About: Intrinsic semiconductor     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : yago:Substance100019613, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)

An intrinsic(pure) semiconductor, also called an undoped semiconductor or i-type semiconductor, is a pure semiconductor without any significant dopant species present. The number of charge carriers is therefore determined by the properties of the material itself instead of the amount of impurities. In intrinsic semiconductors the number of excited electrons and the number of holes are equal: n = p. This may be the case even after doping the semiconductor, though only if it is doped with both donors and acceptors equally. In this case, n = p still holds, and the semiconductor remains intrinsic, though doped.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • شبه موصل ذاتي
  • Intrinsic semiconductor
  • Semi-conducteur intrinsèque
  • 真性半導体
  • 진성 반도체
  • Półprzewodnik samoistny
  • Собственный полупроводник
  • Власний напівпровідник
  • 本征半导体
rdfs:comment
  • شبه الموصل الذاتي (بالإنجليزية: Intrinsic semiconductor)‏ هو شبه موصل نقي يحتوي على عدد من الفجوات مساو لعدد الإلكترونات الحرة لكنه يختلف عن العازل حيث انه في درجة حرارة أعلى من الصفر المطلق هناك إمكانية محدودة أن يتحرر الإلكترون من مكانه ويترك خلفه فجوة إلكترونية لكن في درجات الحرارة الاعتيادية ينبغي أن يخضع شبه الموصل النقي إلى عملية تشويب حتى يمكن استغلالها في التطبيقات الإلكترونية لإن عدد الإلكترونات في نطاق التوصيل يكون مساو لعدد الفجوات في نطاق التكافؤ.
  • Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur dont le comportement électrique ne dépend que de sa structure, et non de l'adjonction d'impuretés comme dans le cas du dopage.
  • 真性半導体(しんせいはんどうたい、英: intrinsic semiconductor)とは、添加物を混じえていない純粋な半導体のことを指す。英語名からi型半導体と呼ばれることもある。
  • Półprzewodnik samoistny – półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur. Przyjmuje się, że w temperaturze 0 kelwinów w paśmie przewodnictwa nie ma elektronów, natomiast w T>0 K ma miejsce generacja par elektron-dziura; im wyższa temperatura, tym więcej takich par powstaje.
  • Власний напівпровідник - напівпровідник з дуже малою концентрацією домішок. У власному напівпровіднику кількість електронів у зоні провідності збігається з кількістю дірок у валентній зоні й визначається в основному шириною забороненої зони. Власні напівпровідники —- вихідний матеріал для легування з метою отримання напівпровідників n- та p-типу. Характеристики, близькі до характеристик власних напівпровідників, мають компенсовані напівпровідники, в яких доволі висока концентрація донорів урівноважена відповідною концентрацією акцепторів.
  • 本徵半導體(英語:Intrinsic semiconductor)或稱無雜質半導體、本質半導體、純半導體、I型半導體,是指未摻入雜質的半導體。 相對於本質半導體,摻入雜質(doping)而含有雜質的半導體叫做雜質半導體(Extrinsic semiconductor)。
  • An intrinsic(pure) semiconductor, also called an undoped semiconductor or i-type semiconductor, is a pure semiconductor without any significant dopant species present. The number of charge carriers is therefore determined by the properties of the material itself instead of the amount of impurities. In intrinsic semiconductors the number of excited electrons and the number of holes are equal: n = p. This may be the case even after doping the semiconductor, though only if it is doped with both donors and acceptors equally. In this case, n = p still holds, and the semiconductor remains intrinsic, though doped.
  • Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами. Технология позволяет получать материалы с высокой степенью очистки, среди которых можно выделить непрямозонные полупроводники: Si (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=1,4·1010 см−3), Ge (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=2,5·1013 см−3) и прямозонный GaAs.
foaf:isPrimaryTopicOf
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Link from a Wikipage to an external page
sameAs
dbp:wikiPageUsesTemplate
Link from a Wikipa... related subject.
has abstract
  • شبه الموصل الذاتي (بالإنجليزية: Intrinsic semiconductor)‏ هو شبه موصل نقي يحتوي على عدد من الفجوات مساو لعدد الإلكترونات الحرة لكنه يختلف عن العازل حيث انه في درجة حرارة أعلى من الصفر المطلق هناك إمكانية محدودة أن يتحرر الإلكترون من مكانه ويترك خلفه فجوة إلكترونية لكن في درجات الحرارة الاعتيادية ينبغي أن يخضع شبه الموصل النقي إلى عملية تشويب حتى يمكن استغلالها في التطبيقات الإلكترونية لإن عدد الإلكترونات في نطاق التوصيل يكون مساو لعدد الفجوات في نطاق التكافؤ.
  • Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur dont le comportement électrique ne dépend que de sa structure, et non de l'adjonction d'impuretés comme dans le cas du dopage.
