| dbo:abstract
|
- الترانزستور ثنائي القطب أو ترانزستور الوصلة ثنائية الأقطاب (بالإنجليزية: Bipolar Junction Transistor اختصاراً BJT) هو عنصر إلكتروني فعّال شبه موصل ثلاثيّ الطبقات، يتكوّن من طبقتين من النوع نفسه تفصل بينهما طبقة ثالثةٌ مُغايرة. تكون مادة الطبقات أشباه موصلات إما من سالبة النوع أو موجبته، إذا كانت الطبقتان من مادة شبه موصل مشاب سالب النوع والطبقة المُغايرة من شبه موصلٍ مشاب موجب النوع فإنّ الترانزستور يكونُ من النوع NPN. أمّا إذا كانت الطبقتان من شبه مُوصلٍ مشابٍ موجب النوع، وكانت الطبقةُ المُغايرة من شبه مُوصلٍ مشاب سالب النوع، فإن الترانزستور يكون من النوع PNP. صُنع الترانزستور للمرة الأولى عام 1947م في مختبرات بل، بإشراف كلٍّ من والتر براتين وجون باردين وويليام شوكلي. لاحقاً، حصلَ الثلاثةُ على جائزة نوبل في الفيزياء في العام 1956م تقديراً لعملهم. مُنذ منتصف الخمسينيّات من القرن العشرين، أصبح الترانزستور ثنائي القطب مُتوافراً للاستخدام التّجاري، وكان حجر أساس في ثورة تقنيّة وإلكترونيّة، ولا يكاد يخلو جهاز إلكتروني حديث من هذا العنصر. هناكَ ثلاثُ نهاياتٍ طرفيّة للترانزستور ثنائي القطب، هُنّ القاعدة والباعث والمُجمّع، وتتصل كل نهاية مِنها مع إحدى طبقات الترانزستور. يُمكن تمثيل الترانزستور حسب بنيته على شكل ثُنائيين يُسميان وصلتا القاعدة والباعث والقاعدة والمجمع ويشتركان بالمصعد أو بالمهبط، حسب نوع الترانزستور. ولهذا فإنّ الترانزستور يخضع لنفس قواعد التحييز الخاصّة بالثنائي. عمليّاً، هناك أربعُ حالات لتحييز وصلتي الترانزستور هُنّ: التحييز الأمامي لوصلة القاعدة والباعث مع التحييز العكسيّ لوصلة القاعدة والمجمع أو بالعكس، أو تحييز كلتا الوصلتين أماميّاً أو كلتاهما عكسيّاً، وينتج عن كل عملية تحييز خواص مختلفة يمكن الاستفادة منها لتوظيف الترانزستور. يُوجد العديد من الدارات التي تحقق حالات الانحياز المُختلفة للترانزستور، ويجري تصنيفها حسب النهاية المُشتركة بين دارتي الدخل والخرج في الدارة المُعتبرة، وينتج عن ذلك ثلاثةُ تصانيفَ مختلفةٍ لإعداد الوصلة هي: والباعث المشترك ولكل وصلة خواص مختلفة عن الأخرى، لكن أكثرها استعمالاً هي الباعث المشترك. هناك عدّة نماذج تُستعمل لتمثيل عمل الترانزستور، أهمّها نموذجا آر إي ، وفيهما يجري تعويض الترانزستور بعناصر كهربائيّة خطيّة غير فعّالة، ثُمّ حساب المُحددات الأساسيّة الضابطة لعمله، مثلُ ربحيّ الجهد والتيار. وتهدف عملية النمذجة إلى إيجاد تمثيلٍ رياضيّ قادرٍ على محاكاة عمل الترانزستور. تتُحدد آليّة عمل الترانزستور حسب موقع نقطة العمل، وهي نقطة تقع على مُحددات الخرج الخاصّة بالترانزستور وتربط بين جهد الخرج وتياره، ويمكن تحديد موقعها بدقّة من خلال اختيار عناصر دارة التّحييز. على أي حال، يُمكن أن يعمل الترانزستور كمضخم للإشارات الكهربائية الصغيرة أو كمضخم للاستطاعة، وفي كلتا الحالتين يقوم الترانزستور بتضخيم إشارة كهربائيّة تُوصل إلى دارة دخله، ثُمّ نقلِها إلى دارة خرجه. كما يُمكن أن يعمل كمفتاح إلكتروني، وفي هذه الحالة يجري التحكم بتدفق التيار في دارة خرج الترانزستور من خلال الجهد المُطبق دارة الدخل. يُبدي الترانزستور ذات شكل هضبيّ بالنسبة لترددات إشارة الدخل، فمع زيادة التردد، يرتفع ربح الترانزستور ليصل إلى أعلى قيمة مُمكنة، ثُمّ يظلّ ثابتاً على طيف واسع قبل أن يعود وينخفض من جديد مع زيادة التردد فوق عتبة مُحددة. عمليّاً، يكون ربح الترانزستور أعلى ما يُمكن إذا كان ترددُ الإشارة يقعُ بين ترددين محددين يُسميان ترددا القطع الأدنى والأعلى، وتتبع قيمة هذه الترددات لعدد من عناصر الدارة أهمها مكثفاتُ العزل والتمرير والسِّعاتُ الطفيليّة بالإضافة للمقاومات المُستعملة في الدارة. منذ مُنتصف الخمسينيّات من القرن العشرين، يتوافر الترانزستور في الأسواق كمنتج تجاري يُمكن شراؤه واستعماله في تصميم الدارات الإلكترونية المختلفة، ويتطلب ذلك مهارات خاصة في قراءة الخاصة به والتي ترفقُها الشركة المُصنّعة مع العنصر الإلكتروني، وهي تحتوي على مواصفاته وخواصه. بالإضافة لذلك، يتطلب استعمال الترانزستور امتلاك مهارات خاصة بتحديد نوعه ودبابيس الطرفيات؛ إمّا عن طريق اللجوء إلى ورقة البيانات الخاصّة به، أو عن طريق القياس باستعمال مقياس المقاومة. (ar)
