| dbo:abstract
|
- تأثير زينر في الفيزياء (بالإنجليزية: Zener Effect)هو تأثير مسمى باسم مكتشفه «كليرانس زينر» (1905–1993) وهو ظهور تيار كهربائي في الاتجاه المعاكس في شبه موصل عالي التشويب. يسمى هذا التيار أيضا تيار زنر. يحدث تأثير زينر نتيجة انزياح في طبقات الطاقة في الجزء المشوب p وفي الجزء المشوب n من شبه موصل بسبب جهد ابتدائي. ويمتد هذا الانزياح في مستويات الطاقة حتى تحصل المستويات الفارغة في نطاق التوصيل على نفس طاقة المستويات المشغولة بإلكترونات التكافؤ. وبسبب هذا التقارب في نطاقات الطاقة في شبه الموصل يزداد احتمال انتقال أحد الإلكترونات من مستوى طاقة إلكترون التكافؤ إلى نطاق التوصيل (تاثير النفق الكمومي). الشكل إلى اليسار يوضح هذا: يعمل الدايود عادة مثلما في المربع إلى اليمين العلوي: بزيادة الجهد يزداد التيار. أما إذا عكسنا الجهد على شبه الموصل وجعلناه سالبا فينتقل سلوك شبه الموصل إلى المربع اليساري السفلي. بزيادة الجهد السالب عليه يزداد التيار في الاتجاه العكسي قليلا أولا ثم يحدث زيادة أسية في التيار العكسي بسبب حدوث انهيار (هذا بالنسبة إلى شبه موصل عادي التشويب). أما إذا كان شبه الموصل عالي التشويب فإن الانهيار (زيادة التيار زيادة أسية) في الاتجاه العكسي يحدث عند جهد سالب أقل من حالة التشويب العادي، وفي تلك الحالة يسمى انهيار زينر أو تأثير زينر. (ar)
- Der Zener-Effekt, nach seinem Entdecker Clarence Melvin Zener (1905–1993) benannt, ist das Auftreten eines Stroms (Zener-Strom) in Sperrrichtung bei einer hoch dotierten Halbleitersperrschicht durch freie Ladungsträger. Die Grundlage für den Zener-Effekt ist eine durch Vorspannung hervorgerufene gegenseitige Verschiebung der Energiebänder im p-dotierten und im n-dotierten Bereich. Diese Verschiebung geht so weit, dass unbesetzte Zustände im Leitungsband die gleiche Energie haben wie besetzte Zustände im Valenzband. Durch diese Annäherung ist es Elektronen mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit möglich, ohne Energieaufnahme aus dem Valenzband in das Leitungsband zu gelangen (Tunneleffekt). Die für den „Zener-Durchbruch“ notwendige Mindestspannung wird als Zener-Spannung oder als Z-Spannung bezeichnet. Bei Siliziumdioden liegt die Zener-Spannung etwa zwischen 2 V und 5,5 V. Technisch genutzt wird dieser Effekt bei so genannten Z-Dioden. Bei Schwellspannungen unter 5,5 V überwiegt dabei der Zener-Effekt, bei Spannungen darüber überwiegt der Lawinen- oder Avalanche-Durchbruch. Dioden mit Durchbruchsspannungen über 5,5 V werden umgangssprachlich aber falsch als Zenerdioden bezeichnet. Als übergreifende Bezeichnung hat sich der Begriff „Z-Dioden“ etabliert. Der Zener-Durchbruch tritt in hochdotierten p-n-Übergängen auf. Durch die hohe Dotierung ist die gebildete Raumladungszone sehr dünn, Voraussetzung für den Tunneleffekt. Der bei einer bestimmten Z-Diode basierend auf dem Zener-Durchbruch vorhandene negative Temperaturkoeffizient liegt im Bereich um −3 mV/K, ist weitgehend unabhängig von der Höhe der konkreten Durchbruchspannung der Z-Diode und verringert die Durchbruchspannung bei steigender Temperatur. (de)
- L’effet Zener, du nom de son découvreur Clarence Melvin Zener (1905–1993), désigne l'apparition d'un courant (courant Zener) le long de la jonction bloquée d'une couche semi-conductrice fortement dopée, courant résultant de l'action de porteurs de charge libres. L'intensité de ce courant est pratiquement indépendante de la tension appliquée aux bornes, dès qu'elle dépasse la tension d'amorçage (« tension inverse de claquage »). (fr)
