About: P?n junction     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : yago:Instrumentality103575240, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.org/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2FP%E2%80%93n_junction

A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. The "p" (positive) side contains an excess of holes, while the "n" (negative) side contains an excess of electrons in the outer shells of the electrically neutral atoms there. This allows electrical current to pass through the junction only in one direction. The p-n junction is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scatter

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • وصلة الموجب والسالب
  • Junció PN
  • PN přechod
  • P-n-Übergang
  • Junto (elektro)
  • Unión PN
  • P–n junction
  • Jonction P-N
  • Pertemuan p-n
  • Giunzione p-n
  • Pn接合
  • PN 접합
  • Pn-overgang
  • Złącze p-n
  • Junção PN
  • P-n-переход
  • PN-övergång
  • P-n-перехід
  • PN结
rdfs:comment
  • Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos , un de tipus N i un altre de tipus P. Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció. Es basa en la tecnologia del semiconductor. Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat , s'obtenen unes propietats elèctriques diferents que si se n'apliquen unes altres.
  • PN přechod je rozhraní polovodiče typu P a polovodiče typu N. PN přechod propouští elektrický proud pouze jedním směrem a je základním stavebním kamenem polovodičových součástek jako jsou diody a tranzistory, fotovoltaické články, svítivé LED diody a integrované obvody. Objev PN přechodu učinil v roce 1939 americký fyzik v Bellových laboratořích. V roce 1941 popsal ukrajinský fyzik objev PN přechodu na materiálu Cu2O a sulfidu stříbrném u fotobuňky a u selenových usměrňovačů. Schottkyho dioda používá speciální případ PN přechodu, kde polovodič typu P je nahrazen kovem.
  • En elektro, 'junto' estas kunigo de diversspecaj duonkonduktantoj: pn-junto (p =pozitivaregiono, n = negativa regiono) formas diodon; duo da juntoj npn aŭ pnp farastransistoron. * * * *
  • Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico. Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica.
  • P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor dan bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah:
  • pn接合(pnせつごう、pn junction)とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。
  • Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n. W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w sieci krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim. Atomy domieszek są tu akceptorami. W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych. Obszar o mniejszej koncentracji domieszek znajdujący się pomiędzy kontaktem złącza a warstwą zubożoną nazywany jest bazą.
  • p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других).
  • 一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體,另一側摻雜成N型半導體,中間二者相連的接觸面稱為PN结(英語:p-n junction)。PN结是電子技術中許多元件,例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。
  • وصلة الموجب والسالب ووصلة بي إن والوصلة الثنائية (بالإنجليزية: P-N Junction): يتألف من رقاقتين من شبه موصل, الرقاقة الأولى n تكون بنيتها غنية باللإلكترونات (سالبة) والرقاقة الثانية p تكون خاصية بنيتها غنية بالفجوات (موجبة). يتم تصنيعهما بعملية تسمى تشويب حيث نًدخل مادة مشوبة مناسبة في بنية شبه موصل مثل السيليكون ، فينتج "النوع إن" و "النوع بي" . عند وصل الرقاقتين تتشكل (منطقة عزل) بين الرقاقتين ويتكون لدينا صمام ثنائي Diode. تكتسب الوصلة أهميتها من أنها حجر الأساس في صنع الثنائي والخلايا الشمسية والمقحل زوجي الأقطاب ، و الثنائي الضوئي ، و الثنائي المشع ، و والمقداح والترياك وغيرها.
  • Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.
  • A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. The "p" (positive) side contains an excess of holes, while the "n" (negative) side contains an excess of electrons in the outer shells of the electrically neutral atoms there. This allows electrical current to pass through the junction only in one direction. The p-n junction is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scatter
  • En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique I(V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c'est celle d'une diode.
  • Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente. La giunzione p-n è composta da due zone: una con un eccesso di lacune (strato p) e una ad eccedenza di elettroni (strato n). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine giunzione fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento); in questo volume i portatori, rispettivamente del lato p e del lato n, di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, diffondono nel semiconduttore adiacente (generando una corrente di diffusione), lasciando no
  • P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있다. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋다. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 (depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다. 여기서 바이어스라는 말은 P-N접합에 전압을 걸어주는 것을 뜻한다. 전 작업자가 전도도가 떨어지는 영역이라고 표현했지만 이것은 결과적인 의미해석이고전기적인 장벽은 전자의 균일화 엔트로피때문에 일어난다.
  • Een pn-overgang (ook p-n-overgang, PN-overgang of anders) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd (negatief) naar p-gedoteerd (positief) halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus). Deze overgang wordt aangeduid als junctie (Engels: junction).
  • Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino. Ou seja, não basta apenas colocar em contato íntimo os tipos de semicondutores, pois além da presença de impurezas e defeitos nas superfícies, existem também filmes de óxidos que cobrem essas superfícies, mudando totalmente a interface dos semicondutores. O diodo de junção é um elemento básico para quase todos os dispositivos semicondutores que usam uma junção P-N.
  • En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden. * Wikimedia Commons har media som rör PN-övergång. Denna elektronikrelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att tillföra sådan.
  • p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- таn-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого. Ця область характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. На властивостях p-n переходів ґрунтується робота напівпровідникових діодів, транзисторів та інших електронних елементів з нелінійною вольт-амперною характеристикою.
rdfs:seeAlso
foaf:depiction
  • External Image
foaf:isPrimaryTopicOf
thumbnail
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Faceted Search & Find service v1.17_git51 as of Sep 16 2020


Alternative Linked Data Documents: PivotViewer | iSPARQL | ODE     Content Formats:       RDF       ODATA       Microdata      About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3319 as of Dec 29 2020, on Linux (x86_64-centos_6-linux-glibc2.12), Single-Server Edition (61 GB total memory)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2021 OpenLink Software