- Un transistor bipolar (BJT, de l'anglès bipolar junction transistor) és un tipus de transistor, un dispositiu que pot funcionar com amplificador o commutador fet amb semiconductors dopats. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la base del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat emissor, es pot variar el corrent que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat col·lector, fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent. Conceptualment, hom pot entendre un transistor bipolar com a dos díodes col·locats de forma oposada. En estat normal, la unió emissor-base està polaritzada en directa i la unió base-col·lector està polaritzada en inversa. En un transistor de tipus NPN, per exemple, els electrons de l'emissor s'escampen (o es difonen) a la base. Aquests electrons en la base estan en minoria (hi ha una gran quantitat de forats electrònics) per a recombinar-se. La base sempre es fa prou fina perquè la majoria d'electrons es difonguen pel col·lector abans que es recombinen amb els forats. La unió col·lector-base està polaritzada en inversa per a evitar el flux de forats, però els electrons es troben amb un camí més fàcil: són escombrats cap al col·lector pel camp elèctric que envolta la unió. La proporció d'electrons capaços d'evitar "l'aspiració" de la base i arribar al col·lector és molt sensible al corrent que passa a través de la base. D'ací que un mínim canvi en el corrent de la base puga convertir-se en un gran canvi en el flux d'electrons entre l'emissor i el col·lector. Per exemple el radi d'aquests corrents (Ic÷Ib normalment anomenada β) en alguns transistors bipolars és de 100 o més. El diagrama que s'acompanya és una representació esquemàtica d'un transistor NPN connectat amb dos fonts de voltatge. Per fer que el transistor condueixca un corrent de C a E, s'aplica un voltatge menut (al voltant dels 0,7 volts) en la unió base-emissor. Aquest voltatge s'anomena . Açò fa que la unió p-n superior condueixca, permetent que un corrent major flueixca al col·lector. El corrent total que flueix cap a dins del transistor serà per tant el corrent base més el corrent del col·lector . El corrent total que ix és simplement el corrent de l'emissor, . Així com en tots els dispositius elèctrics, el corrent que hi entra ha de ser igual al que surt, d'acord amb la llei de Kirchoff, per aquest motiu es pot afirmar el següent: (ca)
- Bipolární tranzistor je druh tranzistoru. Jde o elektronickou součástku tvořenou třemi oblastmi polovodiče s různým typem vodivosti v uspořádání NPN nebo PNP, které vytvářejí dvojici přechodů PN. Prostřední oblast se nazývá báze (B), krajní emitor (E) a kolektor (C, výjimečně K). Ke každé z oblastí je zapojen vývod. Při vhodném zapojení je velikost elektrického proudu tekoucího mezi emitorem a kolektorem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako zesilovače, spínače a invertory. Vyrábějí se jako samostatné součástky nebo jako prvky integrovaných obvodů. Ve složitých integrovaných obvodech však převládá používání unipolárních tranzistorů. (cs)
