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Gallium antimonide (GaSb) is a semiconducting compound of gallium and antimony of the III-V family. It has a lattice constant of about 0.61 nm. It has a band gap of 0.67 eV.

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  • إثميد الغاليوم
  • Antimonur de gal·li(III)
  • Galliumantimonid
  • Gallium antimonide
  • Antimoniuro de galio
  • Antimoniure de gallium
  • Antimoniuro di gallio
  • アンチモン化ガリウム
  • Antymonek galu
  • Антимонид галлия
  • 銻化鎵
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  • إثميد الغاليوم (أو أنتيمونيد الجاليوم) (GaSb : Gallium antimonide) هو مركب شبه موصل من الجاليوم والأنتيمون ضمن العائلة ثلاثية التكافؤ - خماسية التكافؤ. ثابت الشبكة البلورية له حوالي 0.61 نانومتر .
  • L'antimonur de gal·li(III) és un compost químic d'antimoni i gal·li de fórmula GaSb. És un sòlid de densitat 5,6 g/cm³ a temperatura ambient que fon a 712 oC. La seva estructura cristal·lina és la de la blenda de zinc o esfalerita. Té propietats semiconductores, amb una banda prohibida de 0,726 eV a 300 K, que correspon a l'energia d'un fotó de radiació infraroja de longitud d'ona 6,2 μm.
  • Der Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) ist ein direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,72 eV (300 K). Er besteht aus den Elementen Gallium (Ga) und Antimon (Sb).
  • El antimoniuro de galio (GaSb) es un semiconductor binario de la familia de semiconductores III-V. Se caracteriza por tener una banda prohibida o gap de aproximadamente 0.72 eV a 300 K. Se suele utilizar para fabricar dispositivos optoelectrónicos que trabajen en el rango de longitudes de onda infrarrojas, como detectores o células termofotovoltaicas.
  • L’antimoniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaSb. Il s'agit d'un semiconducteur III-V diamagnétique dont le paramètre de maille vaut 609,593 pm et la largeur de bande interdite environ 0,726 eV, ce qui en fait un matériau privilégié pour la réalisation de photodétecteurs infrarouges, de diodes électroluminescentes infrarouges, voire de cellules thermophotovoltaïques.
  • Gallium antimonide (GaSb) is a semiconducting compound of gallium and antimony of the III-V family. It has a lattice constant of about 0.61 nm. It has a band gap of 0.67 eV.
  • アンチモン化ガリウム(GaSb)とは、ガリウム(Ga)とアンチモン(Sb)から成る組成式がGaSbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。
  • L'antimoniuro di gallio (GaSb) è un semiconduttore composto da gallio e antimonio del gruppo III-V.
  • Antymonek galu (GaSb) – nieorganiczny związek chemiczny z grupy , połączenie galu i antymonu, półprzewodnik. Jego szerokość przerwy zabronionej wynosi 0,726 eV.
  • Антимони́д га́ллия (стибид галлия) — химическое соединение галлия и сурьмы. Химическая формула — GaSb. Представляет собой светло-серые кристаллы с металлическим блеском.
  • 銻化鎵為半導體材料之一,其中分子裡包含了銻和鎵,屬於III-V族,其能隙為 0.726ev,晶格常數是0.61 nm。銻化鎵通常可以用來做、紅外發光二極體、電晶體、雷射二極體等用具。
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