In microfabrication, thermal oxidation is a way to produce a thin layer of oxide (usually silicon dioxide) on the surface of a wafer. The technique forces an oxidizing agent to diffuse into the wafer at high temperature and react with it. The rate of oxide growth is often predicted by the Deal–Grove model. Thermal oxidation may be applied to different materials, but most commonly involves the oxidation of silicon substrates to produce silicon dioxide.
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| - أكسدة حرارية (ar)
- Oxidació tèrmica (ca)
- Thermische Oxidation von Silizium (de)
- Oxidación en semiconductores (es)
- Oxydation thermique (fr)
- Thermal oxidation (en)
- Термическое оксидирование (ru)
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| - . الأكسدة الحرارية هي عملية صناعية في مجال تشطيب سطوح الرقائق السيليكونية تهدف إلى تشكيل غشاء رقيق من ثنائي أكسيد السيليكون، وذلك بإجبار مؤكسد على الانتشار في الرقاقة عند درجات حرارة مرتفعة. تجرى عملية الأكسدة الحرارية عند درجات حرارة تتراوح بين 800 °س إلى 1200 °س، ويمكن أن تجرى إما باستخدام بخار الماء مرتفع النقاوة أو باستخدام الأكسجين الجزيئي. يمكن أن يستقرأ معدل نمو طبقة ثنائي أكسيد السيليكون على رقاقة السيليكون باستخدام (Deal–Grove model). (ar)
- L'oxydation thermique est un procédé qui utilise l'énergie thermique pour oxyder des substances. Les buts de ce type de procédé sont assez divers : destruction de substances dangereuses avec formation de substances inertes, production d'énergie (l'oxydation est en général une réaction exothermique), traitement de surface afin de modifier les propriétés d'un matériau, etc. (fr)
- In microfabrication, thermal oxidation is a way to produce a thin layer of oxide (usually silicon dioxide) on the surface of a wafer. The technique forces an oxidizing agent to diffuse into the wafer at high temperature and react with it. The rate of oxide growth is often predicted by the Deal–Grove model. Thermal oxidation may be applied to different materials, but most commonly involves the oxidation of silicon substrates to produce silicon dioxide. (en)
- Оксидирование кремния (Si) — процесс создания оксидной плёнки (диоксида кремния SiO2) на поверхности кремниевой подложки. Задача оксидирования — вырастить высококачественный слой оксида на подложке из кремния. Оксид кремния получается в процессе химической реакции между кислородом и кремнием. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность подложки, нагретой в печи. В качестве окислительной среды обычно используется сухой или влажный (с паром) кислород. (ru)
- Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird. Das Verfahren wird in der Halbleitertechnik unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Prozess basiert auf der Eindiffusion von Sauerstoff und dessen chemischer Reaktion mit Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, deutsch: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Siliziumoxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermi (de)
- La oxidación es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados. Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad. Otra característica de la oxidación (u oxidación térmica) es que sólo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación cuando la oblea tiene aún el silicio al descubierto. La forma más usada es la oxidación térmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidación puede ser: Si + 2H2O ————> SiO2 + 2H2 Si + O2 ————> SiO2 (es)
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| - . الأكسدة الحرارية هي عملية صناعية في مجال تشطيب سطوح الرقائق السيليكونية تهدف إلى تشكيل غشاء رقيق من ثنائي أكسيد السيليكون، وذلك بإجبار مؤكسد على الانتشار في الرقاقة عند درجات حرارة مرتفعة. تجرى عملية الأكسدة الحرارية عند درجات حرارة تتراوح بين 800 °س إلى 1200 °س، ويمكن أن تجرى إما باستخدام بخار الماء مرتفع النقاوة أو باستخدام الأكسجين الجزيئي. يمكن أن يستقرأ معدل نمو طبقة ثنائي أكسيد السيليكون على رقاقة السيليكون باستخدام (Deal–Grove model). (ar)
- En la microfabricació, l'oxidació tèrmica és una manera de produir una fina capa d'òxid (generalment diòxid de silici ) a la superfície d'una oblia. La tècnica obliga un agent oxidant a difondre's a l'oblia a alta temperatura i reaccionar amb ella. El model de Deal-Grove prediu sovint la taxa de creixement de l'òxid. L'oxidació tèrmica es pot aplicar a diferents materials, però més comunament implica l'oxidació de substrats de silici per produir diòxid de silici. (ca)
- Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird. Das Verfahren wird in der Halbleitertechnik unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Prozess basiert auf der Eindiffusion von Sauerstoff und dessen chemischer Reaktion mit Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, deutsch: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Siliziumoxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermischen Siliziumnitrid-Schicht auf einem Siliziumsubstrat bei hohen Temperaturen. (de)
- La oxidación es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados. Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad. Otra característica de la oxidación (u oxidación térmica) es que sólo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación cuando la oblea tiene aún el silicio al descubierto. La forma más usada es la oxidación térmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidación puede ser: Si + 2H2O ————> SiO2 + 2H2 Si + O2 ————> SiO2 La primera es la oxidación húmeda y la segunda oxidación seca.La oxidación húmeda se realiza a través de vapor agua a una temperatura de 900 °C a 1000 °C. El crecimiento es más rápido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidación. Se suele utilizar para la creación de Óxido de Campo (FOX). La oxidación seca se realiza con oxígeno puro a una temperatura de 1200 °C. Es un proceso más lento pero por el contrario produce menos defectos y ofrece un mayor control sobre el proceso. El óxido producido con la oxidación seca es de mayor calidad y se suele destinar para el óxido de puerta (THINOX). Las capas de óxido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo óxido de puerta de un MOS), para separar dos dispositivos entre sí (óxido de campo), como máscara en otros procesos (implantación, difusión...), para separar dos capas de materiales conductores, etc. (es)
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