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Gallium arsenide phosphide (GaAs1−xPx) is a semiconductor material, an alloy of gallium arsenide and gallium phosphide. It exists in various composition ratios indicated in its formula by the fraction x. Gallium arsenide phosphide is used for manufacturing red, orange and yellow light-emitting diodes. It is often grown on gallium phosphide substrates to form a GaP/GaAsP heterostructure. In order to tune its electronic properties, it may be doped with nitrogen (GaAsP:N).

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  • Galliumarsenidphosphid
  • Phospho-arséniure de gallium
  • Gallium arsenide phosphide
  • Arsenofosforek galu
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  • Le phospho-arséniure de gallium ou arséniure-phosphure de gallium (GaAsP) est un composé chimique d'arsenic, de gallium et de phosphore. C'est un matériau semi-conducteur utilisé en particulier pour réaliser des composants optoélectroniques, des diodes électroluminescentes dans la lumière visible, et des photodétecteurs par exemple.
  • Gallium arsenide phosphide (GaAs1−xPx) is a semiconductor material, an alloy of gallium arsenide and gallium phosphide. It exists in various composition ratios indicated in its formula by the fraction x. Gallium arsenide phosphide is used for manufacturing red, orange and yellow light-emitting diodes. It is often grown on gallium phosphide substrates to form a GaP/GaAsP heterostructure. In order to tune its electronic properties, it may be doped with nitrogen (GaAsP:N).
  • Arsenofosforek galu, fosforoarsenek galu, GaAsP – materiał półprzewodnikowy, stop arsenku galu i fosforku galu. Stosowany jest do produkcji diod elektroluminescencyjnych świecących na żółto, pomarańczowo lub czerwono. Może być domieszkowany azotem (GaAsP:N).
  • Galliumarsenidphosphid (GaAs1−xPx) ist eine Legierung und III-V-Verbindungshalbleiter bestehend aus den beiden Halbleitern Galliumarsenid (GaAs) und Galliumphosphid (GaP). Galliumarsenidphosphid wird als Werkstoff im Bereich der Optoelektronik für die Herstellung von roten, orangen bis gelben Leuchtdioden (LED) verwendet. Die konkrete Farbe wird durch das Mischungsverhältnis der beiden Grundsubstanzen eingestellt, dies wird als x in der Summenformel ausgedrückt. Damit lässt sich der Bandabstand des Halbleitermaterials verändern und damit seine optischen Eigenschaften beeinflussen. Zur qualitativen Verbesserung von Leuchtdioden basierend auf diesem Werkstoff werden Strukturen mit einer Dotierung aus Stickstoff (N) eingesetzt, und der Werkstoff als GaAsP:N bezeichnet.
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  • Le phospho-arséniure de gallium ou arséniure-phosphure de gallium (GaAsP) est un composé chimique d'arsenic, de gallium et de phosphore. C'est un matériau semi-conducteur utilisé en particulier pour réaliser des composants optoélectroniques, des diodes électroluminescentes dans la lumière visible, et des photodétecteurs par exemple.
  • Gallium arsenide phosphide (GaAs1−xPx) is a semiconductor material, an alloy of gallium arsenide and gallium phosphide. It exists in various composition ratios indicated in its formula by the fraction x. Gallium arsenide phosphide is used for manufacturing red, orange and yellow light-emitting diodes. It is often grown on gallium phosphide substrates to form a GaP/GaAsP heterostructure. In order to tune its electronic properties, it may be doped with nitrogen (GaAsP:N).
  • Galliumarsenidphosphid (GaAs1−xPx) ist eine Legierung und III-V-Verbindungshalbleiter bestehend aus den beiden Halbleitern Galliumarsenid (GaAs) und Galliumphosphid (GaP). Galliumarsenidphosphid wird als Werkstoff im Bereich der Optoelektronik für die Herstellung von roten, orangen bis gelben Leuchtdioden (LED) verwendet. Die konkrete Farbe wird durch das Mischungsverhältnis der beiden Grundsubstanzen eingestellt, dies wird als x in der Summenformel ausgedrückt. Damit lässt sich der Bandabstand des Halbleitermaterials verändern und damit seine optischen Eigenschaften beeinflussen. Zur qualitativen Verbesserung von Leuchtdioden basierend auf diesem Werkstoff werden Strukturen mit einer Dotierung aus Stickstoff (N) eingesetzt, und der Werkstoff als GaAsP:N bezeichnet. Bei dem Mischungsverhältnis von x=0,45 weist GaAs55P45 einen Bandabstand 1,98 eV auf und ist unter der CAS-Nummer 210471-34-4 handelsüblich.
  • Arsenofosforek galu, fosforoarsenek galu, GaAsP – materiał półprzewodnikowy, stop arsenku galu i fosforku galu. Stosowany jest do produkcji diod elektroluminescencyjnych świecących na żółto, pomarańczowo lub czerwono. Może być domieszkowany azotem (GaAsP:N).
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