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Lanthanum gallium silicate (referred to as LGS in this article), also known as langasite, has a chemical formula of the form A3BC3D2O14, where A, B, C and D indicate particular cation sites. A is a decahedral (Thomson cube) site coordinated by 8 oxygen atoms. B is octahedral site coordinated by 6 oxygen atoms, and C and D are tetrahedral sites coordinated by 4 oxygen atoms. In this material, lanthanum occupied the A-sites, gallium the B, C and half of D-sites, and, silicon the other half of D-sites.

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  • Silicate de gallium et de lanthane (fr)
  • Lanthanum gallium silicate (en)
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  • Lanthanum gallium silicate (referred to as LGS in this article), also known as langasite, has a chemical formula of the form A3BC3D2O14, where A, B, C and D indicate particular cation sites. A is a decahedral (Thomson cube) site coordinated by 8 oxygen atoms. B is octahedral site coordinated by 6 oxygen atoms, and C and D are tetrahedral sites coordinated by 4 oxygen atoms. In this material, lanthanum occupied the A-sites, gallium the B, C and half of D-sites, and, silicon the other half of D-sites. (en)
  • Le silicate de gallium et de lanthane, ou LGS, est un composé chimique de formule La3Ga5SiO14. Il s'agit d'une céramique piézoélectrique de la famille des langasites. Il ne présente pas de transition de phase jusqu'à son point de fusion de 1 470 °C. On peut en faire croître des monocristaux par le procédé de Czochralski généralement sous atmosphère d'argon ou d'azote avec jusqu'à 5 % volumique d'oxygène. Ce dernier permet de réduire les pertes en gallium mais doit demeurer à un taux suffisamment bas pour éviter de favoriser la dissolution du platine ou de l'iridium constituant le creuset dans le mélange de constituants liquides. Les cristaux obtenus sont de qualité d'autant meilleure que leur taux de croissance est faible. (fr)
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  • LGS or langasite (en)
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  • Lanthanum gallium silicate (referred to as LGS in this article), also known as langasite, has a chemical formula of the form A3BC3D2O14, where A, B, C and D indicate particular cation sites. A is a decahedral (Thomson cube) site coordinated by 8 oxygen atoms. B is octahedral site coordinated by 6 oxygen atoms, and C and D are tetrahedral sites coordinated by 4 oxygen atoms. In this material, lanthanum occupied the A-sites, gallium the B, C and half of D-sites, and, silicon the other half of D-sites. LGS is a piezoelectric material, with no phase transitions up to its melting point of 1470 °C. Single crystal LGS can be grown via the Czochralski method, in which crystallization is initiated on a rotating seed crystal lowered into the melt followed by pulling from the melt. The growth atmosphere is usually argon or nitrogen with up to 5% of oxygen. The use of oxygen in the growth environment is reported to suppress gallium loss from the melt; however, too high an oxygen level can lead to platinum (crucible material used for the melt) dissolution in the melt. The growth of LGS is primarily along the z direction. Currently the 3-inch (76 mm) langasite boules produced commercially have growth rates of 1.5 to 5 mm/h. The quality of the crystals tends to improve as the growth rate is reduced. (en)
  • Le silicate de gallium et de lanthane, ou LGS, est un composé chimique de formule La3Ga5SiO14. Il s'agit d'une céramique piézoélectrique de la famille des langasites. Il ne présente pas de transition de phase jusqu'à son point de fusion de 1 470 °C. On peut en faire croître des monocristaux par le procédé de Czochralski généralement sous atmosphère d'argon ou d'azote avec jusqu'à 5 % volumique d'oxygène. Ce dernier permet de réduire les pertes en gallium mais doit demeurer à un taux suffisamment bas pour éviter de favoriser la dissolution du platine ou de l'iridium constituant le creuset dans le mélange de constituants liquides. Les cristaux obtenus sont de qualité d'autant meilleure que leur taux de croissance est faible. Quelques grandeurs physiques du silicate de gallium et de lanthane mesurées à température ambiante sont les suivantes : * permittivité ε11 = 18,0 ; * coefficient piézoélectrique d11 = 6,20 pC/N ; * coefficient de couplage électromécanique k12 = 0,16. Les langasites forment une famille de matériaux de formule générique A3BC3D2O14 où A indique un site décaédrique, B indique un site octaédrique, et C et D indiquent des sites tétraédriques. Dans le La3Ga5SiO14, les atomes de lanthane occupent les sites A, les atomes de gallium occupent les sites B et C ainsi que la moitié des sites D, et les atomes de silicium occupent les sites D restants. On trouve dans cette famille des composés nommés LTG (La3Ta0,5Ga5,5O14), LNG (La3Nb0,5Ga5,5O14), LTGA (La3Ta0,5Ga5,3Al0,2O14), LNGA (La3Nb0,5Ga5,3Al0,2O14), SNGS (Sr3NbGa3Si2O14), STGS (Sr3TaGa3Si2O14), CNGS (Ca3NbGa3Si2O14), CTGS (Ca3TaGa3Si2O14), CTAS (Ca3TaAl3Si2O14), etc. (fr)
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  • LGS or langasite (en)
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