This HTML5 document contains 125 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
yago-reshttp://yago-knowledge.org/resource/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kkhttp://kk.dbpedia.org/resource/
n16https://global.dbpedia.org/id/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-plhttp://pl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
n26https://archive.org/details/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbphttp://dbpedia.org/property/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Sanyo
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Neutron_activation_analysis
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Metalloid
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Monocrystalline_silicon
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Quantum-confined_Stark_effect
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Charge_carrier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Charge_carrier_density
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Dopant
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Doping_(semiconductor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Double_heterostructure
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Index_of_physics_articles_(I)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Intrinsic_and_extrinsic_properties
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Intrinsic_semiconductor
rdf:type
yago:Matter100020827 dbo:ChemicalCompound yago:Abstraction100002137 yago:Semiconductor114821248 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Material114580897 yago:Conductor114821043 yago:Substance100019613 yago:Relation100031921 yago:WikicatSemiconductors
rdfs:label
진성 반도체 本征半导体 Intrinsic semiconductor Semiconductor intrínsec 真性半導体 Półprzewodnik samoistny Собственный полупроводник Semi-conducteur intrinsèque Власний напівпровідник شبه موصل ذاتي
rdfs:comment
Półprzewodnik samoistny – półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur. Przyjmuje się, że w temperaturze 0 kelwinów w paśmie przewodnictwa nie ma elektronów, natomiast w T>0 K ma miejsce generacja par elektron-dziura; im wyższa temperatura, tym więcej takich par powstaje. Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur dont le comportement électrique ne dépend que de sa structure, et non de l'adjonction d'impuretés comme dans le cas du dopage. Власний напівпровідник - напівпровідник з дуже малою концентрацією домішок. У власному напівпровіднику кількість електронів у зоні провідності збігається з кількістю дірок у валентній зоні й визначається в основному шириною забороненої зони. Власні напівпровідники —- вихідний матеріал для легування з метою отримання напівпровідників n- та p-типу. Характеристики, близькі до характеристик власних напівпровідників, мають компенсовані напівпровідники, в яких доволі висока концентрація донорів урівноважена відповідною концентрацією акцепторів. Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами. Технология позволяет получать материалы с высокой степенью очистки, среди которых можно выделить непрямозонные полупроводники: Si (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=1,4·1010 см−3), Ge (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=2,5·1013 см−3) и прямозонный GaAs. شبه موصل أصيل (بالإنجليزية: Intrinsic semiconductor)‏ هو شبه موصل نقي يحتوي على عدد من الفجوات مساو لعدد الإلكترونات الحرة لكنه يختلف عن العازل حيث انه في درجة حرارة أعلى من الصفر المطلق هناك إمكانية محدودة أن يتحرر الإلكترون من مكانه ويترك خلفه فجوة إلكترونية لكن في درجات الحرارة الاعتيادية ينبغي أن يخضع شبه الموصل النقي إلى عملية تشويب حتى يمكن استغلالها في التطبيقات الإلكترونية لإن عدد الإلكترونات في نطاق التوصيل يكون مساو لعدد الفجوات في نطاق التكافؤ. An intrinsic (pure) semiconductor, also called an undoped semiconductor or i-type semiconductor, is a pure semiconductor without any significant dopant species present. The number of charge carriers is therefore determined by the properties of the material itself instead of the amount of impurities. In intrinsic semiconductors the number of excited electrons and the number of holes are equal: n = p. This may be the case even after doping the semiconductor, though only if it is doped with both donors and acceptors equally. In this case, n = p still holds, and the semiconductor remains intrinsic, though doped. This mean that some conductors are both intrinsic as well as extrinsic but only if n (electron donor dopant/excited electrons) is equal to p (electron acceptor dopant/vacant holes that 진성반도체(영어: intrinsic semiconductor)란 불순물을 첨가하지 않은 순수한 반도체를 뜻한다. 영어 머릿글자로부터 I형 반도체라고도 한다. 本徵半導體（英語：intrinsic semiconductor）又稱本質半導體、無雜質半導體、純半導體、I型半導體，是指没有外掺杂（未摻入雜質）且晶格完整的纯净晶体半导体，其参与导电的自由电子（带负电荷的载流子）和空穴（电洞，带正电荷的载流子）的浓度相等且处于平衡状态。此处“本征”表明能显示此半导体物质本身的特征。 相對於本質半導體，摻入雜質（doping）而含有雜質的半導體叫做雜質半導體（Extrinsic semiconductor）。 真性半導体（しんせいはんどうたい、英: intrinsic semiconductor）とは、添加物を混じえていない純粋な半導体のことを指す。英語名からi型半導体と呼ばれることもある。
