HTML Microdata document

This HTML5 document contains 162 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dbpedia-de	http://de.dbpedia.org/resource/
dct	http://purl.org/dc/terms/
yago-res	http://yago-knowledge.org/resource/
dbo	http://dbpedia.org/ontology/
n14	http://dbpedia.org/resource/File:
foaf	http://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-ca	http://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-es	http://es.dbpedia.org/resource/
n15	https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-tr	http://tr.dbpedia.org/resource/
yago	http://dbpedia.org/class/yago/
dbt	http://dbpedia.org/resource/Template:
rdfs	http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n29	http://www.wylie.org.uk/technology/semics/
n27	https://www.pbs.org/transistor/science/events/
freebase	http://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-pl	http://pl.dbpedia.org/resource/
n16	http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fa	http://fa.dbpedia.org/resource/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-ar	http://ar.dbpedia.org/resource/
owl	http://www.w3.org/2002/07/owl#
wikipedia-en	http://en.wikipedia.org/wiki/
dbc	http://dbpedia.org/resource/Category:
dbp	http://dbpedia.org/property/
prov	http://www.w3.org/ns/prov#
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
gold	http://purl.org/linguistics/gold/
wikidata	http://www.wikidata.org/entity/
dbr	http://dbpedia.org/resource/
dbpedia-ro	http://ro.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ja	http://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item: dbr:Amplifier
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Power_electronics
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Electric_power_industry
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Electronics
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Electronics_industry
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Bell_Labs
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:History_of_computing_hardware
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:John_N._Shive
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:University_of_Minnesota
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:December_16
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Information_Age
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:JFET
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Jan_Tauc
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:List_of_multiple_discoveries
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Spacistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Pentode_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Surface-barrier_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Timeline_of_historic_inventions
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Timeline_of_the_telephone
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Computer
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Consumer_electronics
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Semiconductor_package
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Timeline_of_materials_technology
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Electrical_engineering
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Electricity
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:MythBusters_(2003_season)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Crystal_detector
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Manchester_computers
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Computer_program
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Computing
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:William_Gardner_Pfann
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Walter_Houser_Brattain
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:William_Shockley
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor
dbo:knownFor: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Nine-volt_battery
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Digital_Revolution
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Digital_electronics
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:History_of_computing
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:History_of_electrical_engineering
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:History_of_electronic_engineering
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:History_of_the_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Harwell_CADET
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:John_Bardeen