- L'effetto Zener è un particolare fenomeno, scoperto dal fisico statunitense Clarence Zener, che si verifica nelle giunzioni p-n in polarizzazione inversa. Il campo elettrico favorisce l'effetto tunnel degli elettroni di un semiconduttore che passano dalla banda di polivalenza alla banda di conduzione. Di conseguenza si ha un improvviso aumento della corrente inversa a causa di un grande numero di portatori minoritari che attraversano la barriera. L'effetto Zener è distinto dal breakdown a valanga anche se entrambi riguardano i portatori minoritari, in quanto sono dovuti a fenomeni fisici ben separati. Infatti a differenza dell'effetto tunnel, nel caso del breakdown a valanga gli elettroni nella regione di svuotamento a causa dell'elevato campo elettrostatico esistente sono portati ad una velocità così elevata da avere una energia sufficiente a creare coppie elettroni-lacune mediante collisione con elettroni legati. L'effetto Zener o il breakdown a valanga possono avvenire indipendentemente o simultaneamente. In genere, se la tensione di breakdown nei diodi è inferiore a 5 V siamo nel regime di effetto Zener, mentre se è superiore a 5 V si è nella regione di breakdown a valanga. Attorno a 5 V si è nel regime intermedio in cui entrambi gli effetti si combinano. All'aumentare della temperatura diminuisce la tensione del breakdown Zener: a causa della diminuzione della gap e quindi della barriera dell'effetto tunnel. L'opposto avviene per il breakdown a valanga. Dal punto di vista del drogaggio solo giunzioni p-n drogate molto fortemente (quindi con una zona di svuotamento molto poco estesa) presentano tale effetto. Infatti la dimensione della zona di svuotamento rappresenta la barriera tra i due lati della giunzione. Poiché l'effetto tunnel è fortemente influenzato dalla estensione spaziale della barriera: in pratica solo barriere molto strette lo permettono.[SOS]. Vi sono alcuni diodi progettati appositamente per funzionare anche in zona di breakdown tramite l'effetto zener e prendono il nome di diodi Zener. Essi trovano applicazione, per esempio, come limitatori di tensione. (it)
- In electronics, the Zener effect (employed most notably in the appropriately named Zener diode) is a type of electrical breakdown, discovered by Clarence Melvin Zener. It occurs in a reverse biased p-n diode when the electric field enables tunneling of electrons from the valence to the conduction band of a semiconductor, leading to numerous free minority carriers which suddenly increase the reverse current. (en)
- 제너 효과(Zener effect)는 전계가 반도체의 전도대로 전자의 터널링을 가능하게 하는 된 PN 다이오드 절연파괴의 일종이다. 제너 항복은 제너 다이오드에 이용된다. (ko)
- Zjawisko Zenera występuje w silnie domieszkowanych złączach p-n spolaryzowanych zaporowo. Objawia się gwałtownym wzrostem prądu (tzw. prądem Zenera) gdy napięcie polaryzujące przekroczy pewną charakterystyczną dla danego złącza wartość zwaną napięciem Zenera. Zjawisko Zenera jest również nazywane przebiciem Zenera. W silnie domieszkowanym złączu p-n szerokość obszaru ładunku przestrzennego (warstwy zubożonej) jest niewielka. Jeśli napięcie polaryzacji wstecznej takiego złącza będzie większe od napięcia Zenera, to górna krawędź pasma walencyjnego obszaru typu P znajdzie się wyżej niż dolna krawędź pasma przewodzenia obszaru typu N. Dlatego jeśli elektron znajdujący się w paśmie walencyjnym w obszarze typu P przejdzie przez obszar ładunku przestrzennego do obszaru typu N, to bez zmiany energii stanie się tam swobodnym nośnikiem – elektronem znajdującym się w paśmie przewodzenia półprzewodnika typu N. Takie przejście nazywane jest przejściem tunelowym. Pojawienie się tych swobodnych nośników w obszarze N powoduje zwiększenie prądu płynącego w obwodzie. Nawet niewielki wzrost napięcia polaryzującego (przekraczającego napięcie Zenera) daje bardzo duży przyrost prądu. Zjawisko Zenera występuje dla napięć polaryzujących nie większych niż 5-6 V. Odkryte w 1934 przez fizyka amerykańskiego C. Zenera, wykorzystane m.in. w diodzie Zenera. (pl)
