The term salicide refers to a technology used in the microelectronics industry used to form electrical contacts between the semiconductor device and the supporting interconnect structure. The salicide process involves the reaction of a metal thin film with silicon in the active regions of the device, ultimately forming a metal silicide contact through a series of annealing and/or etch processes. The term "salicide" is a compaction of the phrase self-aligned silicide. The description "self-aligned" suggests that the contact formation does not require photolithography patterning processes, as opposed to a non-aligned technology such as polycide.
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| - Salicide-Prozess (de)
- Saliciure (fr)
- Saliciuro (it)
- サリサイド (ja)
- Salicide (en)
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| - Il saliciuro o anche saliciurizzazione è una tecnologia usata nell'industria microelettronica, in particolare nella fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore su wafer di silicio (ad esempio dispositivi CMOS). Il termine saliciuro deriva dall'inglese, "self-aligned silicide" ossia siliciuro auto-allineato, dal momento che questa tecnologia non prevede l'utilizzo di processi di litografia e rimozione, come invece avviene per altre tecnologie simili (ad esempio ). (it)
- サリサイドとは、半導体デバイスと配線構造との間の電気的接触を作るためマイクロエレクトロニクス産業で使われる技術のこと。サリサイドプロセスはデバイスの活性領域での金属薄膜とシリコンとの反応であり、アニーリングやエッチングプロセスによって最終的に金属シリサイド接触が形成される。サリサイド("salicide")とは、自己整合シリサイド(self-aligned silicide)を短縮した言葉である。などの自己整合でない技術とは違い、自己整合プロセスでの接触形成は露光パターニングプロセスを必要としない。サリサイドという言葉は「チタンサリサイド」といったように接触形成プロセスで作られる金属ケイ化物を指すときにも用いられるが、これは化学で使われている命名法とは整合していない。化学におけるサリサイドとは、例えばカリウムサリサイドなどサリシンの化合物のことを指す。 (ja)
- Der englischsprachige Begriff salicide bezeichnet in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontakten zwischen den aktiven Gebieten des Silizium-Substrats (Source und Drain des MOSFET) und den Leiterbahnebenen. Der Begriff selbst ist eine Mischform aus Initial- und Silbenbildung, das heißt ein Akronym, von self-aligned silicide (dt. selbstjustierendes Silicid), das heißt, ein Prozess bei dem ohne Hilfe einer gesonderten fotolithografischen Strukturierung („selbstjustierend“) ein örtlich begrenztes Silicid erzeugt wird. (de)
- Le terme saliciure (de l'anglais salicide) désigne une technique utilisée en microélectronique pour former des contacts électriques entre un composant à semi-conducteur en silicium et sa structure d'interconnexion au reste du circuit électrique. (fr)
- The term salicide refers to a technology used in the microelectronics industry used to form electrical contacts between the semiconductor device and the supporting interconnect structure. The salicide process involves the reaction of a metal thin film with silicon in the active regions of the device, ultimately forming a metal silicide contact through a series of annealing and/or etch processes. The term "salicide" is a compaction of the phrase self-aligned silicide. The description "self-aligned" suggests that the contact formation does not require photolithography patterning processes, as opposed to a non-aligned technology such as polycide. (en)
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| - Der englischsprachige Begriff salicide bezeichnet in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontakten zwischen den aktiven Gebieten des Silizium-Substrats (Source und Drain des MOSFET) und den Leiterbahnebenen. Der Begriff selbst ist eine Mischform aus Initial- und Silbenbildung, das heißt ein Akronym, von self-aligned silicide (dt. selbstjustierendes Silicid), das heißt, ein Prozess bei dem ohne Hilfe einer gesonderten fotolithografischen Strukturierung („selbstjustierend“) ein örtlich begrenztes Silicid erzeugt wird. Analog zum Salicide-Prozess bezeichnet der Polycide-Prozess, eine Silicid-Bildung in einer Polysiliciumschicht, beispielsweise zur Kontaktbildung der Gate-Elektrode. Die Begriffsnutzung ist jedoch nicht immer widerspruchsfrei, so wird auch die gleichzeitige Bildung von Siliciden an dem Source- und Drain-Gebiete sowie der Gate-Elektrode des MOSFETs als Salicide-Prozess bezeichnet. (de)
- Le terme saliciure (de l'anglais salicide) désigne une technique utilisée en microélectronique pour former des contacts électriques entre un composant à semi-conducteur en silicium et sa structure d'interconnexion au reste du circuit électrique. Ce contact est établi par la formation d'un siliciure métallique autoaligné, produit par la réaction entre une couche mince de métal et le silicium de la région active du composant par des séries de recuits et de gravures. Le terme « saliciure » provient de la francisation du mot-valise anglophone salicide, contraction du terme self-aligned silicide (siliciure auto-aligné). Le terme « auto-aligné » suggère le fait que la formation du contact se fait sans avoir recours à des procédés de type photolithographie (bien qu'il soit possible d'utiliser la photolithographie pour ce genre de procédés), et marque l'opposition avec des techniques de contact « non-aligné » telles que le contact par (siliciure de polysilicium). Le terme « saliciure » désigne parfois aussi le siliciure métallique lui-même bien que cette appellation ne respecte pas les conventions adoptées en chimie. (fr)
- The term salicide refers to a technology used in the microelectronics industry used to form electrical contacts between the semiconductor device and the supporting interconnect structure. The salicide process involves the reaction of a metal thin film with silicon in the active regions of the device, ultimately forming a metal silicide contact through a series of annealing and/or etch processes. The term "salicide" is a compaction of the phrase self-aligned silicide. The description "self-aligned" suggests that the contact formation does not require photolithography patterning processes, as opposed to a non-aligned technology such as polycide. The term salicide is also used to refer to the metal silicide formed by the contact formation process, such as "titanium salicide", although this usage is inconsistent with accepted naming conventions in chemistry. (en)
- Il saliciuro o anche saliciurizzazione è una tecnologia usata nell'industria microelettronica, in particolare nella fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore su wafer di silicio (ad esempio dispositivi CMOS). Il termine saliciuro deriva dall'inglese, "self-aligned silicide" ossia siliciuro auto-allineato, dal momento che questa tecnologia non prevede l'utilizzo di processi di litografia e rimozione, come invece avviene per altre tecnologie simili (ad esempio ). (it)
- サリサイドとは、半導体デバイスと配線構造との間の電気的接触を作るためマイクロエレクトロニクス産業で使われる技術のこと。サリサイドプロセスはデバイスの活性領域での金属薄膜とシリコンとの反応であり、アニーリングやエッチングプロセスによって最終的に金属シリサイド接触が形成される。サリサイド("salicide")とは、自己整合シリサイド(self-aligned silicide)を短縮した言葉である。などの自己整合でない技術とは違い、自己整合プロセスでの接触形成は露光パターニングプロセスを必要としない。サリサイドという言葉は「チタンサリサイド」といったように接触形成プロセスで作られる金属ケイ化物を指すときにも用いられるが、これは化学で使われている命名法とは整合していない。化学におけるサリサイドとは、例えばカリウムサリサイドなどサリシンの化合物のことを指す。 (ja)
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