- Το διπολικό τρανζίστορ (BJT – Bipolar Junction Transistor) Το τρανζίστορ είναι ένα ημιαγωγό στοιχείο των ηλεκτρονικών ισχύος, το οποίο αποτελείται από τρεις ζώνες ημιαγωγού στοιχείου διαδοχικά τοποθετημένες. Επομένως, έχουμε δύο τύπους τρανζίστορ: το τρανζίστορ npn και το τρανζίστορ pnp. Στα ηλεκτρονικά ισχύος χρησιμοποιούμε αποκλειστικά το τρανζίστορ npn α) Δομή ενός τρανζίστορ npn β) Σύμβολο τρανζίστορ τύπου-npn με ορθή πόλωση γ) Τρανζίστορ του εμπορίου]] Λειτουργία npn-τρανζίστορ Το τρανζίστορ λειτουργεί σαν ελεγχόμενος διακόπτης. Για να λειτουργήσει, όμως, απαιτείται ορθή πόλωση. Δηλαδή: – θετική τάση (+) στον συλλέκτη (C) – αρνητική τάση (–) στον εκπομπό (Ε ή γειωμένο εκπομπό) – θετική τάση (+) στη βάση (Β) Σημείωση: Όταν το βέλος του εκπομπού δείχνει προς την περιφέρεια του κύκλου, τότε είναι τρανζίστορ-npn. Εάν το βέλος του εκπομπού δείχνει προς τη βάση τότε είναι τρανζίστορ-pnp. Όταν το τρανζίστορ είναι ορθά πολωμένο, τότε ρέει ένα μικρό ρεύμα ΙΒ από τη βάση στον εκπομπό, το οποίο ρυθμίζει τη ροή ενός μεγάλου ρεύματος (IC IE) από τον συλλέκτη στον εκπομπό. Όσο μεγαλώνουμε το ρεύμα βάσης (ΙΒ), τόσο περισσότερο μεγαλώνει το ρεύμα συλλέκτη IC. Ο λόγος IC/ΙΒ ονομάζεται ενίσχυση (Β). Συνήθεις τιμές του Β = 50-200. π.χ.: Εάν Β=200 και ΙΒ = 5mA, τότε IC = Β∙ΙΒ=200∙5=1000 mA = 1Α (el)
- A bipolar junction transistor (BJT) is a type of transistor that uses both electrons and electron holes as charge carriers. In contrast, a unipolar transistor, such as a field-effect transistor, uses only one kind of charge carrier. A bipolar transistor allows a small current injected at one of its terminals to control a much larger current flowing between the terminals, making the device capable of amplification or switching. BJTs use two p–n junctions between two semiconductor types, n-type and p-type, which are regions in a single crystal of material. The junctions can be made in several different ways, such as changing the doping of the semiconductor material as it is grown, by depositing metal pellets to form alloy junctions, or by such methods as diffusion of n-type and p-type doping substances into the crystal. The superior predictability and performance of junction transistors quickly displaced the original point-contact transistor. Diffused transistors, along with other components, are elements of integrated circuits for analog and digital functions. Hundreds of bipolar junction transistors can be made in one circuit at very low cost. Bipolar transistor integrated circuits were the main active devices of a generation of mainframe and minicomputers, but most computer systems now use CMOS integrated circuits relying on field-effect transistors. Bipolar transistors are still used for amplification of signals, switching, and in mixed-signal integrated circuits using BiCMOS. Specialized types are used for high voltage switches, for radio-frequency amplifiers, or for switching high currents. (en)
- Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen. Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert und wird zum Schalten und Verstärken von Signalen ohne mechanisch bewegte Teile eingesetzt. Bipolare Leistungstransistoren sind für das Schalten und Verstärken von Signalen höherer Stromstärken und Spannungen ausgelegt. (de)
- El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
* Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
* Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
* Colector, de extensión mucho mayor. La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial.En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad. (es)