  • An intrinsic(pure) semiconductor, also called an undoped semiconductor or i-type semiconductor, is a pure semiconductor without any significant dopant species present. The number of charge carriers is therefore determined by the properties of the material itself instead of the amount of impurities. In intrinsic semiconductors the number of excited electrons and the number of holes are equal: n = p. This may be the case even after doping the semiconductor, though only if it is doped with both donors and acceptors equally. In this case, n = p still holds, and the semiconductor remains intrinsic, though doped. The electrical conductivity of intrinsic semiconductors can be due to crystallographic defects or electron excitation. In an intrinsic semiconductor the number of electrons in the conduction band is equal to the number of holes in the valence band. An example is Hg0.8Cd0.2Te at room temperature. An indirect band gap intrinsic semiconductor is one in which the maximum energy of the valence band occurs at a different k (k-space wave vector) than the minimum energy of the conduction band. Examples include silicon and germanium.A direct band gap intrinsic semiconductor is one where the maximum energy of the valence band occurs at the same as the minimum energy of the conduction band. Examples include gallium arsenide. A silicon crystal is different from an insulator because at any temperature above absolute zero, there is a non-zero probability that an electron in the lattice will be knocked loose from its position, leaving behind an electron deficiency called a "hole". If a voltage is applied, then both the electron and the hole can contribute to a small current flow. The conductivity of a semiconductor can be modeled in terms of the band theory of solids. The band model of a semiconductor suggests that at ordinary temperatures there is a finite possibility that electrons can reach the conduction band and contribute to electrical conduction. The term intrinsic here distinguishes between the properties of pure "intrinsic" silicon and the dramatically different properties of doped n-type or p-type semiconductors.
  • 真性半導体(しんせいはんどうたい、英: intrinsic semiconductor)とは、添加物を混じえていない純粋な半導体のことを指す。英語名からi型半導体と呼ばれることもある。
  • Półprzewodnik samoistny – półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur. Przyjmuje się, że w temperaturze 0 kelwinów w paśmie przewodnictwa nie ma elektronów, natomiast w T>0 K ma miejsce generacja par elektron-dziura; im wyższa temperatura, tym więcej takich par powstaje.
  • Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами. Технология позволяет получать материалы с высокой степенью очистки, среди которых можно выделить непрямозонные полупроводники: Si (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=1,4·1010 см−3), Ge (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=2,5·1013 см−3) и прямозонный GaAs. Полупроводник без примесей обладает собственной электропроводностью, которая имеет два вклада: электронный и дырочный. Если к полупроводнику не приложено напряжение, то электроны и дырки совершают тепловое движение и суммарный ток равен нулю. При приложении напряжения в полупроводнике возникает электрическое поле, которое приводит к возникновению тока, называемого дрейфовым током iдр. Полный дрейфовый ток является суммой двух вкладов из электронного и дырочного токов: iдр= in+ ip, где индекс n соответствует электронному вкладу, а p — дырочному. Удельное сопротивление полупроводника зависит от концентрации носителей и от их подвижности, как следует из простейшей модели Друде. В полупроводниках при повышении температуры вследствие генерации электрон-дырочных пар концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне увеличивается значительно быстрее, нежели уменьшается их подвижность, поэтому с повышением температуры проводимость растет. Процесс гибели электрон-дырочных пар называется рекомбинацией. Фактически проводимость собственного полупроводника сопровождается процессами рекомбинации и генерации и если скорости их равны, то говорят что полупроводник находится в равновесном состоянии. Количество термически возбуждённых носителей зависит от ширины запрещённой зоны, поэтому количество носителей тока в собственных полупроводниках мало по сравнению с легированными полупроводниками и сопротивление их значительно выше.
  • Власний напівпровідник - напівпровідник з дуже малою концентрацією домішок. У власному напівпровіднику кількість електронів у зоні провідності збігається з кількістю дірок у валентній зоні й визначається в основному шириною забороненої зони. Власні напівпровідники —- вихідний матеріал для легування з метою отримання напівпровідників n- та p-типу. Характеристики, близькі до характеристик власних напівпровідників, мають компенсовані напівпровідники, в яких доволі висока концентрація донорів урівноважена відповідною концентрацією акцепторів.
  • 本徵半導體(英語:Intrinsic semiconductor)或稱無雜質半導體、本質半導體、純半導體、I型半導體,是指未摻入雜質的半導體。 相對於本質半導體,摻入雜質(doping)而含有雜質的半導體叫做雜質半導體(Extrinsic semiconductor)。
prov:wasDerivedFrom
page length (characters) of wiki page
gold:hypernym
is foaf:primaryTopic of
is Link from a Wikipage to another Wikipage of
Faceted Search & Find service v1.17_git81 as of Jul 16 2021


Alternative Linked Data Documents: PivotViewer | ODE     Content Formats:       RDF       ODATA       Microdata      About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3322 as of Sep 15 2021, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc25), Single-Server Edition (61 GB total memory)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2021 OpenLink Software