dcterms:subject
dbc:Semiconductor_material_types
dbo:wikiPageID
2245430
dbo:wikiPageRevisionID
1121844340
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Dopant dbr:P-n_junction dbr:Vacancy_defect dbr:Electrical_conductivity dbr:Electron_excitation dbr:Conduction_band dbr:Electron_hole dbc:Semiconductor_material_types dbr:Electron dbr:Excited_state dbr:Semiconductor dbr:Charge_carrier dbr:Charge_carrier_density dbr:P-type_semiconductor dbr:N-type_semiconductor dbr:Introduction_to_Solid_State_Physics dbr:Mercury_cadmium_telluride dbr:Crystallographic_defect dbr:Valence_band dbr:Absolute_zero dbr:Extrinsic_semiconductor
dbo:wikiPageExternalLink
n26:physicsofsemicon00szes
owl:sameAs
dbpedia-fa:نیم‌رسانای_ذاتی yago-res:Intrinsic_semiconductor dbpedia-ko:진성_반도체 n16:EWFr dbpedia-pl:Półprzewodnik_samoistny dbpedia-ru:Собственный_полупроводник freebase:m.06yvyc dbpedia-ja:真性半導体 wikidata:Q1197777 dbpedia-ar:شبه_موصل_ذاتي dbpedia-fr:Semi-conducteur_intrinsèque dbpedia-kk:Меншікті_жартылай_өткізгіш dbpedia-uk:Власний_напівпровідник dbpedia-ca:Semiconductor_intrínsec dbpedia-zh:本征半导体
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Chem dbt:Cite_book dbt:Short_description
dbo:wikiPageInterLanguageLink
dbpedia-it:Semiconduttore
dbo:abstract
An intrinsic (pure) semiconductor, also called an undoped semiconductor or i-type semiconductor, is a pure semiconductor without any significant dopant species present. The number of charge carriers is therefore determined by the properties of the material itself instead of the amount of impurities. In intrinsic semiconductors the number of excited electrons and the number of holes are equal: n = p. This may be the case even after doping the semiconductor, though only if it is doped with both donors and acceptors equally. In this case, n = p still holds, and the semiconductor remains intrinsic, though doped. This mean that some conductors are both intrinsic as well as extrinsic but only if n (electron donor dopant/excited electrons) is equal to p (electron acceptor dopant/vacant holes that act as positive charges). The electrical conductivity of chemically pure semiconductors can still be affected by crystallographic defects of technological origin (like vacancies), some of which can behave similar to dopants. Their effect can often be neglected, though, and the number of electrons in the conduction band is then exactly equal to the number of holes in the valence band. The conduction of current of intrinsic semiconductor is enabled purely by electron excitation across the band-gap, which is usually small at room temperature except for narrow-bandgap semiconductors, like Hg0.8Cd0.2Te. The conductivity of a semiconductor can be modeled in terms of the band theory of solids. The band model of a semiconductor suggests that at ordinary temperatures there is a finite possibility that electrons can reach the conduction band and contribute to electrical conduction.A silicon crystal is different from an insulator because at any temperature above absolute zero, there is a non-zero probability that an electron in the lattice will be knocked loose from its position, leaving behind an electron deficiency called a "hole". If a voltage is applied, then both the electron and the hole can contribute to a small current flow. 真性半導体（しんせいはんどうたい、英: intrinsic semiconductor）とは、添加物を混じえていない純粋な半導体のことを指す。英語名からi型半導体と呼ばれることもある。 Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur dont le comportement électrique ne dépend que de sa structure, et non de l'adjonction d'impuretés comme dans le cas du dopage. 本徵半導體（英語：intrinsic semiconductor）又稱本質半導體、無雜質半導體、純半導體、I型半導體，是指没有外掺杂（未摻入雜質）且晶格完整的纯净晶体半导体，其参与导电的自由电子（带负电荷的载流子）和空穴（电洞，带正电荷的载流子）的浓度相等且处于平衡状态。此处“本征”表明能显示此半导体物质本身的特征。 相對於本質半導體，摻入雜質（doping）而含有雜質的半導體叫做雜質半導體（Extrinsic semiconductor）。 Собственный полупроводник или полупроводник i-типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic — собственный) — это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации свободных электронов, так как она определяется не легированием, а собственными свойствами материала, а именно термически возбуждёнными носителями, излучением и собственными дефектами. Технология позволяет получать материалы с высокой степенью очистки, среди которых можно выделить непрямозонные полупроводники: Si (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=1,4·1010 см−3), Ge (при комнатной температуре количество носителей ni=pi=2,5·1013 см−3) и прямозонный GaAs. Полупроводник без примесей обладает собственной электропроводностью, которая имеет два вклада: электронный и дырочный. Если к полупроводнику не приложено напряжение, то электроны