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| - La Memòria FeRAM (FRAM o RAM ferro-elèctrica) és una memòria RAM similar en construcció a la memòria DRAM però utilitza una capa de material ferro-elèctric en comptes d'una capa de material dielèctric per aconseguir ser no volàtil (mantenir l'estat sense alimentació). La FeRAM és una de les opcions a memòria RAM no volàtil a l'hora de substituir la memòria flaix. (ca)
- FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) je nevolatilní paměť s přímým přístupem, která dokáže uchovat data i po vypnutí napájení. Jejím základem jsou feroelektrické krystaly. Tato paměť principielně funguje stejně jako RAM. Buňky paměti FRAM ale využívají zbytkové polarizace feroelektrického materiálu. Její princip fungování je založen na vystavení elektrického krystalu elektrickému poli. Díky tomu se centrální atom pohne ve směru elektrického pole a zapříčiní proudový náraz. Ten je zaznamenán vnitřními obvody a paměť je následně zapnuta. Díky tomu, že centrální atom v této pozici zůstane i po odstranění pole, je paměťový stav uchován. (cs)
- La RAM ferroeléctrica (FeRAM, F-RAM o FRAM) es una memoria de estado sólido, similar a la memoria RAM, pero que tiene un funcionamiento más parecido a las antiguas memorias de ferrita. Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un microscópico condensador, contiene dentro moléculas que preservan la información por medio de un efecto ferroeléctrico. (es)
- La FeRAM o Ferroelectric RAM (o FRAM oppure F-RAM) è un tipo di memoria non volatile. Essa è simile nel processo costruttivo alla memoria DRAM, usata quale memoria principale nella maggior parte dei computer odierni, ma usa uno strato di materiale ferroelettrico per ottenere la proprietà di non-volatilità. Malgrado il mercato delle memorie non volatili sia dominato dalla tecnologia Flash, la FeRAM offre numerosi vantaggi rispetto alla Flash: minor consumo, velocità di scrittura più elevata e un numero di cicli di scrittura/cancellazione maggiore (oltre i 1016 per i dispositivi da 3,3 V). (it)
- 強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMの（現・サイプレス・セミコンダクター）による商標で、日本では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用している。 強誘電体膜の分極反転時間は1ns以下であり、FeRAMはDRAM並みの高速動作が期待される。 (ja)
- FeRAM (ferroelectric random access memory) är en typ av RAM-minne som behåller innehållet även då strömmen slagits av. FeRAM är snabbare och kan skrivas till betydligt flera gånger än till exempel flashminnen därmed blir det möjligt att konstruera hemelektronik som är mindre beroende av att stå i stand by-läge. Minneskretsen har nyligen (före 2009) framtagits av företaget Rohm, ett japanskt företag som tillverkar LSI-kretsar. (sv)
- Ferroelectric RAM (FeRAM or FRAM), Ferroelectric Random-Access Memory, é um tipo de memória de computador não volátil. É uma forma de tecnologia de armazenamento de dados na qual os dados são gravados de modo semipermanente em pequenos cartões ou faixas de material revestido com filme magnético de óxido de ferro. A exemplo do que acontece com fitas e discos, os dados persistem sem energia; com a RAM de semicondutor, um computador pode acessar os dados em qualquer ordem. (pt)
- Сегнетоелектри́чна операти́вна па́м'ять (англ. Ferroelectric RAM, FeRAM або FRAM) – оперативна пам'ять, за своїм устроєм схожа з DRAM, але використовує шар сегнетоелектрика замість діелектричного шару для забезпечення енергонезалежності. FeRAM – одна з зростаючого числа альтернативних технологій незалежної пам'яті, що пропонує ту ж саму функціональність, що і флешпам'ять. (uk)
- 鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM，縮寫為FeRAM或FRAM），類似於SDRAM，是一種随机存取存储器技術。但因為它使用了一層有铁电性的材料，取代原有的介電質，使得它也擁有非揮發性記憶體的功能。麻省理工大學（Dudley Allen Buck）在1952年提出的碩士論文中，首次提出了這個概念。它有比闪存更低的耗电量，还有更高的写入速度，还有更长的读写寿命(大约10¹⁰到10¹⁵次循环)。它在+85℃时可以保存数据十年以上。但是它的缺点是比闪存存储密度低，存储容量限制，和更高的价格。与DRAM相比，铁电随机存取器的读操作是破坏性的，因为它需要遵循先写后读架构；若比較舊製程的產品，其密度及速度與相同製程的DRAM接近，但不知道是否能使用與DRAM一樣先進的製程製造。相較於MRAM，鐵電隨機存取記憶體可以在強大許多的磁場下正常使用。 (zh)
- Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) — оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. FeRAM — одна из растущего числа альтернативных технологий энергонезависимой памяти, предлагающая ту же самую функциональность, что и флэш-память. (ru)
- Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. FeRAM is one of a growing number of alternative non-volatile random-access memory technologies that offer the same functionality as flash memory. An FeRAM chip contains a thin film of ferroelectric material, often lead zirconate titanate, commonly referred to as PZT. The atoms in the PZT layer change polarity in an electric field, thereby producing a power-efficient binary switch. However, the most important aspect of the PZT is that it is not affected by power disruption or magnetic interference, making FeRAM a reliable nonvolatile memory. (en)
- Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften. (de)
- La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie. Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants : Les inconvénients sont par contre : (fr)
- 에프램 또는 강유전체 램(Ferroelectric Random Access Memory:FRAM ,F-RAM, 또는 FeRAM)은 비휘발성 컴퓨터 메모리의 한 종류이다. 컴퓨터의 주기억장치로 많이 쓰이는 디램(DRAM)과 비슷한 구조를 갖고 있으나 강유전체를 이용하여 비휘발성을 가진 점이 다르다. FeRAM은 현재 비휘발성 메모리 시장의 대부분을 차지하고 있는 플래시 메모리에 비해 낮은 전력 소모, 빠른 속도, 높은 쓰기/지우기 횟수 등의 여러 가지 장점을 갖고 있다. (ko)
- Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym, FRAM, FeRAM, F-RAM (od ang. ferroelectric random-access memory) – pamięć nieulotna oparta na nośniku krystalicznym: kryształach roztworu stałego cyrkonianu i tytanianu ołowiu (materiały typu perowskitu). Kryształy te zawierają wewnątrz siatki atomy o dwóch stabilnych pozycjach. Przyłożenie napięcia o odpowiedniej polaryzacji wymusza zmianę pozycji atomu. Odczyt polega na pomiarze pochłanianej energii po kolejnym przyłożeniu napięcia; wiąże się to z koniecznością regeneracji zapisu w komórce. Zalety: Wady: (pl)
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