Impact ionization is the process in a material by which one energetic charge carrier can loose energy by the creation of other charge carriers. For example, in semiconductors, an electron (or hole) with enough kinetic energy can knock a bound electron out of its bound state (in the valence band) and promote it to a state in the conduction band, creating an electron-hole pair. For carriers to have sufficient kinetic energy a sufficiently large electric field must be applied, in essence requiring a sufficiently large voltage but not necessarily a large current.
| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| rdfs:label
| - تأين صدمي (ar)
- Stoßionisation (de)
- Impact ionization (en)
- 衝突電離 (ja)
- Jonizacja zderzeniowa (pl)
- Ударная ионизация (ru)
- Ударна іонізація (uk)
|
| rdfs:comment
| - التأين الصدمي هي عملية تتأين فيها ذرة أو جزيء عندما يقوم جسيم حامل للشحنة بالاصطدام بها بطاقة مرتفعة فاقداً بذلك تلك الطاقة ومشكلاً لجسيمات جديدة حاملة للشحنة. على سبيل المثال، في شبه الموصلات يستطيع إلكترون مرتفع الطاقة أن يصطدم مع إلكترون آخر مرتبط وأن يخرجه من حالة الارتباط إلى نطاق التوصيل مشكلاً بذلك زوج إلكترون-ثغرة جديد. لكي يحصل حامل الشحنة المصطدم على طاقة حركية كافية ينبغي تطبيق حقل كهربائي بالشكل الكافي. (ar)
- 衝突電離（しょうとつでんり、英語: impact ionization）とは、半導体や絶縁体に高電界を印加した場合に、電子やホールのキャリアが材質を構成する原子もしくは分子に衝突しイオン化させると同時に、複数のキャリアを作り出す現象。 衝突電離が生じるには十分な運動エネルギーが必要であるため、高い電界が必要である。 この衝突電離が生じて増加したキャリアが更に衝突電離を引き起こすと、正のフィードバックが働きアヴァランシェ・ブレークダウン (avalanche breakdown) が発生する。高抵抗の材質でこのアヴァランシェ・ブレークダウンが発生し、低抵抗のフィラメント状の領域ができることをと呼ぶ。 (ja)
- Jonizacja zderzeniowa - jonizacja atomu w półprzewodniku przez elektron znajdujący się w paśmie przewodnictwa. Zjawisko to ma miejsce w fotodiodach lawinowych. (pl)
- Уда́рна іоніза́ція — фізичне явище, що полягає в іонізації атома при зіткненні з електроном (або іншою легкою частинкою — наприклад, позитроном або «діркою»). Явище може спостерігатися як у газах, так й у твердих тілах (зокрема, в напівпровідниках). У газах ударна іонізація важлива для підтримання самостійного електричного розряду. У напівпровідниках електрон або «дірка», що набули досить високої кінетичної енергії в сильному електричному полі, можуть іонізувати кристал і створити в ньому . Для іонізації напівпровідника енергія гарячого носія має перевищувати ширину забороненої зони. (uk)
- Bei der Stoßionisation wird ein Atom oder Molekül ionisiert oder in einem Halbleiter ein zusätzliches Ladungsträgerpaar erzeugt. Stoßpartner ist typischerweise ein in einem äußeren elektrischen Feld beschleunigtes Elektron oder Ion. Auch hochenergetische elektromagnetische Strahlung oder bei genügend hoher Temperatur ein Elektron, Ion oder auch neutrales Atom kann infolge seiner ungeordneten Temperaturbewegung zur Stoßionisation führen. In Halbleitern können auch Löcher Stoßionisation bewirken. Durch anschließende Rekombination können Leuchterscheinungen im sichtbaren Bereich auftreten. (de)
- Impact ionization is the process in a material by which one energetic charge carrier can loose energy by the creation of other charge carriers. For example, in semiconductors, an electron (or hole) with enough kinetic energy can knock a bound electron out of its bound state (in the valence band) and promote it to a state in the conduction band, creating an electron-hole pair. For carriers to have sufficient kinetic energy a sufficiently large electric field must be applied, in essence requiring a sufficiently large voltage but not necessarily a large current. (en)
- Уда́рная иониза́ция — физическая модель, описывающая ионизацию атома при «ударе о него» электрона или другой заряженной частицы — например, позитрона, иона или «дырки». Явление наблюдается как в газах, так и в твёрдых телах, например в полупроводниках. (ru)
|
| foaf:depiction
| |
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| Link from a Wikipage to an external page
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| thumbnail
| |
| has abstract
| - التأين الصدمي هي عملية تتأين فيها ذرة أو جزيء عندما يقوم جسيم حامل للشحنة بالاصطدام بها بطاقة مرتفعة فاقداً بذلك تلك الطاقة ومشكلاً لجسيمات جديدة حاملة للشحنة. على سبيل المثال، في شبه الموصلات يستطيع إلكترون مرتفع الطاقة أن يصطدم مع إلكترون آخر مرتبط وأن يخرجه من حالة الارتباط إلى نطاق التوصيل مشكلاً بذلك زوج إلكترون-ثغرة جديد. لكي يحصل حامل الشحنة المصطدم على طاقة حركية كافية ينبغي تطبيق حقل كهربائي بالشكل الكافي. (ar)
