. . . . . . . "Die Oberfl\u00E4chenphotospannung (englisch surface photovoltage, SPV) ist eine Messgr\u00F6\u00DFe zur Bestimmung der Diffusionsl\u00E4nge von Minorit\u00E4tsladungstr\u00E4gern in Halbleitern. Da der Transport von Minorit\u00E4tsladungstr\u00E4gern das Verhalten der p-n-\u00DCberg\u00E4nge bestimmt, die in Halbleiterbauelementen vielfach vorkommen, wird die Oberfl\u00E4chenphotospannung verwendet, um deren Leistung zu analysieren. Als kontaktlose Methode ist die Oberfl\u00E4chenphotospannung eine beliebte Technik zur Charakterisierung von Verbindungshalbleitern, bei denen die Herstellung von ohmschen Kontakten oder speziellen Bauteilstrukturen schwierig sein kann."@de . . . . . "7800566"^^ . . . . . . "Surface photovoltage (SPV) measurements are a widely used method to determine the minority carrier of semiconductors. Since the transport of minority carriers determines the behavior of the p-n junctions that are ubiquitous in semiconductor devices, surface photovoltage data can be very helpful in understanding their performance. As a contactless method, SPV is a popular technique for characterizing poorly understood compound semiconductors where the fabrication of ohmic contacts or special device structures may be difficult."@en . . "Oberfl\u00E4chenphotospannung"@de . . . . . . . . . . . . . "7518"^^ . . . "Surface photovoltage"@en . . . . . "Surface photovoltage (SPV) measurements are a widely used method to determine the minority carrier of semiconductors. Since the transport of minority carriers determines the behavior of the p-n junctions that are ubiquitous in semiconductor devices, surface photovoltage data can be very helpful in understanding their performance. As a contactless method, SPV is a popular technique for characterizing poorly understood compound semiconductors where the fabrication of ohmic contacts or special device structures may be difficult."@en . . . . . . . "994492699"^^ . . . . . . "Die Oberfl\u00E4chenphotospannung (englisch surface photovoltage, SPV) ist eine Messgr\u00F6\u00DFe zur Bestimmung der Diffusionsl\u00E4nge von Minorit\u00E4tsladungstr\u00E4gern in Halbleitern. Da der Transport von Minorit\u00E4tsladungstr\u00E4gern das Verhalten der p-n-\u00DCberg\u00E4nge bestimmt, die in Halbleiterbauelementen vielfach vorkommen, wird die Oberfl\u00E4chenphotospannung verwendet, um deren Leistung zu analysieren. Als kontaktlose Methode ist die Oberfl\u00E4chenphotospannung eine beliebte Technik zur Charakterisierung von Verbindungshalbleitern, bei denen die Herstellung von ohmschen Kontakten oder speziellen Bauteilstrukturen schwierig sein kann."@de . . . . . . . . . .