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350 nm 350 nm 350纳米制程 350 nanómetros 350 nm 공정 350 nanômetros عملية 350 نانومتر 350 nanòmetres 350 nm process
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The 350 nanometer (350 nm) process refers to the level of semiconductor process technology that was reached in the 1995–1996 timeframe by leading semiconductor companies like Intel and IBM. 350 nanòmetres (350 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 350 nm. És una millora de la tecnologia de 600 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 644 àtoms de llargada. 350 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso del ámbito de los semiconductores comercializada entre los años 1995 y 1997 por las principales empresas de semiconductores, tales como Intel, AMD e IBM.​ Asimismo, la tecnología de proceso de 350 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo). عملية 350 نانومتر (بالإنجليزية: 350 nm process )‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1995–1996 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي‌ بي‌ إم. 350 nm désigne un procédé de fabrication des semi-conducteurs, gravés avec une finesse de 0,35 micromètre. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en 1995. Ce procédé permet d'intégrer 15 millions de transistors sur une seule puce, avec une puissance de calcul de 100 MIPS Selon la feuille de route de l'ITRS le successeur du 350 nm est la technologie 250 nm. 350纳米制程，又稱0.35微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1995年至1996年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 O processo de 350 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1993 a 1996, por empresas líderes de semicondutores como Sony, IBM, e Intel. Um MOSFET com comprimento de canal de 300 nm foi fabricado por uma equipe da Nippon Telegraph and Telephone (NTT) em 1985. Il 350 nm (350 nanometri o 0,35 µm) evoluzione del precedente processo a 600 nm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto negli anni 1995-1996 dalle principali industrie di semiconduttori come Intel e IBM. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 250 nanometri. 350 nm(나노미터) 공정 또는 0.35 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 350 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1993년에서 1996년 경 인텔, IBM과 같은 반도체 회사가 주도하였다.
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عملية 350 نانومتر (بالإنجليزية: 350 nm process )‏ عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العامين 1995–1996 ميلادي من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل وآي‌ بي‌ إم. The 350 nanometer (350 nm) process refers to the level of semiconductor process technology that was reached in the 1995–1996 timeframe by leading semiconductor companies like Intel and IBM. 350 nm désigne un procédé de fabrication des semi-conducteurs, gravés avec une finesse de 0,35 micromètre. Les premiers processeurs possédant cette technologie sont apparus sur le marché en 1995. Ce procédé permet d'intégrer 15 millions de transistors sur une seule puce, avec une puissance de calcul de 100 MIPS Selon la feuille de route de l'ITRS le successeur du 350 nm est la technologie 250 nm. 350纳米制程，又稱0.35微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1995年至1996年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 Il 350 nm (350 nanometri o 0,35 µm) evoluzione del precedente processo a 600 nm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto negli anni 1995-1996 dalle principali industrie di semiconduttori come Intel e IBM. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 250 nanometri. 350 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso del ámbito de los semiconductores comercializada entre los años 1995 y 1997 por las principales empresas de semiconductores, tales como Intel, AMD e IBM.​ Asimismo, la tecnología de proceso de 350 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo). 350 nm(나노미터) 공정 또는 0.35 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 350 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1993년에서 1996년 경 인텔, IBM과 같은 반도체 회사가 주도하였다. 350 nanòmetres (350 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 350 nm. És una millora de la tecnologia de 600 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 644 àtoms de llargada. O processo de 350 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi comercializado por volta do período de 1993 a 1996, por empresas líderes de semicondutores como Sony, IBM, e Intel. Um MOSFET com comprimento de canal de 300 nm foi fabricado por uma equipe da Nippon Telegraph and Telephone (NTT) em 1985.
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