- Transistore bipolarra —BJT transistorea edo juntura bipolarreko transistorea ere deitua (ingelesez: BJT; bipolar junction transistor) transistore mota bat da. egindako hiru terminaleko osagarri elektronikoa da. Oro har elektronika analogikoan erabiltzen dira. Hala ere, elektronika digitaleko TTL teknologian edo ere erabiliak dira. Transistore bipolarren terminalek izen hauek hartzen dituzte:
* Entxufe oina (B; ingelesez: Base).
* Kolektorea (C; ingelesez: Collecter).
* Igorlea (E; ingelesez: Emitter). (eu)
- Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant. Il est à noter qu'aucun électron n'est effectivement « créé » : la polarisation appropriée permet à un réservoir d'électrons libres de circuler différemment. (fr)
- Transistor sambungan dwikutub atau transistor pertemuan dwikutub (bahasa Inggris: Bipolar junction transistor atau disingkat BJT atau Bipolar transistor) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun , berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah , hampir semua arus transistor adalah dikarenakan , sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas. (in)
- バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトランジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET が登場したことによるレトロニムである。 (ja)
- ( BJT는 여기로 연결됩니다. 일본어 자격시험에 대해서는 비즈니스 일본어 능력 시험 문서를 참고하십시오.) 양극성 접합 트랜지스터(영어: bipolar junction transistor)는 1947년 벨 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다. 진공관은 전자회로 구현에서 크기와 소모전력 그리고 내구성에 문제가 많다. 특히 스위치 개념을 적용할 때, 많은 소자가 필요한데 공간의 한계가 문제가 된다. 그래서 반도체를 이용한 스위치의 필요성이 대두되어 개발되었다. 스위치란 결국 전류를 흐르게 하느냐, 흐르지 못하게 하느냐이다. 소자의 크기와 전력 면에서 반도체를 이용하면 이 문제가 해결된다. 반도체는 n형과 p형이 있으므로 이것에 제어용 전극을 붙이면 된다. n형의 막대 중간에 제어 전극을 붙이는 방법은 p형을 중간에 끼워 넣는 방법밖에 없다. p형이라면 n형을 넣으면 전류 제어가 가능해진다. 이렇게 중간에 제어용으로 삽입된 전극이 베이스(Base)가 된다. 베이스의 제어 신호는 전류에 따라 제어가 결정된다. 입력 제어 전류의 몇 배 전류가 흘러 스위치 기능이 실현된다. 보통 전자공학에서 신호 처리는 전압으로 표현된다. 즉, 전압을 증폭하거나 스위치한다. 베이스의 전압으로 제어할 수 있으면 좋았겠으나, 스위치 기능의 구현이 우선이었을 것이다. 나중에 전압을 제어용 입력 신호로 하는 소자인 전계효과 트랜지스터(FET)가 개발되었다. 오늘날 집적회로에서 CMOS 사용의 선호로 인해 관심과 사용이 줄어들고 있으나, 이산회로 등에서 접합형 트랜지스터의 성질이 잘 알려져 있고 다양한 소자 선택이 가능해 여전히 널리 사용되고 있다. (ko)
- De bipolaire transistor is een actieve elektronische halfgeleidercomponent. Meestal noemt men de bipolaire transistor gewoon transistor, maar naast bipolaire transistors bestaan er ook andere soorten, zoals de veldeffecttransistor en de MOSFET. Er zijn twee soorten bipolaire transistoren:
* de PNP-transistor (een n-halfgeleiderlaag tussen twee p-halfgeleiderlagen) en
* de NPN-transistor (een p-halfgeleiderlaag tussen twee n-halfgeleiderlagen). (nl)
- In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore. Costituisce la famiglia più diffusa in elettronica insieme al transistor ad effetto di campo rispetto a cui è in grado di offrire una maggiore corrente in uscita con lo svantaggio tuttavia di non avere il terminale di controllo isolato (gate). Esso è composto da tre strati di materiale semiconduttore drogato, solitamente silicio, in cui lo strato centrale ha drogaggio opposto agli altri due, in modo da formare una doppia giunzione p-n. Ad ogni strato è associato un terminale: quello centrale prende il nome di base, quelli esterni sono detti collettore ed emettitore. Il principio di funzionamento si fonda sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante l'applicazione di una tensione tra i suoi terminali. Tale dispositivo coinvolge sia gli elettroni, sia le lacune (portatori di carica maggioritari), e pertanto questo tipo di transistor è detto bipolare. Il transistor a giunzione bipolare può essere usato classicamente in tre configurazioni diverse dette a base comune, a collettore comune o a emettitore comune: questi termini si riferiscono al terminale privo di segnale (di solito perché collegato al potenziale di riferimento, direttamente o tramite un condensatore di bypass). (it)
