| rdfs:comment
| - Elektronenrückstreubeugung (EBSD) (nach engl.: Electron backscatter diffraction) ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. (de)
- En microscopía electrónica de barrido la difracción de electrones por retrodispersión (EBSD:Electron backscatter diffraction), es una técnica de caracterización cristalográfica y microestructural. En ella, se mide directamente la de un grano mediante indexación automática de su diagrama de difracción, compuesto por varias . (es)
- 電子線後方散乱回折法（でんしせんこうほうさんらんかいせきほう、Electron backscatter diffraction、略称：EBSD）とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法。EBSP： Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれる。 (ja)
- 背向散射電子繞射技術 （Electron Back Scatter Diffraction, EBSD）是一種利用繞射電子束來鑑別樣品結晶學方位的技術。掛載在掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy, SEM）中，傾斜角度約70度，加速後的電子束射入樣品中，產生反彈的背向散射電子，經過表面晶體結構繞射，攜帶著樣品表面的晶粒方位的資訊，進入探測器中，藉此判斷其每一顆晶粒的方向性。在知道每一顆晶粒的方位後，因此可用在判斷晶界（Grain boundary）、相鑑別（Phase identification）、晶粒方向（Orientation）、織構（Texture）及應變（Strain）的分析方法。 (zh)
- Electron backscatter diffraction (EBSD) is a scanning electron microscope–based microstructural-crystallographic characterization technique commonly used in the study of crystalline or polycrystalline materials. The technique can provide information about the structure, crystal orientation, phase, or strain in the material. (en)
- La diffraction d'électrons rétrodiffusés (en anglais electron backscatter diffraction ou EBSD, ou encore backscatter Kikuchi diffraction ou BKD) est une technique cristallographique microstructurale permettant de mesurer l'orientation cristallographique de nombreux matériaux, qui peut être utilisée pour déterminer la texture ou l'orientation préférentielle de n'importe quel matériau monocristallin ou polycristallin. L'EBSD peut être utilisée pour indexer et identifier les sept systèmes cristallins, et est appliquée à la cartographie d'orientation cristalline, l'étude des défauts, l'identification des phases, l'étude des joints de grains et de la morphologie, l'examen des hétérogénéités locales, l'identification des matériaux, la cartographie des déformations, et à l'aide de techniques comp (fr)
- La diffrazione da retrodiffusione elettronica (EBSD: electron backscattered diffraction) è una tecnica cristallografica-microstrutturale usata per esaminare l'orientamento cristallografico di parecchi materiali, che può essere usata per delucidare la struttura o orientamento privilegiato di qualsiasi materiale cristallino o policristallino. La tecnica EBSD si può usare per indicizzare e identificare i sette sistemi cristallini, e in quanto tale si applica alla mappatura dell'orientamento dei cristalli, studio di difetti, identificazione delle fasi, studi di interfaccia tra grani e morfologici, investigazioni eterogeneitiche regionali, discernimento del materiale, mappatura di microdeformazioni, e utilizzando tecniche complementari, identificazioni fisico-chimiche. Tradizionalmente questi t (it)
- Дифракция отражённых электронов (ДОЭ) — микроструктурная кристаллографическая методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций моно- или поликристаллического материала. ДОЭ может использоваться для индексирования и определения семи кристаллических систем, также применяется для картирования кристаллических ориентаций, исследования дефектов, определения и разделения фаз, изучение межзёренных границ и морфологии, картирования микродеформаций и т. д. Традиционно такой тип исследований проводился с помощью рентгеноструктурного анализа,нейтронной дифракции и дифракции электронов в ПЭМ. (ru)
|
| has abstract
| - Elektronenrückstreubeugung (EBSD) (nach engl.: Electron backscatter diffraction) ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. (de)
- Electron backscatter diffraction (EBSD) is a scanning electron microscope–based microstructural-crystallographic characterization technique commonly used in the study of crystalline or polycrystalline materials. The technique can provide information about the structure, crystal orientation, phase, or strain in the material. These types of studies have been carried out using X-ray diffraction (XRD), neutron diffraction and/or electron diffraction in a Transmission electron microscope and spatially resolved acoustic spectroscopy (SRAS) which analyses elastic waves instead of analysing a diffraction event. The choice of which technique is adopted depends upon various factors, including spatial resolution, area/volume analysed, and whether the measurements are static or dynamical. (en)
- En microscopía electrónica de barrido la difracción de electrones por retrodispersión (EBSD:Electron backscatter diffraction), es una técnica de caracterización cristalográfica y microestructural. En ella, se mide directamente la de un grano mediante indexación automática de su diagrama de difracción, compuesto por varias . (es)