- Het zenereffect, genoemd naar de ontdekker Clarence Melvin Zener, een Amerikaanse natuurkundige, is het verschijnsel dat in een zwaar gedoteerde pn-overgang, aangesloten in de sperrichting, bij voldoend hoge spanning toch geleiding door plaatsvindt. Deze geleiding is het gevolg van het tunneleffect. De drempelspanning waarboven dit effect optreedt, wordt zenerspanning genoemd. Het zenereffect vindt toepassing in zenerdiodes. Elke pn-overgang zal gaan geleiden in de sperrichting, als de spanning maar groot genoeg wordt, groter dan de doorslagspanning: de diode 'slaat door'. Dit is echter niet omkeerbaar en een gewone diode raakt hierdoor defect. Men noemt dit het lawine-effect. Het lawine-effect is dominant bij een spanning van meer dan 6 volt en heeft een positieve temperatuurcoëfficiënt Bij het zenereffect is geleiding in de sperrichting het gevolg van het tunneleffect of een combinatie daarvan met het lawine-effect. Het tunneleffect (negatieve temperatuurcoëfficiënt) is dominant bij spanningen lager dan 5 volt. Zenerdiodes met een zenerspanning tussen de 5 en 6 volt (5,6 volt) hebben een beperkte temperatuurafhankelijkheid, door de combinatie van de negatieve temperatuurcoëfficiënt en de positieve van het lawine-effect. Het tunneleffect wordt mogelijk gemaakt door de verschuiving van de energiebanden in de p- en n-zone als gevolg van de zware dotering. Daardoor hebben de onbezette toestanden in de geleidingsband dezelfde energie als de bezette toestanden in de valentieband, zodat vrije ladingsdragers zonder energieopname met een zekere waarschijnlijkheid van de valentieband naar de geleidingsband kunnen overgaan. (nl)
- O efeito Zener é um efeito elétrico estudado por Clarence Zener que ocorre quando o campo elétrico produzido na aplicação da tensão inversa é suficiente para produzir a quebra de ligações covalentes, multiplicando rapidamente os portadores de carga. Este tipo de ruptura é denominado "ruptura zener" e o ponto no qual se inicia a ruptura zener é chamado de "tensão zener". É base para o funcionamento do diodo Zener. (pt)
- Эффе́кт Зе́нера, тунне́льный пробо́й — явление резкого нарастания тока через обратносмещённый p-n переход, обусловленное туннельным эффектом, то есть квантовомеханическим «просачиванием» электронов сквозь узкий потенциальный барьер, формируемый запрещённой зоной полупроводника.Находит применение в стабилитронах и ряде других приборов. (ru)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 3319 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- L’effet Zener, du nom de son découvreur Clarence Melvin Zener (1905–1993), désigne l'apparition d'un courant (courant Zener) le long de la jonction bloquée d'une couche semi-conductrice fortement dopée, courant résultant de l'action de porteurs de charge libres. L'intensité de ce courant est pratiquement indépendante de la tension appliquée aux bornes, dès qu'elle dépasse la tension d'amorçage (« tension inverse de claquage »). (fr)
- In electronics, the Zener effect (employed most notably in the appropriately named Zener diode) is a type of electrical breakdown, discovered by Clarence Melvin Zener. It occurs in a reverse biased p-n diode when the electric field enables tunneling of electrons from the valence to the conduction band of a semiconductor, leading to numerous free minority carriers which suddenly increase the reverse current. (en)
- 제너 효과(Zener effect)는 전계가 반도체의 전도대로 전자의 터널링을 가능하게 하는 된 PN 다이오드 절연파괴의 일종이다. 제너 항복은 제너 다이오드에 이용된다. (ko)