- En bipolär transistor är en trepolig halvledar-komponent som kan betraktas som en styrbar strömventil. Strömmen som kan styras är en likström vilket innebär att styrbarheten inskränker sig till att öka eller minska en ström, det går inte alltså att påverka dess riktning. Den bipolära transistorn består av två pn-övergångar där respektive övergång kan vara förspänd i fram- eller backriktning och på så vis ge transistorn fyra olika arbetsomården. (sv)
- Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) – odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem). (pl)
- Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ). (ru)
- O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (elétrons). (pt)
- Біполярний транзистор — напівпровідниковий прилад, елемент електронних схем. Має три електроди — емітер, базу і колектор, — один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем носіїв заряду, що мають як позитивний, так і негативний електричний заряд. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори типів NPN та PNP. В транзисторі типу NPN емітер і колектор легуються донорами, а база — акцепторами. В транзисторі типу PNP — навпаки. Біполярні транзистори використовуються в підсилювачах, генераторах, перетворювачах сигналу, логічних схемах. (uk)
- 双极性電晶體（英語：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也稱雙極性載子電晶體。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。 双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。 通斷（傳遞訊號）時的雙極晶體管表現出一些延遲特性。大多數晶體管，尤其是功率晶體管，具有長的儲存時間，限制操作處理器的最高頻率。一種方法用於減少該存儲時間是使用Baker clamp。 (zh)
|
| rdfs:comment
|
- Bipolární tranzistor je druh tranzistoru. Jde o elektronickou součástku tvořenou třemi oblastmi polovodiče s různým typem vodivosti v uspořádání NPN nebo PNP, které vytvářejí dvojici přechodů PN. Prostřední oblast se nazývá báze (B), krajní emitor (E) a kolektor (C, výjimečně K). Ke každé z oblastí je zapojen vývod. Při vhodném zapojení je velikost elektrického proudu tekoucího mezi emitorem a kolektorem řízena malými změnami proudu tekoucího mezi bází a emitorem. Bipolární tranzistory se používají jako zesilovače, spínače a invertory. Vyrábějí se jako samostatné součástky nebo jako prvky integrovaných obvodů. Ve složitých integrovaných obvodech však převládá používání unipolárních tranzistorů. (cs)
- Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen. Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert und wird zum Schalten und Verstärken von Signalen ohne mechanisch bewegte Teile eingesetzt. Bipolare Leistungstransistoren sind für das Schalten und Verstärken von Signalen höherer Stromstärken und Spannungen ausgelegt. (de)
- Transistore bipolarra —BJT transistorea edo juntura bipolarreko transistorea ere deitua (ingelesez: BJT; bipolar junction transistor) transistore mota bat da. egindako hiru terminaleko osagarri elektronikoa da. Oro har elektronika analogikoan erabiltzen dira. Hala ere, elektronika digitaleko TTL teknologian edo ere erabiliak dira. Transistore bipolarren terminalek izen hauek hartzen dituzte:
* Entxufe oina (B; ingelesez: Base).