- La diffraction d'électrons rétrodiffusés (en anglais electron backscatter diffraction ou EBSD, ou encore backscatter Kikuchi diffraction ou BKD) est une technique cristallographique microstructurale permettant de mesurer l'orientation cristallographique de nombreux matériaux, qui peut être utilisée pour déterminer la texture ou l'orientation préférentielle de n'importe quel matériau monocristallin ou polycristallin. L'EBSD peut être utilisée pour indexer et identifier les sept systèmes cristallins, et est appliquée à la cartographie d'orientation cristalline, l'étude des défauts, l'identification des phases, l'étude des joints de grains et de la morphologie, l'examen des hétérogénéités locales, l'identification des matériaux, la cartographie des déformations, et à l'aide de techniques complémentaires, l'identification physico-chimique. Traditionnellement, ces études sont souvent réalisées par diffraction des rayons X (XRD), diffraction de neutrons et/ou diffraction des électrons dans un microscope électronique en transmission (MET). Expérimentalement, l'EBSD est réalisée avec un microscope électronique à balayage (MEB) équipé d'un détecteur EBSD comportant au moins un écran phosphorescent, un objectif compact et une caméra CCD à faible lumière. Les systèmes EBSD du commerce sont livrés typiquement avec une ou deux caméras CCD différentes : pour des mesures rapides, la puce CCD a une résolution standard de 640×480 pixels ; pour des mesures plus lentes mais plus précises, la résolution de la puce CCD peut atteindre 1600×1200 pixels. Cependant, avec des résolutions plus élevées, la vitesse de sortie de données est plus lente. Le plus gros avantage des détecteurs à haute résolution est leur sensibilité plus élevée. Pour les mesures de texture et d'orientation, les images sont "binned" de façon à réduire leur taille et les temps de calcul. Par conséquent, le transfert et l'analyse de presque 1000 images/s est possible si le signal de diffraction est suffisamment fort. Pour effectuer une mesure EBSD, un échantillon polycristallin plat et poli est placé dans la chambre du MEB, avec un angle fortement incliné (~70° par rapport à l'horizontale) vers la caméra de diffraction, pour augmenter le contraste du cliché d'électrons rétrodiffusés. L'écran phosphorent est situé à l'intérieur de la chambre d'examen du MEB à un angle d'environ 90° de l'axe du faisceau et est couplé à un objectif compact qui focalise l'image produite sur l'écran phosphorescent vers la caméra CCD. Dans cette configuration, certains des électrons qui atteignent l'échantillon rétrodiffusent et peuvent s'échapper. Lorsque ces électrons quittent l'échantillon, ils peuvent le faire selon la condition de Bragg reliée à l'espacement des plans périodiques du réseau atomique de la structure cristalline et diffractent. Ces électrons diffractés peuvent s'échapper du matériau et certains d'entre eux percuteront et exciteront l'écran phosphorescent, provoquant sa fluorescence. Un diagramme de diffraction d'électrons rétrodiffusés (en anglais : electron backscatter diffraction pattern, EBSP) se forme lorsque plusieurs plans différents diffractent les électrons pour former les (ou bandes de Kikuchi) qui correspondent à chacun des plans de diffraction du réseau. Si la géométrie du système est bien décrite, il est possible de relier les bandes présentes dans le diagramme EBSP à la phase et à l'orientation cristalline du matériau situé à l'intérieur du volume d'interaction électronique. Chaque bande peut être indexée individuellement par les indices de Miller des plans de diffraction qui l'ont formée. Pour la plupart des matériaux, trois bandes/plans qui se croisent suffisent pour obtenir une unique solution d'orientation cristalline (basée sur leurs angles interplans) et la plupart des systèmes commerciaux utilisent des tables de correspondance issues de bases de données cristallines internationales pour réaliser l'indexation. Bien que cette description 'géométrique' reliée à la solution cinématique (utilisant la condition de Bragg) soit très puissante et utile pour définir l'orientation et l'analyse de la texture, elle décrit seulement la géométrie du réseau cristallin et ignore les phénomènes physiques présents dans le matériau diffractant. Pour décrire correctement les caractéristiques fines du diagramme EBSP, on doit utiliser un modèle dynamique multi-faisceaux (par exemple, la variation de l'intensité des bandes dans le diagramme expérimental ne correspond pas à la solution cinématique reliée au ). (fr)
