적인 관통현상효과가 생겨 p-n 접합을 통한 전류반송파의 이동이 발생되며, 부성저항(전압은 증가하는 데 전류는 감소되는 특성)을 나타낸다. 순방향 전압을 늘려 가면 전류가 일단 늘어나서 마루를 이루었다가 줄어들어 골이 되고, 다시 늘어나 보통의 다이오드 특성에 가까워진다. 이 전류의 마루가 형성되는 까닭은 불순물이 많이 들어 있어서 접합부의 장벽이 얇아지고 양자역학적인 터널 효과에 의해 전류가 흐르기 때문이다. 이렇게 터널 효과를 이용하기 때문에 이 다이오드를 터널 다이오드라고 한다. (ko)
- Dioda tunelowa – dioda półprzewodnikowa charakteryzująca się niewielką grubością złącza "p-n", bardzo wysokim stężeniem domieszek w obu złączach (półprzewodniki domieszkowane "p" i "n") oraz ujemną wartością rezystancji dynamicznej dla pewnego zakresu napięcia dodatnio polaryzującego. Została ona wynaleziona w 1957 roku przez japońskiego fizyka Leo Esaki (stąd też alternatywną nazwą diody tunelowej jest określenie "dioda Esakiego"). W trakcie przeprowadzania badań nad złączami półprzewodnikowymi p-n zauważył, że gdy dioda jest silnie domieszkowana, to po przekroczeniu pewnej wartości napięcia przewodzenia, w pewnym przedziale napięć wykazuje ujemną wartość rezystancji dynamicznej. W 1973 roku Leo Esaki został laureatem Nagrody Nobla z fizyki za odkrycie zjawiska tunelowania elektronów w di (pl)
- O diodo túnel ou díodo Esaki é um tipo de diodo semicondutor extremamente rápido, que opera na casa dos GHz, através da utilização dos efeitos da mecânica quântica. Recebeu o nome do físico Leo Esaki, que em 1973 recebeu o Prêmio Nobel em Física pela descoberta do efeito túnel utilizado neste tipo de diodo semicondutor. Resumidamente, o diodo túnel só atua com propriedades especificas em baixas tensões. (pt)
- En tunneldiod eller Esaki-diod är en typ av halvledare som är kapabel till att användas högt upp i frekvens, väl inom mikrovågsfrekvensområdet, genom att använda sig av kvantmekaniska effekter. Den uppfanns i augusti 1957 av Leo Esaki när han jobbade för Tokyo Tsushin Kogyo, numera Sony. Esaki fick 1973 fick nobelpriset i fysik för att ha upptäckt tunneleffekten som används i dessa dioder. Tunneldioder används bland annat för att upprätthålla oscillationer i och med sin negativa resistans. (sv)
|
_8.5.7.1.c.svg)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)