- O efeito Zener é um efeito elétrico estudado por Clarence Zener que ocorre quando o campo elétrico produzido na aplicação da tensão inversa é suficiente para produzir a quebra de ligações covalentes, multiplicando rapidamente os portadores de carga. Este tipo de ruptura é denominado "ruptura zener" e o ponto no qual se inicia a ruptura zener é chamado de "tensão zener". É base para o funcionamento do diodo Zener. (pt)
- Эффе́кт Зе́нера, тунне́льный пробо́й — явление резкого нарастания тока через обратносмещённый p-n переход, обусловленное туннельным эффектом, то есть квантовомеханическим «просачиванием» электронов сквозь узкий потенциальный барьер, формируемый запрещённой зоной полупроводника.Находит применение в стабилитронах и ряде других приборов. (ru)
- تأثير زينر في الفيزياء (بالإنجليزية: Zener Effect)هو تأثير مسمى باسم مكتشفه «كليرانس زينر» (1905–1993) وهو ظهور تيار كهربائي في الاتجاه المعاكس في شبه موصل عالي التشويب. يسمى هذا التيار أيضا تيار زنر. يحدث تأثير زينر نتيجة انزياح في طبقات الطاقة في الجزء المشوب p وفي الجزء المشوب n من شبه موصل بسبب جهد ابتدائي. ويمتد هذا الانزياح في مستويات الطاقة حتى تحصل المستويات الفارغة في نطاق التوصيل على نفس طاقة المستويات المشغولة بإلكترونات التكافؤ. وبسبب هذا التقارب في نطاقات الطاقة في شبه الموصل يزداد احتمال انتقال أحد الإلكترونات من مستوى طاقة إلكترون التكافؤ إلى نطاق التوصيل (تاثير النفق الكمومي). (ar)
- Der Zener-Effekt, nach seinem Entdecker Clarence Melvin Zener (1905–1993) benannt, ist das Auftreten eines Stroms (Zener-Strom) in Sperrrichtung bei einer hoch dotierten Halbleitersperrschicht durch freie Ladungsträger. Die für den „Zener-Durchbruch“ notwendige Mindestspannung wird als Zener-Spannung oder als Z-Spannung bezeichnet. Bei Siliziumdioden liegt die Zener-Spannung etwa zwischen 2 V und 5,5 V. (de)
- L'effetto Zener è un particolare fenomeno, scoperto dal fisico statunitense Clarence Zener, che si verifica nelle giunzioni p-n in polarizzazione inversa. Il campo elettrico favorisce l'effetto tunnel degli elettroni di un semiconduttore che passano dalla banda di polivalenza alla banda di conduzione. Di conseguenza si ha un improvviso aumento della corrente inversa a causa di un grande numero di portatori minoritari che attraversano la barriera. (it)
- Het zenereffect, genoemd naar de ontdekker Clarence Melvin Zener, een Amerikaanse natuurkundige, is het verschijnsel dat in een zwaar gedoteerde pn-overgang, aangesloten in de sperrichting, bij voldoend hoge spanning toch geleiding door plaatsvindt. Deze geleiding is het gevolg van het tunneleffect. De drempelspanning waarboven dit effect optreedt, wordt zenerspanning genoemd. Het zenereffect vindt toepassing in zenerdiodes. (nl)
- Zjawisko Zenera występuje w silnie domieszkowanych złączach p-n spolaryzowanych zaporowo. Objawia się gwałtownym wzrostem prądu (tzw. prądem Zenera) gdy napięcie polaryzujące przekroczy pewną charakterystyczną dla danego złącza wartość zwaną napięciem Zenera. Zjawisko Zenera jest również nazywane przebiciem Zenera. Pojawienie się tych swobodnych nośników w obszarze N powoduje zwiększenie prądu płynącego w obwodzie. Nawet niewielki wzrost napięcia polaryzującego (przekraczającego napięcie Zenera) daje bardzo duży przyrost prądu. (pl)
|
| rdfs:label
|
- تأثير زنر (ar)
- Efecte Zener (ca)
- Zener-Effekt (de)
- Effet Zener (fr)
- Effetto Zener (it)
- 제너 효과 (ko)
- Zenereffect (nl)
- Zjawisko Zenera (pl)
- Efeito Zener (pt)
- Эффект Зенера (ru)
- Zener effect (en)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:knownFor
of | |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is dbp:knownFor
of | |
| is dbp:workingPrinciple
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