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor
dbo:knownFor: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Bipolar_junction_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Tetrode_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Transistor_computer
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Philippe_Nozières
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Grown-junction_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:IBM_7030_Stretch
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Schottky_barrier
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Semiconductor_device
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Silicon
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Point-contact_transistor
rdf:type: yago:ElectronicDevice103277771 yago:Diode103202940 yago:Instrumentality103575240 yago:Conductor103088707 yago:Object100002684 yago:Artifact100021939 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Tube104494204 yago:WikicatTransistors yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Device103183080 yago:Transistor104471632 yago:Whole100003553 yago:WikicatDiodes
rdfs:label: Transistor de contacte Tranzystor ostrzowy Point-contact transistor 点接触型トランジスタ ترانزستور التلامس النقطي Transistor de contacto Spitzentransistor
rdfs:comment: The point-contact transistor was the first type of transistor to be successfully demonstrated. It was developed by research scientists John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories in December 1947. They worked in a group led by physicist William Shockley. The group had been working together on experiments and theories of electric field effects in solid state materials, with the aim of replacing vacuum tubes with a smaller device that consumed less power. El transistor de contacte va ser el primer tipus de transistor que es va poder demostrar amb èxit. Va ser desenvolupat pels científics de recerca John Bardeen i Walter Brattain als laboratoris Bell el desembre de 1947. Van treballar en un grup dirigit pel físic William Shockley. El grup havia estat treballant conjuntament en experiments i teories d'efectes de camp elèctric en materials d'estat sòlid, amb l'objectiu de substituir els tubs de buit per un dispositiu més petit que consumís menys energia. 点接触型トランジスタ（てんせっしょくがたトランジスタ、Point-contact transistor）は、最初期に製造されたトランジスタ。 Der Spitzentransistor galt als erster praktisch realisierter Bipolartransistor und wird als Wegbereiter der modernen Halbleitertechnik angesehen. Spätere Untersuchungen zeigten jedoch, dass es sich tatsächlich um einen Thyristor handelte. Die Grundlagen der modernen Halbleitertechnik waren zur Zeit seiner Entwicklung noch nicht erarbeitet und alle Arbeiten basierten zum größten Teil auf Versuch und Irrtum. Das Schaltsymbol des Bipolartransistors erinnert heute noch an den Aufbau des Spitzentransistors. El transistor de contacto fue el primer tipo de transistor que se demostró con éxito. Fue desarrollado por los científicos de investigación John Bardeen y Walter Brattain a laboratorios Bell en diciembre de 1947. Trabajaron en un grupo dirigido por el físico William Shockley. El grupo había estado trabajando conjuntamente en experimentos y teorías de efectos de campo eléctrico en materiales de estado sólido, con el objetivo de sustituir los tubos de vacío por un dispositivo más pequeño que consume menos energía . Tranzystor ostrzowy – pierwszy działający typ tranzystora, skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories przez Johna Bardeena oraz Waltera Housera Brattaina. W następnym roku Bell wyprodukował pierwszą serię 3700 tranzystorów ostrzowych Type A, a Raytheon wprowadził do produkcji pierwszy typ komercyjny CK703. Tranzystory ostrzowe zostały bardzo szybko (w przeciągu paru lat) wyparte przez tranzystory złączowe (warstwowe), skonstruowane przez Williama Bradforda Shockleya z tego samego laboratorium. Mimo krótkiego czasu produkcji, tranzystory ostrzowe znalazły zastosowanie w aparatach słuchowych, radiowych, a nawet zbudowano na nich komputery (Uniwersytet w Manchesterze, 1953). Ostatnie tranzystory ostrzowe wycofano z produkcji prawdopodobnie jeszcze w lat ترانزستور نقطة الاتصال (بالإنجليزية: Point-contact transistor)، كان ترانزستور نقطة الاتصال هو النوع الأول من الترانزستور الذي يتم عرضه بنجاح. تم تطويره من قبل علماء البحث جون باردين ووالتر براتين في مختبرات بيل في ديسمبر 1947. لقد عملوا في مجموعة بقيادة الفيزيائي ويليام شوكلي. كانت المجموعة تعمل معًا على تجارب ونظريات تأثيرات المجال الكهربائي في المواد ذات الحالة الصلبة، بهدف استبدال الأنابيب المفرغة بجهاز أصغر يستهلك طاقة أقل. تم تسويق وبيع ترانزستور نقطة الاتصال من قبل وآخرين، ولكن سرعان ما تم استبداله بواسطة ترانزستور الوصلات ثنائي القطب، والذي كان أسهل في التصنيع وأكثر قوة.
