In semiconductor physics, the flat band potential of a semiconductor defines the potential at which there is no depletion layer at the junction between a semiconductor and an electrolyte or p-n-junction. This is a consequence of the condition that the redox Fermi level of the electrolyte must be equal to the Fermi level of the semiconductor and therefore preventing any band bending of the conduction and valence band. An application of the flat band potential can be found in the determining the width of the space charge region in a semiconductor-electrolyte junction. Furthermore, it is used in the Mott-Schottky equation to determine the capacitance of the semiconductor-electrolyte junction and plays a role in the photocurrent of a photoelectrochemical cell. The value of the flat band pote
| Attributes | Values |
|---|
| rdfs:label
| - Flachbandspannung (de)
- Flat band potential (en)
|
| rdfs:comment
| - Die Flachbandspannung (auch Flachbandpotential, VFB, im deutschen meist UFB) bezeichnet in der Halbleiterphysik das Potenzial in einer Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, bei dem es keine Verarmungsschicht an der Grenzfläche zwischen einem Halbleiter und dem Nichtleiter gibt. Bei diesem sogenannten Flachbandfall kompensiert die von außen angelegte Spannung (VG) die natürliche Verbiegung der Bänder aufgrund von unterschiedlichen Fermi-Niveaus des Halbleiters (EF(p-type)) und Leiters (EF(metal))auf der anderen Seite des Nichtleiters. Der Leiter kann hierbei ein Metall, ein anders dotierter Halbleiter oder ein Elektrolyt sein, vgl. ionensensitiver Feldeffekttransistor.Ähnliche Verhältnisse treten auch in einem p-n-Übergang oder bei direkten Kontakt eines Halbleiters mit einem Elektrolyten au (de)
- In semiconductor physics, the flat band potential of a semiconductor defines the potential at which there is no depletion layer at the junction between a semiconductor and an electrolyte or p-n-junction. This is a consequence of the condition that the redox Fermi level of the electrolyte must be equal to the Fermi level of the semiconductor and therefore preventing any band bending of the conduction and valence band. An application of the flat band potential can be found in the determining the width of the space charge region in a semiconductor-electrolyte junction. Furthermore, it is used in the Mott-Schottky equation to determine the capacitance of the semiconductor-electrolyte junction and plays a role in the photocurrent of a photoelectrochemical cell. The value of the flat band pote (en)
|
| dcterms:subject
| |
| Wikipage page ID
| |
| Wikipage revision ID
| |
| Link from a Wikipage to another Wikipage
| |
| sameAs
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| has abstract
| - Die Flachbandspannung (auch Flachbandpotential, VFB, im deutschen meist UFB) bezeichnet in der Halbleiterphysik das Potenzial in einer Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, bei dem es keine Verarmungsschicht an der Grenzfläche zwischen einem Halbleiter und dem Nichtleiter gibt. Bei diesem sogenannten Flachbandfall kompensiert die von außen angelegte Spannung (VG) die natürliche Verbiegung der Bänder aufgrund von unterschiedlichen Fermi-Niveaus des Halbleiters (EF(p-type)) und Leiters (EF(metal))auf der anderen Seite des Nichtleiters. Der Leiter kann hierbei ein Metall, ein anders dotierter Halbleiter oder ein Elektrolyt sein, vgl. ionensensitiver Feldeffekttransistor.Ähnliche Verhältnisse treten auch in einem p-n-Übergang oder bei direkten Kontakt eines Halbleiters mit einem Elektrolyten auf. Im letzteren Fall ergibt sich dies aus der Bedingung, dass das Redox-Fermi-Niveau des Elektrolyten gleich dem Fermi-Niveau des Halbleiters sein muss und somit jede Bandverbiegung des Leitungs- und Valenzbandes verhindert. (de)
- In semiconductor physics, the flat band potential of a semiconductor defines the potential at which there is no depletion layer at the junction between a semiconductor and an electrolyte or p-n-junction. This is a consequence of the condition that the redox Fermi level of the electrolyte must be equal to the Fermi level of the semiconductor and therefore preventing any band bending of the conduction and valence band. An application of the flat band potential can be found in the determining the width of the space charge region in a semiconductor-electrolyte junction. Furthermore, it is used in the Mott-Schottky equation to determine the capacitance of the semiconductor-electrolyte junction and plays a role in the photocurrent of a photoelectrochemical cell. The value of the flat band potential depends on many factors, such as the material, pH and crystal structure of the material (en)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| page length (characters) of wiki page
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is Link from a Wikipage to another Wikipage
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)