* Kolektorea (C; ingelesez: Collecter).
* Igorlea (E; ingelesez: Emitter). (eu)
- Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant. Il est à noter qu'aucun électron n'est effectivement « créé » : la polarisation appropriée permet à un réservoir d'électrons libres de circuler différemment. (fr)
- Transistor sambungan dwikutub atau transistor pertemuan dwikutub (bahasa Inggris: Bipolar junction transistor atau disingkat BJT atau Bipolar transistor) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun , berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah , hampir semua arus transistor adalah dikarenakan , sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas. (in)
- バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トランジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトランジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET が登場したことによるレトロニムである。 (ja)
- De bipolaire transistor is een actieve elektronische halfgeleidercomponent. Meestal noemt men de bipolaire transistor gewoon transistor, maar naast bipolaire transistors bestaan er ook andere soorten, zoals de veldeffecttransistor en de MOSFET. Er zijn twee soorten bipolaire transistoren:
* de PNP-transistor (een n-halfgeleiderlaag tussen twee p-halfgeleiderlagen) en
* de NPN-transistor (een p-halfgeleiderlaag tussen twee n-halfgeleiderlagen). (nl)
- En bipolär transistor är en trepolig halvledar-komponent som kan betraktas som en styrbar strömventil. Strömmen som kan styras är en likström vilket innebär att styrbarheten inskränker sig till att öka eller minska en ström, det går inte alltså att påverka dess riktning. Den bipolära transistorn består av två pn-övergångar där respektive övergång kan vara förspänd i fram- eller backriktning och på så vis ge transistorn fyra olika arbetsomården. (sv)
- Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) – odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem). (pl)
- Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ). (ru)
- O transístor de junção bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em inglês), é o tipo de transístor mais comum, devido sua facilidade de polarização e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de condução é realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (elétrons). (pt)
- الترانزستور ثنائي القطب أو ترانزستور الوصلة ثنائية الأقطاب (بالإنجليزية: Bipolar Junction Transistor اختصاراً BJT) هو عنصر إلكتروني فعّال شبه موصل ثلاثيّ الطبقات، يتكوّن من طبقتين من النوع نفسه تفصل بينهما طبقة ثالثةٌ مُغايرة. تكون مادة الطبقات أشباه موصلات إما من سالبة النوع أو موجبته، إذا كانت الطبقتان من مادة شبه موصل مشاب سالب النوع والطبقة المُغايرة من شبه موصلٍ مشاب موجب النوع فإنّ الترانزستور يكونُ من النوع NPN. أمّا إذا كانت الطبقتان من شبه مُوصلٍ مشابٍ موجب النوع، وكانت الطبقةُ المُغايرة من شبه مُوصلٍ مشاب سالب النوع، فإن الترانزستور يكون من النوع PNP. (ar)
- Un transistor bipolar (BJT, de l'anglès bipolar junction transistor) és un tipus de transistor, un dispositiu que pot funcionar com amplificador o commutador fet amb semiconductors dopats. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la base del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat emissor, es pot variar el corrent que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat col·lector, fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent. (ca)