foaf:depiction: n16:Fcspct.jpg n16:Point-contact_transistor.svg
dct:subject: dbc:Bipolar_transistors dbc:Transistor_types dbc:Computer-related_introductions_in_1947
dbo:wikiPageID: 3512305
dbo:wikiPageRevisionID: 1090729140
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Walter_Houser_Brattain dbr:Electron dbc:Bipolar_transistors dbr:Planar_transistor dbc:Transistor_types dbr:Digital_logic dbr:William_Shockley dbr:Germanium n14:Point-contact_transistor.svg dbr:Duodiode n14:Fcspct.jpg dbr:Germanium_diode dbr:Negative_resistance dbr:Bell_Laboratories dbr:Electric_field dbr:Transistor dbr:Surface_barrier_transistor dbr:Crystal_radio dbr:John_Bardeen dbr:Vacuum_tube dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Solid-state_physics dbc:Computer-related_introductions_in_1947 dbr:Electric_current dbr:Amplifier dbr:Diode dbr:Semiconductor dbr:VHF dbr:Electron_hole dbr:Capacitor dbr:Western_Electric dbr:Transistron
dbo:wikiPageExternalLink: n27:pointctrans.html n29:pointcon.htm
owl:sameAs: dbpedia-de:Spitzentransistor dbpedia-ar:ترانزستور_التلامس_النقطي dbpedia-ja:点接触型トランジスタ n15:Wj4b dbpedia-tr:Nokta_temaslı_transistör dbpedia-fa:ترانزیستور_تماس_نقطه‌ای freebase:m.09hlgq dbpedia-ro:Diodă_cu_contact_punctiform yago-res:Point-contact_transistor dbpedia-es:Transistor_de_contacto dbpedia-pl:Tranzystor_ostrzowy wikidata:Q1515631 dbpedia-ca:Transistor_de_contacte
dbp:wikiPageUsesTemplate: dbt:Cite_journal dbt:Electronic_components dbt:Refimprove dbt:Reflist dbt:Short_description
dbo:thumbnail: n16:Point-contact_transistor.svg?width=300
dbo:abstract: El transistor de contacte va ser el primer tipus de transistor que es va poder demostrar amb èxit. Va ser desenvolupat pels científics de recerca John Bardeen i Walter Brattain als laboratoris Bell el desembre de 1947. Van treballar en un grup dirigit pel físic William Shockley. El grup havia estat treballant conjuntament en experiments i teories d'efectes de camp elèctric en materials d'estat sòlid, amb l'objectiu de substituir els tubs de buit per un dispositiu més petit que consumís menys energia. Tranzystor ostrzowy – pierwszy działający typ tranzystora, skonstruowany 16 grudnia 1947 r. w laboratoriach firmy Bell Telephone Laboratories przez Johna Bardeena oraz Waltera Housera Brattaina. W następnym roku Bell wyprodukował pierwszą serię 3700 tranzystorów ostrzowych Type A, a Raytheon wprowadził do produkcji pierwszy typ komercyjny CK703. Tranzystory ostrzowe zostały bardzo szybko (w przeciągu paru lat) wyparte przez tranzystory złączowe (warstwowe), skonstruowane przez Williama Bradforda Shockleya z tego samego laboratorium. Mimo krótkiego czasu produkcji, tranzystory ostrzowe znalazły zastosowanie w aparatach słuchowych, radiowych, a nawet zbudowano na nich komputery (Uniwersytet w Manchesterze, 1953). Ostatnie tranzystory ostrzowe wycofano z produkcji prawdopodobnie jeszcze w latach 50 XX w. W Polsce poczynając od 1953 roku zbudowano trzy doświadczalne serie tranzystorów ostrzowych TP1, TP2 i TP3 (od „tranzystor punktowy”). Tranzystor TP1 został wykonany w liczbie około 250 sztuk, był bardzo nietrwały – jedynie 10% przetrwało okres 6 miesięcy. Tranzystorów TP2 i TP3 wykonano po około 150 sztuk. Nie weszły do produkcji seryjnej. The point-contact transistor was the first type of transistor to be successfully demonstrated. It was developed by research scientists John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories in December 1947. They worked in a group led by physicist William Shockley. The group had been working together on experiments and theories of electric field effects in solid state materials, with the aim of replacing vacuum tubes with a smaller device that consumed less power. The critical experiment, carried out on December 16, 1947, consisted of a block of germanium, a semiconductor, with two very closely spaced gold contacts held against it by a spring. Brattain attached a small strip of gold foil over the point of a plastic triangle — a configuration which is essentially a point-contact diode. He then carefully sliced through the gold at the tip of the triangle. This produced two electrically isolated gold contacts very close to each other. The piece of germanium used had a surface layer with an excess of electrons. When an electric signal traveled in through the gold foil, it injected holes (points which lack electrons). This created a thin layer which had a scarcity of electrons. A small positive current applied to one of the two contacts had an influence on