| dbo:abstract
|
- Extraordinary magnetoresistance (EMR) is a geometrical magnetoresistance effect discovered in 2000, where the change in electrical resistance upon the application of a large magnetic field can be greater than 1,000,000% at room temperature (orders of magnitude greater than other magnetoresistance effects such as GMR and CMR). The effect occurs in semiconductor-metal hybrid systems when a transverse magnetic field is applied. Without a magnetic field the system is in a low-resistance state with most of the current flow directed through the metallic region. Upon the application of a large magnetic field the system switches to a state of much higher electrical resistance, due to the Hall angle approaching 90°, with the current flow inside the metallic region dramatically reduced. The effect is influenced greatly by the system geometry, with an enhancement of over four orders of magnitude shown to be possible with an alternative branched geometry. Since the EMR effect occurs at room temperature and does not rely on magnetic materials it has many possible benefits for applications including in the read heads of future hard disk drives. (en)
- Nadzwyczajna magnetorezystancja (ang. Extraordinary magnetoresistance, EMR) – jest magnetorezystancją geometryczną, której efekt został odkryty w 2000 roku. Podczas zastosowania dużego pola magnetycznego zmiana rezystancji magnetycznej może być większa niż 1,000,000% w temperaturze pokojowej (są to rzędy wielkości, większe niż te, które mają miejsce przy efektach takich jak GMR czy ). Efekt ma miejsce przy zastosowaniu systemów hybrydowych metali i półprzewodników. Bez pola magnetycznego system jest w stanie niskiej rezystancji, dla którego większość prądu elektrycznego przepływa przez sferę metalu. Podczas aplikowania dużego pola magnetycznego przyłożonego poprzecznie do kierunku przepływu prądu, system zmienia stan na ten o dużo większej rezystancji elektrycznej. Z powodu mechanizmu zjawiska Halla, gdy kąt nachylenia zbliża się do 90°, przepływ prądu elektrycznego w regionach metalicznych drastycznie maleje. Na efekt w dużym stopniu wpływa geometria systemu, potęgując efekt o nawet cztery rzędy wielkości. Jako że efekt EMR ma miejsce w temperaturze pokojowej i nie polega na materiałach magnetycznych ma wiele korzyści w aspekcie jego aplikacji, wliczając w to głowice odczytu dysków twardych. (pl)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 3079 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Extraordinary magnetoresistance (EMR) is a geometrical magnetoresistance effect discovered in 2000, where the change in electrical resistance upon the application of a large magnetic field can be greater than 1,000,000% at room temperature (orders of magnitude greater than other magnetoresistance effects such as GMR and CMR). The effect occurs in semiconductor-metal hybrid systems when a transverse magnetic field is applied. Without a magnetic field the system is in a low-resistance state with most of the current flow directed through the metallic region. Upon the application of a large magnetic field the system switches to a state of much higher electrical resistance, due to the Hall angle approaching 90°, with the current flow inside the metallic region dramatically reduced. The effect i (en)
- Nadzwyczajna magnetorezystancja (ang. Extraordinary magnetoresistance, EMR) – jest magnetorezystancją geometryczną, której efekt został odkryty w 2000 roku. Podczas zastosowania dużego pola magnetycznego zmiana rezystancji magnetycznej może być większa niż 1,000,000% w temperaturze pokojowej (są to rzędy wielkości, większe niż te, które mają miejsce przy efektach takich jak GMR czy ). Efekt ma miejsce przy zastosowaniu systemów hybrydowych metali i półprzewodników. Bez pola magnetycznego system jest w stanie niskiej rezystancji, dla którego większość prądu elektrycznego przepływa przez sferę metalu. Podczas aplikowania dużego pola magnetycznego przyłożonego poprzecznie do kierunku przepływu prądu, system zmienia stan na ten o dużo większej rezystancji elektrycznej. Z powodu mechanizmu zjaw (pl)
|
| rdfs:label
|
- Extraordinary magnetoresistance (en)
- Nadzwyczajna magnetorezystancja (pl)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
