Gallium(II) sulfide, GaS, is a chemical compound of gallium and sulfur. The normal form of gallium(II) sulfide as made from the elements has a hexagonal layer structure containing Ga24+ units which have a Ga-Ga distance of 248pm. This layer structure is similar to GaTe, GaSe and InSe. An unusual metastable form, with a distorted wurtzite structure has been reported as being produced using MOCVD. The metal organic precursors were di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, for example GatBu2(S2CNMe2) and this was deposited onto GaAs. The structure of the GaS produced in this way is presumably Ga2+ S2−.
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| - كبريتيد الغاليوم الثنائي (ar)
- Sulfur de gal·li(II) (ca)
- Gallium(II)-sulfid (de)
- Sulfure de gallium(II) (fr)
- Gallium(II) sulfide (en)
- Сульфид галлия(II) (ru)
- 一硫化镓 (zh)
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| - El sulfur de gal·li(II) és un compost químic de sofre i gal·li amb fórmula GaS. La forma més habitual conté cations tetravalents, Ga₂4+, amb dos àtoms de gal·li enllaçats i separats 248 pm. Aquesta estructura és semblant a la que hom troba en el , el i el .És estable i pot sublimar a 900-950 oC en el buit. (ca)
- كبريتيد غاليوم (بالإنجليزية: Gallium(II) sulfide) مركب كيميائي له الصيغة GaS، ويكون على شكل بلورات صفراء . (ar)
- Gallium(II)-sulfid ist eine anorganische chemische Verbindung des Galliums aus der Gruppe der Sulfide. (de)
- Сульфид галлия(II) — неорганическое соединение, соль металла галлия и сероводородной кислоты с формулой GaS, бесцветные или жёлтые кристаллы, не растворимые в холодной воде, разлагаются в горячей. (ru)
- 一硫化镓是镓的数种硫化物之一，化学式为Ga2S2，或写作GaS。在一硫化镓中，存在Ga24+单元，Ga-Ga键长为248 pm。 (zh)
- Gallium(II) sulfide, GaS, is a chemical compound of gallium and sulfur. The normal form of gallium(II) sulfide as made from the elements has a hexagonal layer structure containing Ga24+ units which have a Ga-Ga distance of 248pm. This layer structure is similar to GaTe, GaSe and InSe. An unusual metastable form, with a distorted wurtzite structure has been reported as being produced using MOCVD. The metal organic precursors were di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, for example GatBu2(S2CNMe2) and this was deposited onto GaAs. The structure of the GaS produced in this way is presumably Ga2+ S2−. (en)
- Le sulfure de gallium(II), GaS, est un composé chimique du gallium et du soufre. La forme normale du sulfure de gallium(II) préparé à partir des éléments simples a une structure en couche hexagonale contenant des unités Ga24+ qui ont une distance Ga-Ga de 248 pm. Cette structure en couche est similaire à celle de , GaSe et . Une forme métastable inhabituelle, avec une structure wurtzite déformée produite par MOCVD a été signalée. Les précurseurs organométalliques étaient les di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, par exemple GatBu2(S2CNMe2), le dépôt étant effectué sur du GaAs. La structure du GaS produit de cette façon est probablement Ga2+ S2−. (fr)
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| - Ball and stick, cell model of gallium sulfide (en)
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| - El sulfur de gal·li(II) és un compost químic de sofre i gal·li amb fórmula GaS. La forma més habitual conté cations tetravalents, Ga₂4+, amb dos àtoms de gal·li enllaçats i separats 248 pm. Aquesta estructura és semblant a la que hom troba en el , el i el .És estable i pot sublimar a 900-950 oC en el buit. (ca)
- كبريتيد غاليوم (بالإنجليزية: Gallium(II) sulfide) مركب كيميائي له الصيغة GaS، ويكون على شكل بلورات صفراء . (ar)
- Gallium(II)-sulfid ist eine anorganische chemische Verbindung des Galliums aus der Gruppe der Sulfide. (de)
- Gallium(II) sulfide, GaS, is a chemical compound of gallium and sulfur. The normal form of gallium(II) sulfide as made from the elements has a hexagonal layer structure containing Ga24+ units which have a Ga-Ga distance of 248pm. This layer structure is similar to GaTe, GaSe and InSe. An unusual metastable form, with a distorted wurtzite structure has been reported as being produced using MOCVD. The metal organic precursors were di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, for example GatBu2(S2CNMe2) and this was deposited onto GaAs. The structure of the GaS produced in this way is presumably Ga2+ S2−. Single layers of gallium sulfide are dynamically stable two-dimensional semiconductors, in which the valence band has an inverted Mexican-hat shape, leading to a Lifshitz transition as the hole-doping is increased. (en)
- Le sulfure de gallium(II), GaS, est un composé chimique du gallium et du soufre. La forme normale du sulfure de gallium(II) préparé à partir des éléments simples a une structure en couche hexagonale contenant des unités Ga24+ qui ont une distance Ga-Ga de 248 pm. Cette structure en couche est similaire à celle de , GaSe et . Une forme métastable inhabituelle, avec une structure wurtzite déformée produite par MOCVD a été signalée. Les précurseurs organométalliques étaient les di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, par exemple GatBu2(S2CNMe2), le dépôt étant effectué sur du GaAs. La structure du GaS produit de cette façon est probablement Ga2+ S2−. Les mono-couches de sulfure de gallium sont des semi-conducteurs bidimensionnels dynamiquement stables, dans lesquels la bande de valence a une forme de chapeau mexicain inversé, conduisant à une transition de Lifshitz lorsque le dopage en trous est accru. (fr)
- Сульфид галлия(II) — неорганическое соединение, соль металла галлия и сероводородной кислоты с формулой GaS, бесцветные или жёлтые кристаллы, не растворимые в холодной воде, разлагаются в горячей. (ru)
- 一硫化镓是镓的数种硫化物之一，化学式为Ga2S2，或写作GaS。在一硫化镓中，存在Ga24+单元，Ga-Ga键长为248 pm。 (zh)
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