the current which flowed between the other contact and the base upon which the block of germanium was mounted. In fact, a small change in the first contact current caused a greater change in the second contact current; thus it was an amplifier. The low-current input terminal into the point-contact transistor is the emitter, while the output high current terminals are the base and collector. This differs from the later type of bipolar junction transistor invented in 1951 that operates as transistors still do, with the low current input terminal as the base and the two high current output terminals as the emitter and collector. The point-contact transistor was commercialized and sold by Western Electric and others but was eventually superseded by the bipolar junction transistor, which was easier to manufacture and more rugged. The point-contact transistor did still remain in production until circa 1966, by which time the silicon planar transistor was dominating the market. ترانزستور نقطة الاتصال (بالإنجليزية: Point-contact transistor)، كان ترانزستور نقطة الاتصال هو النوع الأول من الترانزستور الذي يتم عرضه بنجاح. تم تطويره من قبل علماء البحث جون باردين ووالتر براتين في مختبرات بيل في ديسمبر 1947. لقد عملوا في مجموعة بقيادة الفيزيائي ويليام شوكلي. كانت المجموعة تعمل معًا على تجارب ونظريات تأثيرات المجال الكهربائي في المواد ذات الحالة الصلبة، بهدف استبدال الأنابيب المفرغة بجهاز أصغر يستهلك طاقة أقل. تألفت التجربة الحاسمة، التي أجريت في 16 ديسمبر 1947، من كتلة من الجرمانيوم، وهو شبه موصل، مع اثنين من التلامسات الذهبية المتقاربة للغاية التي تم تثبيتها ضدها بواسطة زنبرك. أرفق براتين شريطًا صغيرًا من رقائق الذهب فوق نقطة مثلث بلاستيكي - وهو تكوين هو في الأساس صمام ثنائي نقطة التلامس. ثم قطع الذهب بعناية عند طرف المثلث. أنتج هذا ملامسين ذهبيين معزولين كهربائياً قريبين جدًا من بعضهما البعض. قطعة الجرمانيوم المستخدمة بها طبقة سطحية بها إلكترونات زائدة. عندما تنتقل إشارة كهربائية عبر الرقاقة الذهبية، فإنها تحقن ثقوبًا (نقاط تفتقر إلى الإلكترونات). أدى هذا إلى تكوين طبقة رقيقة بها ندرة في الإلكترونات. كان للتيار الموجب الصغير المطبق على أحد الاتصالين تأثير على التيار الذي يتدفق بين جهة الاتصال الأخرى والقاعدة التي تم تركيب كتلة الجرمانيوم عليها. في الواقع، تسبب تغيير طفيف في تيار الاتصال الأول في حدوث تغيير أكبر في تيار الاتصال الثاني؛ وبالتالي كان مكبر للصوت. جهة الاتصال الأولى هي «الباعث» والاتصال الثاني هو «المجمع». محطة إدخال التيار المنخفض في ترانزستور نقطة التلامس هي الباعث، في حين أن محطات التيار العالي الناتج هي القاعدة والمجمع. هذا يختلف عن النوع الأحدث من ترانزستور الوصلة ثنائي القطب الذي تم اختراعه في عام 1951 والذي يعمل كما لا تزال الترانزستورات تعمل، مع طرف إدخال التيار المنخفض كقاعدة ومحطتي خرج تيار عاليين هما الباعث والمجمع. تم تسويق وبيع ترانزستور نقطة الاتصال من قبل وآخرين، ولكن سرعان ما تم استبداله بواسطة ترانزستور الوصلات ثنائي القطب، والذي كان أسهل في التصنيع وأكثر قوة. Der Spitzentransistor galt als erster praktisch realisierter Bipolartransistor und wird als Wegbereiter der modernen Halbleitertechnik angesehen. Spätere Untersuchungen zeigten jedoch, dass es sich tatsächlich um einen Thyristor handelte. Die Grundlagen der modernen Halbleitertechnik waren zur Zeit seiner Entwicklung noch nicht erarbeitet und alle Arbeiten basierten zum größten Teil auf Versuch und Irrtum. Das Schaltsymbol des Bipolartransistors erinnert heute noch an den Aufbau des Spitzentransistors. 点接触型トランジスタ（てんせっしょくがたトランジスタ、Point-contact transistor）は、最初期に製造されたトランジスタ。 El transistor de contacto fue el primer tipo de transistor que se demostró con éxito. Fue desarrollado por los científicos de investigación John Bardeen y Walter Brattain a laboratorios Bell en diciembre de 1947. Trabajaron en un grupo dirigido por el físico William Shockley. El grupo había estado trabajando conjuntamente en experimentos y teorías de efectos de campo eléctrico en materiales de estado sólido, con el objetivo de sustituir los tubos de vacío por un dispositivo más pequeño que consume menos energía .
gold:hypernym: dbr:Type
prov:wasDerivedFrom: wikipedia-en:Point-contact_transistor?oldid=1090729140&ns=0
dbo:wikiPageLength: 7190
foaf:isPrimaryTopicOf: wikipedia-en:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Transistor_count
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Point_contacts
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Point-contact_transistors
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: dbr:Point_contact_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Point-contact_transistor
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Point-contact_transistor

Subject Item: wikipedia-en:Point-contact_transistor
foaf:primaryTopic: dbr:Point-contact_transistor