- La diffrazione da retrodiffusione elettronica (EBSD: electron backscattered diffraction) è una tecnica cristallografica-microstrutturale usata per esaminare l'orientamento cristallografico di parecchi materiali, che può essere usata per delucidare la struttura o orientamento privilegiato di qualsiasi materiale cristallino o policristallino. La tecnica EBSD si può usare per indicizzare e identificare i sette sistemi cristallini, e in quanto tale si applica alla mappatura dell'orientamento dei cristalli, studio di difetti, identificazione delle fasi, studi di interfaccia tra grani e morfologici, investigazioni eterogeneitiche regionali, discernimento del materiale, mappatura di microdeformazioni, e utilizzando tecniche complementari, identificazioni fisico-chimiche. Tradizionalmente questi tipi di studi sono stati eseguiti usando la diffrazione a raggi X (X-ray diffraction, XRD), la diffrazione neutronica e/o la in un microscopio elettronico a trasmissione. In modo sperimentale l'EBSD è eseguito con l'impiego di un microscopio a scansione elettronico (scanning electron microscope, SEM), equipaggiato con una macchina per la ripresa della diffrazione per retrodiffusione. La macchina da presa fotografica per la retrodiffusione consta di uno schermo al fosforo, introdotto nella camera del saggio del SEM ad un angolo maggiore o uguale a 90° rispetto alle espansioni polari, e di una macchina fotografica CCD (acronimo di Charge Coupled Device, dispositivo a carica accoppiata) sulla fine di una guida luminosa per registrare l'immagine sullo schermo fosforescente. Un saggio cristallino liscio e pulito è collocato in posizione normale nella camera dei saggi, ma fortemente inclinato (circa 70° dalla posizione orizzontale) verso la camera. Quando gli elettroni colpiscono il saggio interagiscono con i piani del della struttura cristallina, molte di queste interazioni soddisfano le condizioni della Legge di Bragg e subiscono la diffrazione per retrodiffusione. A causa dell'angolo del saggio questi elettroni diffratti evadono dal materiale e sono orientati verso lo schermo della camera di diffrazione ove vi impattano facendola emettere luce per fluorescenza, questa luce poi viene rivelata da un dispositivo CCD a bassa luminosità. Gli elettroni diffratti producono una figura di diffrazione, talvolta chiamata figura di elettroni retrodiffusi (electron backscatter pattern, EBP), che sovente mostrano , a condizione che il materiale superficiale (parte superiore da 20 a 100 nm) sia adeguatamente cristallino. Le figure di diffrazione elettronica da retrodiffusione contengono bande di Kikuchi, che corrispondono a ciascuno dei piani del reticollo diffrangente e che possono venire indicizzate con gli indici di Miller del piano diffrangente che le generano. Queste bande generate possono pure essere analizzate per evidenziare deformazioni presenti all'interno del materiale: una figura che si offusca fornisce una indicazione di una deformazione permanente (poiché dislocazioni presenti nel volume interagente deformano il cristallo ed alterano le condizioni di diffrazione) all'interno del cristallo e piccole rotazioni della figura (rispetto a quella di un cristallo perfetto in un dato orientamento) indicano una rotazione del reticolo e una deformazione elastica. (it)
- 電子線後方散乱回折法（でんしせんこうほうさんらんかいせきほう、Electron backscatter diffraction、略称：EBSD）とは、測定対象の物質に電子線を照射して試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子から生じた後方散乱回折を解析して結晶性材料の構造などを調べる手法。EBSP： Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれる。 (ja)
- Дифракция отражённых электронов (ДОЭ) — микроструктурная кристаллографическая методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций моно- или поликристаллического материала. ДОЭ может использоваться для индексирования и определения семи кристаллических систем, также применяется для картирования кристаллических ориентаций, исследования дефектов, определения и разделения фаз, изучение межзёренных границ и морфологии, картирования микродеформаций и т. д. Традиционно такой тип исследований проводился с помощью рентгеноструктурного анализа,нейтронной дифракции и дифракции электронов в ПЭМ. Основана на дифракции Брэгга отражённых электронов. Проводится в растровом электронном микроскопе с ДОЭ-приставкой. Последняя состоит из люминесцентного экрана, вводящегося в камеру с образцом РЭМ, CCD-камеры… Вертикальный пучок электронов падает на наклонённый образец (70° — оптимальный угол наклона к горизонтали ). Уменьшение угла наклона понижает интенсивность получаемой дифракционной картины. В мире ДОЭ распространена уже более 15 лет. Является устоявшейся востребованной методикой. (ru)
- 背向散射電子繞射技術 （Electron Back Scatter Diffraction, EBSD）是一種利用繞射電子束來鑑別樣品結晶學方位的技術。掛載在掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy, SEM）中，傾斜角度約70度，加速後的電子束射入樣品中，產生反彈的背向散射電子，經過表面晶體結構繞射，攜帶著樣品表面的晶粒方位的資訊，進入探測器中，藉此判斷其每一顆晶粒的方向性。在知道每一顆晶粒的方位後，因此可用在判斷晶界（Grain boundary）、相鑑別（Phase identification）、晶粒方向（Orientation）、織構（Texture）及應變（Strain）的分析方法。 (zh)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)