- Bei der Stoßionisation wird ein Atom oder Molekül ionisiert oder in einem Halbleiter ein zusätzliches Ladungsträgerpaar erzeugt. Stoßpartner ist typischerweise ein in einem äußeren elektrischen Feld beschleunigtes Elektron oder Ion. Auch hochenergetische elektromagnetische Strahlung oder bei genügend hoher Temperatur ein Elektron, Ion oder auch neutrales Atom kann infolge seiner ungeordneten Temperaturbewegung zur Stoßionisation führen. In Halbleitern können auch Löcher Stoßionisation bewirken. Durch anschließende Rekombination können Leuchterscheinungen im sichtbaren Bereich auftreten. Durch Stoßionisation kann es zu einer Kettenreaktion kommen, in Halbleitern auch Lawineneffekt genannt, falls die freigesetzten Ladungsträger, bevor sie rekombinieren, im Schnitt mehr als einen weiteren Ionisationsvorgang bewirken. Dieser stromverstärkende Effekt kann erwünscht sein (Zählrohr, Gasentladungslampe) oder unerwünscht (Blitzschlag, NEMP). (de)
- Impact ionization is the process in a material by which one energetic charge carrier can loose energy by the creation of other charge carriers. For example, in semiconductors, an electron (or hole) with enough kinetic energy can knock a bound electron out of its bound state (in the valence band) and promote it to a state in the conduction band, creating an electron-hole pair. For carriers to have sufficient kinetic energy a sufficiently large electric field must be applied, in essence requiring a sufficiently large voltage but not necessarily a large current. If this occurs in a region of high electrical field then it can result in avalanche breakdown. This process is exploited in avalanche diodes, by which a small optical signal is amplified before entering an external electronic circuit. In an avalanche photodiode the original charge carrier is created by the absorption of a photon. The impact ionization process is used in modern cosmic dust detectors like the Galileo Dust Detector and dust analyzers Cassini CDA, Stardust CIDA and the Surface Dust Analyser for the identification of dust impacts and the compositional analysis of cosmic dust particles. In some sense, impact ionization is the reverse process to Auger recombination. Avalanche photodiodes (APD) are used in optical receivers before the signal is given to the receiver circuitry the photon is multiplied with the photocurrent and this increases the sensitivity of the receiver since photocurrent is multiplied before encountering of the thermal noise associated with the receiver circuit. (en)
- 衝突電離（しょうとつでんり、英語: impact ionization）とは、半導体や絶縁体に高電界を印加した場合に、電子やホールのキャリアが材質を構成する原子もしくは分子に衝突しイオン化させると同時に、複数のキャリアを作り出す現象。 衝突電離が生じるには十分な運動エネルギーが必要であるため、高い電界が必要である。 この衝突電離が生じて増加したキャリアが更に衝突電離を引き起こすと、正のフィードバックが働きアヴァランシェ・ブレークダウン (avalanche breakdown) が発生する。高抵抗の材質でこのアヴァランシェ・ブレークダウンが発生し、低抵抗のフィラメント状の領域ができることをと呼ぶ。 (ja)
- Jonizacja zderzeniowa - jonizacja atomu w półprzewodniku przez elektron znajdujący się w paśmie przewodnictwa. Zjawisko to ma miejsce w fotodiodach lawinowych. (pl)
- Уда́рная иониза́ция — физическая модель, описывающая ионизацию атома при «ударе о него» электрона или другой заряженной частицы — например, позитрона, иона или «дырки». Явление наблюдается как в газах, так и в твёрдых телах, например в полупроводниках. В полупроводниках электрон или дырка, обладающие достаточно высокой кинетической энергией (по крайней мере превосходящей ширину запрещённой зоны), могут ионизовать кристалл и создать в нём электронно-дырочную пару. В состояния с высокой энергией носители заряда попадают в сильном электрическом поле, а также при поглощении фотона или при инжекции (через туннельный барьер или гетеропереход с разрывом зон на границе). (ru)
- Уда́рна іоніза́ція — фізичне явище, що полягає в іонізації атома при зіткненні з електроном (або іншою легкою частинкою — наприклад, позитроном або «діркою»). Явище може спостерігатися як у газах, так й у твердих тілах (зокрема, в напівпровідниках). У газах ударна іонізація важлива для підтримання самостійного електричного розряду. У напівпровідниках електрон або «дірка», що набули досить високої кінетичної енергії в сильному електричному полі, можуть іонізувати кристал і створити в ньому . Для іонізації напівпровідника енергія гарячого носія має перевищувати ширину забороненої зони. (uk)
|
| gold:hypernym
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