- Το διπολικό τρανζίστορ (BJT – Bipolar Junction Transistor) Το τρανζίστορ είναι ένα ημιαγωγό στοιχείο των ηλεκτρονικών ισχύος, το οποίο αποτελείται από τρεις ζώνες ημιαγωγού στοιχείου διαδοχικά τοποθετημένες. Επομένως, έχουμε δύο τύπους τρανζίστορ: το τρανζίστορ npn και το τρανζίστορ pnp. Στα ηλεκτρονικά ισχύος χρησιμοποιούμε αποκλειστικά το τρανζίστορ npn α) Δομή ενός τρανζίστορ npn β) Σύμβολο τρανζίστορ τύπου-npn με ορθή πόλωση γ) Τρανζίστορ του εμπορίου]] Λειτουργία npn-τρανζίστορ Το τρανζίστορ λειτουργεί σαν ελεγχόμενος διακόπτης. Για να λειτουργήσει, όμως, απαιτείται ορθή πόλωση. Δηλαδή: π.χ.: (el)
- A bipolar junction transistor (BJT) is a type of transistor that uses both electrons and electron holes as charge carriers. In contrast, a unipolar transistor, such as a field-effect transistor, uses only one kind of charge carrier. A bipolar transistor allows a small current injected at one of its terminals to control a much larger current flowing between the terminals, making the device capable of amplification or switching. (en)
- El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. (es)
- ( BJT는 여기로 연결됩니다. 일본어 자격시험에 대해서는 비즈니스 일본어 능력 시험 문서를 참고하십시오.) 양극성 접합 트랜지스터(영어: bipolar junction transistor)는 1947년 벨 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다. 진공관은 전자회로 구현에서 크기와 소모전력 그리고 내구성에 문제가 많다. 특히 스위치 개념을 적용할 때, 많은 소자가 필요한데 공간의 한계가 문제가 된다. 그래서 반도체를 이용한 스위치의 필요성이 대두되어 개발되었다. 오늘날 집적회로에서 CMOS 사용의 선호로 인해 관심과 사용이 줄어들고 있으나, 이산회로 등에서 접합형 트랜지스터의 성질이 잘 알려져 있고 다양한 소자 선택이 가능해 여전히 널리 사용되고 있다. (ko)
- In elettronica, il transistor a giunzione bipolare (abbreviazione comunemente utilizzata: BJT, dall'inglese bipolar junction transistor) è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore. Costituisce la famiglia più diffusa in elettronica insieme al transistor ad effetto di campo rispetto a cui è in grado di offrire una maggiore corrente in uscita con lo svantaggio tuttavia di non avere il terminale di controllo isolato (gate). (it)
- 双极性電晶體（英語：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也稱雙極性載子電晶體。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。 双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。 (zh)
- Біполярний транзистор — напівпровідниковий прилад, елемент електронних схем. Має три електроди — емітер, базу і колектор, — один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем носіїв заряду, що мають як позитивний, так і негативний електричний заряд. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори типів NPN та PNP. В транзисторі типу NPN емітер і колектор легуються донорами, а база — акцепторами. В транзисторі типу PNP — навпаки. (uk)
|
.jpg?width=300)
.svg){kind=link}
.svg){kind=link}
.svg){kind=link}
.svg){kind=link}
_8.6.1.svg){kind=link}
_8.6.2.svg){kind=link}
_Cross-section.svg){kind=link}
_jP.svg){kind=link}
.svg){kind=link}
.svg){kind=link}
.svg){kind=link}
.svg){kind=link}
_8.6.1.svg){kind=link}
_8.6.2.svg){kind=link}
_Cross-section.svg){kind=link}
_jP.svg){kind=link}
.jpg){kind=link}