и дырки совершают тепловое движение и суммарный ток равен нулю. При приложении напряжения в полупроводнике возникает электрическое поле, которое приводит к возникновению тока, называемого дрейфовым током iдр. Полный дрейфовый ток является суммой двух вкладов из электронного и дырочного токов: iдр= in+ ip, где индекс n соответствует электронному вкладу, а p — дырочному. Удельное сопротивление полупроводника зависит от концентрации носителей и от их подвижности, как следует из простейшей модели Друде. В полупроводниках при повышении температуры вследствие генерации электрон-дырочных пар концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне увеличивается значительно быстрее, нежели уменьшается их подвижность, поэтому с повышением температуры проводимость растет. Процесс гибели электрон-дырочных пар называется рекомбинацией. Фактически проводимость собственного полупроводника сопровождается процессами рекомбинации и генерации и если скорости их равны, то говорят что полупроводник находится в равновесном состоянии. Количество термически возбуждённых носителей зависит от ширины запрещённой зоны, поэтому количество носителей тока в собственных полупроводниках мало по сравнению с легированными полупроводниками и сопротивление их значительно выше. 진성반도체(영어: intrinsic semiconductor)란 불순물을 첨가하지 않은 순수한 반도체를 뜻한다. 영어 머릿글자로부터 I형 반도체라고도 한다. Власний напівпровідник - напівпровідник з дуже малою концентрацією домішок. У власному напівпровіднику кількість електронів у зоні провідності збігається з кількістю дірок у валентній зоні й визначається в основному шириною забороненої зони. Власні напівпровідники —- вихідний матеріал для легування з метою отримання напівпровідників n- та p-типу. Характеристики, близькі до характеристик власних напівпровідників, мають компенсовані напівпровідники, в яких доволі висока концентрація донорів урівноважена відповідною концентрацією акцепторів. شبه موصل أصيل (بالإنجليزية: Intrinsic semiconductor)‏ هو شبه موصل نقي يحتوي على عدد من الفجوات مساو لعدد الإلكترونات الحرة لكنه يختلف عن العازل حيث انه في درجة حرارة أعلى من الصفر المطلق هناك إمكانية محدودة أن يتحرر الإلكترون من مكانه ويترك خلفه فجوة إلكترونية لكن في درجات الحرارة الاعتيادية ينبغي أن يخضع شبه الموصل النقي إلى عملية تشويب حتى يمكن استغلالها في التطبيقات الإلكترونية لإن عدد الإلكترونات في نطاق التوصيل يكون مساو لعدد الفجوات في نطاق التكافؤ. Półprzewodnik samoistny – półprzewodnik, którego materiał jest idealnie czysty, bez żadnych zanieczyszczeń struktury krystalicznej. Koncentracja wolnych elektronów w półprzewodniku samoistnym jest równa koncentracji dziur. Przyjmuje się, że w temperaturze 0 kelwinów w paśmie przewodnictwa nie ma elektronów, natomiast w T>0 K ma miejsce generacja par elektron-dziura; im wyższa temperatura, tym więcej takich par powstaje.
gold:hypernym
dbr:Semiconductor
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Intrinsic_semiconductor?oldid=1121844340&ns=0
dbo:wikiPageLength
4478
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Time_resolved_microwave_conductivity
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Electrical_resistivity_and_conductivity
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Organic_electrochemical_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Lutetium_phthalocyanine
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Zinc_selenide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:PIN_diode
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Silicon_photonics
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Wafer_(electronics)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Organic_photorefractive_materials
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Band_gap
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Resonant-tunneling_diode
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Heterojunction
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Arsenic_trisulfide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Bifacial_solar_cells
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Terahertz_spectroscopy_and_technology
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Carrier_lifetime
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Silicon
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Extrinsic_semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Tunnel_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Semiconductor_detector
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:I-type_semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
dbr:Undoped_semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Intrinsic_semiconductor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Intrinsic_semiconductor
Subject Item
wikipedia-en:Intrinsic_semiconductor
foaf:primaryTopic
dbr:Intrinsic_semiconductor